关秉羽
- 作品数：11 被引量：28H指数：4
- 供职机构：沈阳市北宇真空设备厂更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信核科学技术更多>>
- 强流磁约束金属离子注入源被引量：2
- 2005年
- 设计和制造了适合工业应用的强流金属离子源。离子源的电弧阴、阳电极之间和放电室壁采用永磁体阵列形成导流、屏蔽磁场,改进了电弧的放电特性和提高等离子体密度。离子注入源在加速电压为30kV、50Hz条件时,平均束流流强约为30mA,调试结果表明附加磁场提高了离子源性能。
- 牟宗信龙振湖李国卿关秉羽
- 关键词：等离子体离子束离子源
- 平面离子源增强沉积镀膜机
- 平面离子源增强沉积镀膜机属于等离子体表面物理气相沉积技术领域。平面离子源增强沉积镀膜机包括真空系统、加热系统、偏压系统、供气系统、工件传动机构以及平面离子源和磁控溅射、多弧等金属溅射蒸发源。平面离子源是由内阳极、狭缝阴极...
- 李国卿关秉羽李剑锋
- 文献传递
- 高真空磁过滤弧源
- 高真空磁过滤弧源属于等离子体和材料表面技术领域，包括弧源屏蔽1、阴极靶2、引弧磁体3、触发机构4、水冷阳极7、主弧电源11、辅助阳极电源5、辅助阳极10、磁场线圈6、离化阳极8和离化电源9，真空度为10<Sup>－1</...
- 李国卿关秉羽李剑锋牟宗信
- 文献传递
- 镀膜机的微机控制被引量：5
- 2003年
- 设计了磁控溅射 多弧镀膜机的微机控制系统 ,采用PLC可编程控制器与上位机进行数据传递和控制设备的控制方式。本微机控制系统中的真空镀膜机 ,设计了 3套孪生磁控、10套多弧和 8级工艺的过程控制 ,具有自动组合工艺和自控程序升级功能 ,从而实现多种工艺的镀膜要求。
- 陈玲玲李国卿黄开玉关秉羽汪思源
- 关键词：微机控制系统PLC可编程控制器真空镀膜机
- 对靶非平衡磁控溅射系统平面探针诊断被引量：1
- 2002年
- 对靶非平衡磁控溅射系统由两个相对磁控溅射靶和一个磁镜场约束系统构成 ,通过调整电磁线圈的激励电流可以控制磁镜场的空间分布状态 ,测量了合成磁场的空间分布状态。采用平面探针方法 ,在两靶中间位置测量了收集电流密度。结果表明 ,探针的收集电流密度随磁镜场的激励电流增加显著增大 ,在偏压 15 0V、工作气体 Ar、压力 0 .2 Pa和磁控溅射靶工作电流 3A时 ,收集的电流密度可以达到 5 .77m A / cm2 。
- 牟宗信李国卿关秉羽
- 关键词：等离子体镀膜技术
- 一种等离子体蒸发镀膜机
- 一种等离子体蒸发镀膜机，它涉及一种真空镀膜机。针对现有蒸发镀膜机镀膜质量难以保证的问题。本实用新型的进气管(2)的一端装在镀膜真空室体(1)内，镀膜真空室体(1)侧壁上设有室门(3)，泵组(4)装在镀膜真空室体(1)上，...
- 关秉羽田修波
- 文献传递
- 脉冲偏压对矩形平面大弧源离子镀TiN膜层性能的影响被引量：6
- 2008年
- 采用矩形平面大弧源离子镀技术在201奥氏体不锈钢基体表面制备TiN硬质薄膜,研究了脉冲偏压对TiN膜层的表面形貌、相结构、硬度和耐磨性能的影响.结果表明,随着脉冲偏压的增大,薄膜中大颗粒的数目先增加后减少,这是大颗粒受到离子拖曳力和电场力双重作用的结果.存在一个最佳的脉冲偏压,使得制备出的TiN膜层具有较高的I_(111)/I_(200)比例和较高的耐磨性.脉冲偏压为-300 V时制备的TiN膜层具有最好的综合性能.
- 林永清巩春志魏永强田修波杨士勤关秉羽于传跃
- 关键词：无机非金属材料离子镀脉冲偏压氮化钛耐磨性
- 脉冲磁过滤阴极弧等离子体制备四面体非晶碳膜被引量：1
- 2004年
- 介绍了脉冲磁过滤阴极电弧法制备四面体非晶碳膜 (tetrahedral am orphous carbon即 ta- C) ,并对制得的薄膜表面形貌、硬度、电阻等进行了测试。结果表明 ,脉冲磁过滤阴极电弧法制备的 ta- C膜有优良的性能。拉曼光谱分析显示 ,制得的薄膜为非晶结构 ,有明显的 sp3结构特征 ,符合 ta-
- 张成武李国卿柳翠关秉羽
- 关键词：拉曼光谱偏压类金刚石膜
- 等离子体源增强沉积设备
- 等离子体源增强沉积设备属于等离子体表面物理气相沉积技术领域。等离子体源增强沉积设备由真空系统、加热系统、偏压电源、供气系统、工件传动系统以及等离子体源与真空弧、磁控溅射组成，由等离子体源提供气体离化的等离子体，在偏压作用...
- 李国卿关秉羽李剑锋牟宗信
- 文献传递
- 非平衡磁控溅射中调制磁场的作用被引量：9
- 2002年
- 研究了调制磁场对于非平衡磁控溅射系统的作用 ,调制磁场可以使非平衡磁控溅射形成具有较高等离子体密度的等离子体束流 ,延伸到靶前 110 m m以上。在靶前 6 0～ 110 mm的位置上 ,收集电流密度高达 9～ 10 m A/ cm2 ,收集的电流密度比常规的磁控溅射方法高 9倍以上 ,在调制磁场作用下磁控溅射沉积铜薄膜的沉积速率可以增加到 14倍。
- 牟宗信关秉羽李国卿宋林峰
- 关键词：非平衡磁控溅射等离子体镀膜工艺调制作用
