余健
- 作品数：5 被引量：4H指数：2
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信艺术建筑科学更多>>
- Ag厚度对其反射率的影响被引量：2
- 2015年
- 采用射频磁控溅射方法在石英片上生长不同厚度Ag薄膜,测试了Ag膜反射率变化随厚度的变化关系,利用AFM和SEM分别研究Ag膜厚度对其表面粗糙度和形貌的影响。结果表明:Ag厚度在130nm以下时,随着厚度的增加,透射率急剧下降,其反射率逐渐增加;当厚度超过130nm时,透射率不再变化,由于表面RMS的增加使得散射损耗增大,使得其反射率随着厚度增加而减小。
- 余健赖萌华张保平
- 关键词：反射率AGSEMAFM
- 垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法
- 垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池。所述垂直结构InGaN太阳能电池设有：支撑衬底；键合介质层；金属反射镜层；p‑GaN层；InGaN吸收层；n‑GaN层；栅状电极。在外延片表面镀上金属电极，并当作...
- 张保平蔡晓梅张江勇余健王宇
- 文献传递
- 现代建筑中地域性符号运用研究
- 在经济全球化的时代背景下，各地的文化有着趋同的现象。在建筑领域也是如此，全球化下的城市发展以现代化与国际化为主，渐渐失去了原本的地域色彩。缺乏城市归属感与对国际化风格的麻木，使得人们开始重新追求地域个性，寻找现代建筑与地...
- 余健
- 关键词：现代建筑建筑文化
- 文献传递
- InGaN／GaN多量子阱太阳电池的研制及特性研究被引量：2
- 2014年
- 利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱外延结构,高分辨率X射线衍射测量结果显示,量子阱结构界面清晰,周期重复性很好,InGaN阱层的In组分约为0.2。利用该外延结构制备的InGaN/GaN多量子阱太阳电池的开路电压为2.16V,转换效率达到了0.64%。器件的I-V测量结果显示,在光照条件下,曲线的正向区域存在一明显的"拐点"。随着聚光度的减小,I-V曲线的"拐点"逐渐向高电压区域移动,同时器件的开路电压也随之急剧下降。通过与理论计算对比,发现器件开路电压的下降幅度明显大于理论计算值。进一步分析表明,InGaN量子阱的极化效应不仅是I-V曲线产生拐点以及器件开路电压下降过快的主要原因,也是影响氮化物太阳电池性能的关键因素之一。
- 王宇张江勇余健应磊莹张保平
- 关键词：INGAN/GAN多量子阱极化效应太阳电池
- 垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法
- 垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池。所述垂直结构InGaN太阳能电池设有：支撑衬底；键合介质层；金属反射镜层；p-GaN层；InGaN吸收层；n-GaN层；栅状电极。在外延片表面镀上金属电极，并当作...
- 张保平蔡晓梅张江勇余健王宇
- 文献传递
