冯克成
- 作品数：54 被引量：127H指数：7
- 供职机构：长春理工大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省教育厅科研项目大连市科学技术基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程化学工程更多>>
- LiNbO_3质子交换光波导偏振器的研究被引量：1
- 2007年
- 研制了632.8 nm光波段X切Y传Ti扩散铌酸锂质子交换光波导偏振器。从理论上分析了钛(Ti)扩散及质子交换(PE)LiNbO3波导折射率改变机理,以及影响器件性能的各种因素。实验结果与理论计算符合良好,达到了集成光路中对器件的偏振要求,为其他类型偏振器的研制提供了理论依据。
- 彭文彬王春阳张先徽孙秀平冯克成
- 关键词：质子交换消光比插入损耗
- 基于IGBT的SUNIST电极放电电源的研究
- 2005年
- 为了即将进行的SUNIST(SinoUNItedSphericalTokamak,中国联合球形托卡马克)电极放电辅助电子回旋波电流启动实验,研制成功了1000V/50A放电电源。本文介绍了基于IGBT组成的SUNIST电极放电电源。
- 冯松林杨宣宗冯克成
- 关键词：IGBT
- 双缝干涉现象的简单解释被引量：1
- 1999年
- 本文由已知的双缝干涉光强公式推导出能看到干涉条纹的条件。由此条件计算出能看到干涉条纹的级数， 并给于白光产生干涉条纹的新解释。
- 郭守月冯克成
- 关键词：杨氏双缝实验
- 非理想配比二氧化钒薄膜喇曼光谱研究被引量：1
- 2006年
- 采用射频(RF)磁控溅射在各种条件下制备的VO2薄膜的喇曼光谱曲线。研究发现,和理想配比VO2薄膜的主要喇曼峰相比较,无论是富钒的VO2薄膜还是富氧的VO2薄膜它们主要的喇曼峰都向高频方向移动。我们提供了实验证据并且讨论了非理想配比导致VO2薄膜喇曼光谱变化的原因。
- 袁宏韬冯克成张先徽
- 关键词：二氧化钒薄膜喇曼光谱射频磁控溅射
- 基于LED光源痕量二氧化氮气体的检测被引量：6
- 2009年
- 随着现代化工业的发展,大气污染越来越严重,吸收光谱法是检测大气污染的重要手段。NO2是大气污染的主要污染物之一,文章将发光二极管作为光源,选择发光光谱范围处于NO2强吸收峰位置的发光二极管,通过测量含有NO2污染物的吸收光谱,利用最小二乘法,将实验得到的吸收光谱与标准谱作拟合运算,反演计算出污染物浓度。分析了检测的基本原理,研究了光谱分析过程,包括实验光谱与标准光谱的拟合、浓度的反演计算等数据处理过程。具体利用NO2在300～500 nm光谱范围内有强吸收的特点,测量了样品中NO2的浓度。实验使用发光二极管作为光源,使检测变得方便快捷,实验装置便于携带,可以随时对待测场所实现高精度的实时在线检测。
- 孙秀平张喜和王达成冯克成那延祥刘建国刘文清
- 关键词：吸收光谱发光二极管
- 可见光域Ti:LiNbO_3质子交换光波导型偏振器
- 1997年
- 在可见光域632.8 nm光波段,首次研制出Ti∶LiNbO_3质子交换光波导型偏振器.同时,给出了波导型偏振器参数测试装置.在理论上,利用物理光学和波导色散理论分析与计算了这种偏振器的消光比,分析了影响器件性能的各种因素.理论计算与实验结果符合良好.
- 冯克成王兆民焦文滔李凌
- 关键词：波导质子交换光波导偏振器偏振消光比
- VO_2薄膜的制备及其喇曼光谱研究
- 2009年
- 介绍VO2薄膜的结构、性质并采用射频磁控溅射法分别在玻璃、熔融石英以及蓝宝石衬底上沉积了高品质的VO2薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)分析了VO2薄膜的微结构,探索了非理想配比对VO2薄膜的喇曼光谱的影响,讨论了非理想配比导致VO2薄膜喇曼光谱变化的原因。
- 李雪婧那延祥冯克成
- 关键词：VO2薄膜射频磁控溅射喇曼光谱
- 单模圆光纤中受激拉曼散射光谱偏振特性的研究被引量：6
- 2005年
- 研究了单模圆石英光纤在不同偏振光泵浦条件下,受激拉曼散射(SRS)各级斯托克斯光的拉曼阈值和频移特性,同时测试了光纤输出端的泵浦光和斯托克斯光的偏振状态.分析了偏振光在单模圆光纤中传输时偏振状态的变化.
- 孙秀平冯克成张喜和李春明谭勇王兆民
- 关键词：非线性光学受激拉曼散射偏振
- 可见光域质子交换LiNbO3光波导偏振器的研究
- 在光纤通讯和光纤陀螺光集成回路系统中使用的集成光路都必须在单一偏振态工作,因此,精确控制光波导中光波的偏振态是系统正常工作的首要条件。利用质子交换波导中寻常光折射率减小,非寻常光折射率增大这一特性,制作出具有偏振选择性的...
- 彭文彬张先徽王兴权孙秀平冯克成
- 文献传递
- FTIR法研究BCN薄膜的内应力被引量：3
- 2008年
- 采用射频磁控溅射技术，用六角氮化硼和石墨为溅射靶，以氩气（Ar）和氮气（N2）为工作气体，在Si（100）衬底上制备出硼碳氮（BCN）薄膜。利用傅里叶变换红外光谱（FTIR）考察了不同沉积参数（溅射功率为80～130W、衬底温度为300-500℃、沉积时间为1～4h）条件下制备的薄膜样品。实验结果表明，所制备薄膜均实现了原子级化合。并且沉积参数对BCN薄膜的生长和内应力有很大影响，适当改变沉积参数能有效释放BCN薄膜的内应力。在固定其他条件只改变一个沉积参数的情况下，得到制备具有较小内应力的硼碳氮薄膜的最佳沉积条件：溅射功率为80W、衬底温度为400℃、沉积时间为2h。
- 王玉新郑亚茹宋哲冯克成赵永年
- 关键词：射频磁控溅射硼碳氮薄膜傅里叶变换红外光谱内应力
