何崇斌
- 作品数：8 被引量：23H指数：3
- 供职机构：西北大学信息科学与技术学院更多>>
- 发文基金：陕西省自然科学基金陕西省教育厅自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 钛酸锶铅材料半导性研究被引量：2
- 2007年
- 目的研究掺杂对(Sr,Pb)TiO3半导性及微观组织的影响。方法在溶胶-凝胶法中,采用不同的掺杂浓度及不同的烧结温度来进行研究。结果改善了烧结温度,改进了PTC复合效应,提高了电学特性。结论通过掺杂可以改变(Sr,Pb)TiO3的半导性。
- 何崇斌施云斌赵丽丽张志勇
- 关键词：溶胶-凝胶法掺杂
- 锶铅比对钛酸锶鉛材料性能的影响被引量：2
- 2008年
- 目的研究锶铅比对(Sr,Pb)TiO3材料性能的影响。方法在溶胶-凝胶法中,采用在一定的掺杂浓度下,通过改变不同的锶铅比来进行研究。结果改变锶铅比,会使(Sr,Pb)TiO3材料的NTC-PTC特性发生明显的变化,从而使其半导性及应用范围发生变化。结论通过改变锶铅比,可以调节(Sr,Pb)TiO3的居里温度TC,这对扩大(Sr,Pb)TiO3材料的应用范围,具有积极的实用意义。
- 何崇斌施云斌赵丽丽张志勇
- 关键词：材料性能
- MO-PECVD SnO_2气敏薄膜的制备及表征被引量：4
- 2004年
- 目的 探索制备SnO2薄膜的最佳工艺,研究氧分压与其薄膜元件气敏性能间的关系。方法以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质,采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)。利用X射线衍射仪和扫描电镜(SEM)对薄膜的晶体结构、SnO2晶体的颗粒度进行了表征,对不同样品的气敏性能做了测试分析。结果 优化出制备SnO2薄膜的最佳工艺。结论 氧分压是影响SnO2颗粒尺寸大小及薄膜元件气敏性能的重要因素。
- 阎军锋何崇斌王雪文张志勇
- 关键词：SNO2薄膜气敏
- Sol-Gel法制备钛酸锶钡薄膜及其掺杂介电行为
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡薄膜,经XRD测试薄膜的相结构,证明薄膜具有一定的择优取向性。性能测试表明,随Mn掺杂量的增加,薄膜的介电系数稳定地增加,而介电损耗在Mn含量为7.5%时最小。
- 赵丽丽高永进张智翔翟春雪何崇斌
- 关键词：溶胶-凝胶法钛酸锶钡薄膜掺杂介电性能
- Mg^(2+)掺杂对SrTiO_3薄膜光电特性的影响被引量：1
- 2013年
- 利用溶胶-凝胶法在Al2O3陶瓷片上制备掺Mg的SrTiO3薄膜。在SrTiO3中掺杂不同含量的Mg离子,Mg在钛酸锶中取代钛位,形成受主掺杂。研究了掺杂对薄膜电阻率的影响,实验表明,当掺杂浓度为4%时,电阻率最小。当掺杂浓度为4%时,薄膜电阻率会随着光功率变化而变化,当光功率<100W时,电阻迅速减小,超过100W时,减小幅度变小。
- 刘雪婷何崇斌薛异荣焦龙龙
- 关键词：溶胶-凝胶SRTIO3薄膜电阻率
- sol-gel纳米晶二氧化锡薄膜的制备及表征被引量：10
- 2005年
- 以SnCl4为原料,采用sol-gel技术,应用间接成胶法,在玻璃片上制备了纳米晶SnO2薄膜及粉体,以其灵敏度、响应时间和工作温度作为评价气敏性能的标准,对制备工艺参数进行了优化,并用DSC-TG、XRD、AFM等手段对样品进行了表征。结果表明,水与乙醇体积比为3:1,草酸与四氯化锡摩尔比为0.3:1,在500℃下退火的薄膜表面平整,平均粒度在20nm左右,且相应的薄膜元件对丙酮蒸气具有良好的选择性和较高的灵敏度、较短的响应时间和较低的工作温度(≈190℃)。
- 闫军锋王雪文张志勇赵丽丽何崇斌
- 关键词：SOL-GEL法纳米晶二氧化锡气敏特性
- 残余应力与电极电位之间的关系被引量：4
- 2002年
- 结合电化学原理 ,从实验的角度分析论证了残余应力与电极电位之间的对应关系 ,旨在为应力腐蚀的纵深研究和开拓新的应力测试方法做一点尝试。
- 何崇斌
- 关键词：残余应力电极电位应力腐蚀应力测试
- 锶钡比及膜厚对钛酸锶钡薄膜介电行为的影响
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶法制备不同锶钡比、不同膜厚的钛酸锶钡薄膜,研究了薄膜的介电行为。性能测试表明,在不同的锶钡比的钛酸锶钡薄膜中,介电性能最好的锶钡比为0.5:0.5,此时介电系数最大介电损耗最小;膜厚与薄膜的介电系数呈线性关系,随膜厚增加薄膜的介电系数线性增加。
- 赵丽丽张智翔高永进翟春雪何崇斌
- 关键词：溶胶-凝胶法钛酸锶钡薄膜介电性能
