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叶小玲

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇光性质
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇发光性
  • 1篇发光性质
  • 1篇INALAS...
  • 1篇INAS量子...

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇张子旸
  • 1篇李成明
  • 1篇曲胜春
  • 1篇叶小玲
  • 1篇王占国
  • 1篇孟宪权
  • 1篇金鹏

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2003
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点发光性质的影响被引量：2
2003年
系统研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响;发现InAs量子点的基态发光峰位、半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In的组分;得到了室温发光波长在1.35μm,基态与第一激发态的能级间距高达103 meV的InAs量子点的发光特性。这一结果对实现高T_0的长波长InAs量子点激光器的室温激射具有重要意义。
张子旸金鹏曲胜春李成明孟宪权徐波叶小玲王占国
关键词：量子点光致发光
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共1页<1>
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