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吕海涛

作品数:10 被引量:31H指数:2
供职机构:河北工业大学材料科学与工程学院信息功能材料研究所更多>>
发文基金:河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 6篇掺锗
  • 5篇CZSI
  • 4篇直拉法
  • 3篇禁带
  • 3篇禁带宽度
  • 3篇晶体
  • 3篇晶体生长
  • 3篇
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇蓝宝石衬底
  • 2篇SEM
  • 2篇GAN
  • 2篇衬底
  • 1篇单晶
  • 1篇电池
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇原子力显微镜...
  • 1篇扫描电镜
  • 1篇太阳电池

机构

  • 10篇河北工业大学
  • 1篇南昌大学

作者

  • 10篇吕海涛
  • 8篇张维连
  • 7篇牛新环
  • 6篇蒋中伟
  • 3篇王雅欣
  • 2篇左燕
  • 2篇张恩怀
  • 2篇孙军生
  • 1篇赵红生

传媒

  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇河北工业大学...
  • 1篇第五届中国功...

年份

  • 8篇2004
  • 2篇2003
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
掺锗CZ硅单晶中锗分布形式的研究被引量:2
2004年
利用扫描电镜能谱分析法,对CZ法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高.根据测定的浓度计算出了该工艺条件下硅锗体单晶中锗的有效分凝系数为Ke ≈ 0.60~0.65.
牛新环张维连吕海涛蒋中伟
关键词:直拉法分凝系数
化学腐蚀法研究蓝宝石单晶中的位错缺陷被引量:13
2004年
采用化学腐蚀-金相显微镜法和SEM法观察了CZ法生长的直径50mm的蓝宝石单晶中的位错缺陷.发现位错分布状况为中心较低、边缘较高,密度大约为104~10 5cm-2.在不同温度不同的试剂以及不同的腐蚀时间进行对比结果发现,用KOH腐蚀剂在290℃下腐蚀15min时,显示的位错最为清晰、准确,效果最佳.
吕海涛张维连左燕步云英
关键词:化学腐蚀金相显微镜
掺锗CZSi单晶中锗浓度测试方法的比较
采用SEM(扫描电镜)法、SIMS(二次离子质谱)法、ICP(电感偶合等离子)直读光谱仪法对掺锗CZSi中的锗浓度进行了测定,结果发现对于杂质锗浓度大于1.0wt%的单晶样品,采用SEM能谱分析法为宜,锗浓度小于1.0w...
牛新环张维连吕海涛蒋中伟张恩怀孙军生
关键词:CZSISEMSIMSICP
文献传递
GaN/Al<,2>O<,3>中缺陷和外延层界面的SEM和原子力显微镜观察
利用扫描电镜(SEM)观察了蓝宝石衬底和外延GaN层的位错缺陷,探索了衬底中位错和外延层位错形成的关系.并使用原子力显微镜(AFM)技术观察了蓝宝石衬底与GaN外延层界面的形貌.
吕海涛张维连牛新环张恩怀孙军生陈洪建步云英于秉华王水凤
关键词:扫描电镜蓝宝石衬底原子力显微镜
文献传递
掺锗CZSi禁带宽度的变化
采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000~2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度...
牛新环张维连吕海涛蒋中伟王雅欣
关键词:直拉法晶体生长禁带宽度
文献传递
掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性被引量:1
2004年
用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1%(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同。但随着掺入晶体中锗浓度的增加,红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰。锗浓度越高,此峰越明显。该峰可能是由于Ge-C或Si-Ce-C键合体系的产生而引起的红外吸收峰。
张维连牛新环吕海涛张恩怀孙军生
关键词:半导体材料
基于双指数模型的太阳电池输出特性计算机模拟被引量:13
2004年
以双指数形式太阳电池理论模型为基础,用实验数据拟合太阳电池的I—V特性。然后利用获得的重要待定参数的拟合值对太阳电池的I—V和P—V特性计算机模拟,并分析了它们对太阳电池性能的不同影响机制。
张维连赵红生左燕吕海涛牛新环蒋中伟
关键词:太阳电池计算机模拟
掺锗CZSi禁带宽度的变化
采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000-2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度...
牛新环张维连吕海涛蒋中伟王雅欣
关键词:直拉法晶体生长禁带宽度
文献传递
蓝宝石衬底与GaN外延层中缺陷与杂质的研究
本文用化学腐蚀法对CZ法生长的φ50mm蓝宝石单晶中的位错和缺陷进行了分析研究,并采用金相显微镜和SEM对其进行了显微观察和分析.进行了不同温度、不同的试剂以及不同的腐蚀时间条件下的缺陷显示实验.发现,用熔融的KOH腐蚀...
吕海涛
关键词:GAN位错
文献传递
掺锗CZSi禁带宽度的变化被引量:1
2004年
采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000~2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图,得到了不同锗浓度样品的禁带宽度值.结果发现,随锗浓度的提高,样品的禁带宽度逐渐减小.这结论与理论结果相吻合.
牛新环张维连吕海涛蒋中伟王雅欣
关键词:直拉法晶体生长禁带宽度
共1页<1>
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