刘军儒
- 作品数：3 被引量：9H指数：2
- 供职机构：天津工业大学更多>>
- 发文基金：天津市科技支撑计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 一种高精度带隙基准电压源设计被引量：4
- 2010年
- 提出一种采用0.35μm CMOS工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和低的温度系数。整体电路使用TSMC 0.35μm CMOS工艺,采用HSpice进行仿真。仿真结果表明,在-25^+125℃温度范围内温度系数为6.45 ppm/℃,电源抑制比达到-101 dB,电源电压在2.5~4.5 V之间,输出电压Vref的摆动为0.1 mV,功耗为0.815 mW,是一种有效的基准电压实现方法。
- 刘军儒牛萍娟高铁成王亦伟
- 关键词：带隙基准电压源电源抑制比温度系数HSPICE
- 一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计被引量：5
- 2010年
- 采用共源共栅运算放大器作为驱动,设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路,并在TSMC 0.18μm CMOS工艺下,采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明:在-25～115℃温度范围内电路的温漂系数为9.69×10-6/℃,电源抑制比达到-100 dB,电源电压在2.5～4.5 V之间时输出电压Vref的摆动为0.2 mV,是一种有效的基准电压实现方法.
- 刘军儒牛萍娟高铁成
- 关键词：带隙基准电压源电源抑制比温度系数
- 一种高精度带隙基准电压源的设计
- 带隙基准电压源是许多模拟电路和电子系统中的重要组成模块，它已被广泛的应用在比较器、数字/模拟转化器、模拟/数字转化器、动态存储器、闪速存储器和其它的模拟和数字电路中，因此对集成于SOC中的高性能带隙基准电压研究具有重要的...
- 刘军儒
- 关键词：带隙基准电压源电源抑制比温度系数CMOS工艺
- 文献传递
