刘聪
- 作品数：6 被引量：20H指数：2
- 供职机构：武汉工程大学更多>>
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- 相关领域：理学化学工程一般工业技术更多>>
- 氧气流量对MPCVD制备微/纳米双层金刚石膜的影响被引量：2
- 2014年
- 应用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术,以CH4/H2/Ar为主要气源,成功制备出了微/纳米双层金刚石膜。同时,在纳米膜层生长过程中,通过添加O2辅助气体,研究了不同O2流量对微/纳米金刚石膜生长的影响。结果表明,当O2流量在0-0.8 sccm范围时,所获得的金刚石膜仍为微/纳米两层膜结构;当氧气流量增加到1.2 sccm时,金刚石膜只有一层微米膜结构;而O2流量在0-1.2 sccm范围时,纳米层晶粒尺寸及品质与氧气流量成正比例关系。表明适量引入O2可以促进纳米层晶粒长大和提高膜品质。另外,当O2流量为0.8 sccm,所制备的微/纳米金刚石膜不仅品质好,而且生长率也较高。
- 刘聪汪建华吕琳翁俊
- 关键词：MPCVD金刚石膜
- 高质量高取向(100)面金刚石膜的可控性生长被引量：5
- 2015年
- 应用微波等离子体化学气相沉积技术,在低气压下对(100)晶面金刚石膜的表面形貌、质量、取向和生长率进行了可控性生长研究.结果表明:基片温度与甲烷浓度对(100)晶面金刚石膜的生长存在耦合规律.为了获得表面形貌相似的(100)晶面金刚石膜,在沉积过程中,增加碳源浓度的同时需要同时升高基片温度;当甲烷浓度为3.0%,基片温度从740?C上升至1100?C的过程中,金刚石膜的晶面取向变化可分为五个阶段,其中当基片温度在860?C至930?C时,很适合高取向(100)晶面金刚石膜生长;另外,金刚石膜的质量和生长速率分别与基片温度和甲烷浓度成正比.为了获得高质量高取向(100)晶面金刚石膜,应当选择合适的基片温度和甲烷浓度.
- 刘聪汪建华翁俊
- 关键词：金刚石膜化学气相沉积
- 辅助气体对分阶段制备金刚石膜的影响被引量：1
- 2014年
- 采用形核-甲烷/氢气生长-辅助气体/甲烷/氢气生长的新工艺,在镜面抛光的单晶硅片上制备了金刚石膜,并用扫描电子显微镜和激光拉曼光谱等测试方法对薄膜的表面形貌和质量性能进行了表征;研究了添加辅助气体对已有金刚石晶型生长的影响.结果表明:以甲烷/氢气为气源时,金刚石膜生长率一般为1.8μm/h,当分别加入氧气、二氧化碳、氮气时,其生长率都有所提高,其中加入二氧化碳时,其生长率是甲烷/氢气为气源的3倍多,但是加入氩气时,其生长率下降;通过新工艺,在加入氮气或氩气时,第一生长阶段为微米,而第二生长阶段为纳米尺寸,最后制备出具有微/纳米双层复合金刚石膜.
- 汪建华刘聪熊礼威
- 关键词：化学气相沉积金刚石膜微波等离子体
- CO_2对MPCVD制备金刚石膜的影响研究被引量：8
- 2014年
- 应用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术，以CH4／H2／N2为主要气源，通过添加CO2辅助气体，并与未添加CO2辅助气体进行对比，进行了金刚石膜沉积。研究了添加不同浓度CO2对生长金刚石膜的影响。结果表明：当CO2流量在0～25cm3／min范围变化时，金刚石膜表面粗糙度分别为8．9nm、6．8nm、9．2nm、9．6nm。表明适量引入CO2可以降低膜面粗糙度，但是进一步提高CO2流量，膜面粗糙度反而上升。同时当CO：流量在0～15cm3／min范围变化时，金刚石膜的品质和生长都表现出上升趋势，但是超过该流量，其品质和生长率都出现下降趋势。另外，当CO2流量为15cm3／min，生长的金刚石膜不仅品质好，而且生长率也较高。
- 刘聪汪建华熊礼威
- 关键词：MPCVDCO2金刚石膜
- 高功率MPCVD法制备高质量金刚石膜的研究
- CVD金刚石膜因其优异的物理化学性能，使得其在众多领域具有广泛应用。特别是在军事领域，高质量光学级金刚石膜一直是各个科研团队研究的重点。而在诸多人造金刚石膜方法中，微波等离子体化学气相沉积法被认为是制备高质量CVD金刚石...
- 刘聪
- 关键词：金刚石膜气相沉积
- 干法刻蚀图形化CVD金刚石膜研究进展被引量：2
- 2014年
- CVD金刚石膜因其极高的强度和耐磨特性在微机电系统(MEMS)领域具有极好的应用前景,然而其极高的硬度和化学惰性又使其很难被加工成型,这极大地限制了CVD金刚石膜在MEMS领域的应用。本文主要介绍了近年来干法刻蚀图形化CVD金刚石膜的研究进展,系统地分析了激光刻蚀,等离子体刻蚀,等离子体辅助固体刻蚀的原理及其各自优缺点,着重论述了国内外采用等离子体刻蚀CVD金刚石膜的研究现状。
- 刘聪汪建华熊礼威
- 关键词：CVD金刚石膜激光刻蚀等离子体刻蚀
