任志昂
- 作品数：20 被引量：52H指数：5
- 供职机构：湘潭大学材料与光电物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省自然科学基金湖南省中青年科技基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺一般工业技术更多>>
- BCN三元化合物的简单生长模型被引量：7
- 2000年
- 提出了BCN三元化合物生长的简单模型.结果表明:元素的表面覆盖率、总体生长率、N元素的生长率和化合物中含N量由N流量与B和C流量和之比决定,且总体生长率存在最大值.在N流量与B和C流量和之比为定值时,B和C的流量比对此影响甚小。
- 唐璧玉杨国伟任志昂蔡孟秋
- 学生实验真空镀膜机的设计与制作被引量：2
- 2003年
- 杨端光任志昂
- 关键词：真空镀膜机实验教学
- 脉冲激光诱导液-固界面反应制备石墨相C_3N_4被引量：2
- 2001年
- 透射电子显微镜 ( TEM)、高分辨电子显微镜 ( HREM)和 X射线光电子谱分析表明 ,通过脉冲激光诱导液氨 -石墨靶界面反应首次合成了石墨相 C3N4。观察到了石墨相 C3N4的 TEM形貌 ;对石墨相 C3N4晶面间距的实验和理论计算值进行了比较 。
- 任志昂王金斌刘秋香杨国伟
- 关键词：脉冲激光碳氮化物
- Gd^(3+)掺杂纳米SnO_2锂离子电池负极材料的制备与电化学性能研究被引量：4
- 2014年
- 以SnCl4为锡源,Gd3+为掺杂离子,采用水热法制备出不同掺杂浓度的SnO2纳米晶.运用XRD、TEM、FT-IR以及充放电测试等手段对其结构、形貌、电化学性能进行了表征.结果表明所制备样品为四方晶系金红石型SnO2,Gd3+以替位方式掺入SnO2纳米晶中.当名义Gd3+掺杂浓度达到15%时,SnO2纳米颗粒转变为纳米棒.电化学性能表征发现SnO2纳米棒的首次充放电容量、循环稳定性以及库伦效率都要高于纳米颗粒,并且经过50次循环后SnO2纳米棒的比容量仍保持有370mAh/g.研究结果表明,由于掺杂的作用,调节了材料的形貌与尺寸,改善了SnO2纳米晶的电化学性能.
- 杨萍余随淅蒋峰扈世伟任志昂杨利文
- 关键词：二氧化锡锂离子电池电化学性能
- 室温下用脉冲激光沉积E-BN薄膜被引量：2
- 2002年
- 在利用等离子体增强脉冲激光沉积系统沉积立方氮化硼 (cBN)薄膜时 ,发现了氮化硼 (BN)材料的E BN相 ,并利用扫描电镜和红外吸收光谱及X射线衍射技术对薄膜样品进行了分析 ,得到了制备较高质量E BN薄膜的一些热力学参数及时间参数 ,验证了现有的E BN结构的形成理论。
- 任志昂张灿云钟向丽王金斌杨国伟
- 关键词：脉冲激光沉积红外吸收光谱X射线衍射分子晶体
- 液固界面反应法制备c-BN纳米晶被引量：7
- 2004年
- 通过高能脉冲激光诱导丙酮 六方氮化硼界面反应制备出了立方氮化硼纳米晶体,透射电子显微镜分析表明制备的立方氮化硼(c BN)纳米晶体为直径约30～80nm的类球状晶体。傅立叶变换红外光谱和X射线衍射都分别用来表征c BN的结构。
- 钟向丽王金斌张灿云任志昂杨国伟
- 关键词：立方氮化硼纳米晶C-BN透射电子显微镜红外光谱X射线衍射
- 金刚石产品的脉冲激光制备与应用
- 2000年
- 详细介绍了用脉冲激光法制备金刚石产品的发展过程 ,并总结了脉冲激光沉积 (PLD)、液体靶脉冲激沉积 (LYPLD)以及脉冲激光诱导液 -固界面反应 (PLIIR)等几种典型的实验方法、实验装置以及所取得的成果 在脉冲激光沉积法 (PLD)制备金刚石薄膜方面重点总结了最近比较新颖的液体靶脉冲激光沉积技术 ,而在金刚石纳米晶的制备方面综述了脉冲激光诱导液 -固界面反应法 ,此法在制备亚稳态纳米晶体方面显示出了较独特的优越性 图 4,参 1
- 任志昂王金斌杨国伟
- 关键词：脉冲激光沉积人造金刚石
- 定向金刚石膜的合成及机理探索被引量：1
- 2000年
- 采用热丝化学汽相淀积 (CVD) ,未用别的辅助措施 ,合成了 (10 0 )晶面的金刚石膜。结合CVD金刚石成核的微观过程 ,探讨了定向金刚石膜的形成机理。发现和研究了表面扩散对CVD金刚石成核的重要影响。
- 唐璧玉杨国伟任志昂蔡孟秋
- 关键词：化学汽相沉积
- 多功能薄膜制备系统的设计与制作
- 2003年
- 设计并制作了一套具有真空蒸发沉积和化学气相沉积两种薄膜制备功能的系统。性能参数测试结果表明,该系统既能进行金刚石、BCN材料等物质的化学气相沉积,又具有完好的真空镀膜功能,且该仪器简便直观,操作方便。
- 任志昂阳效良傅建娥
- 关键词：真空蒸发沉积化学气相沉积真空镀膜系统组成系统设计
- 铁基底上扩散感应的CVD金刚石成核被引量：1
- 1999年
- 在硅和铁基底上同时进行ＣＶＤ 金刚石的沉积，利用硅基底上的金刚石成核感应金刚石在铁基底上直接成核。研究表明，硅和铁基底上不同的沉积过程导致了铁基底上碳原子表面扩散的加强，从而促成了ＣＶＤ 金刚石在铁基底上的直接成核。表面扩散对ＣＶＤ 金刚石成核有重要影响。
- 唐璧玉杨国伟任志昂蔡孟秋
- 关键词：CVD金刚石
