周桃飞
- 作品数：6 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 锰位Cu离子掺杂对层状锰氧化物La_(1.2)Ca_(1.8)Mn_2O_7电磁性能的影响被引量：4
- 2005年
- 研究了Cu离子掺杂对层状钙钛矿结构锰氧化物La1 .2 Ca1 .8Mn2 O7电磁性能的影响。观察到低含量Cu掺杂样品铁磁性减弱 ,出现金属 -绝缘转变与团簇玻璃态行为 ;高含量Cu掺杂样品为绝缘体 ,出现顺磁与自旋玻璃态行为。相对小极化子跃迁模型或热激活半导体带隙模型而言 ,可变程跃迁模型更好地描述了载流子在顺磁状态的电输运机制。
- 陈春霞陈春霞章建辉钱天周桃飞
- 关键词：锰氧化物电磁性能
- 钙钛矿锰氧化物外延薄膜和异质结制备及相关物性研究
- 锰氧化物因其超大磁电阻效应在磁存储，磁传感器件，自旋阀，自旋晶体管等方面有着广泛的应用前景;而高质量薄膜样品的制备及其各种性质的探索和研究，对这类材料走向器件应用是至关重要的。近来，由于薄膜制备技术的提高，人们在纳米尺度...
- 周桃飞
- 关键词：锰氧化物磁电阻效应应力弛豫
- 基于硝酸钾溶液的GaN电化学刻蚀技术被引量：3
- 2019年
- 采用基于硝酸钾溶液的电化学刻蚀工艺,通过横向刻蚀牺牲层的方法,在金属有机化学气相沉积法生长的氮化镓(GaN)外延层上实现了纳米孔与纳米薄膜两种结构。通过扫描电子显微镜(SEM)对GaN的表面和截面进行了对比表征。结果表明,由于在刻蚀过程中氧气的产生,相比于稳定性很好的SiO2,易于氧化剥落的光刻胶在大电压刻蚀下存在着明显的缺陷;在刻蚀电压为12~22 V时牺牲层可以被刻蚀出纳米孔结构,且随着电压的增加刻蚀孔也会增大;在刻蚀电压为23 V及以上电压时牺牲层被完全去除;刻蚀过程中刻蚀速率逐渐降低,100μm的纳米薄膜可在270 s时制作完成。
- 李昂王伟凡周桃飞周桃飞王建峰
- 关键词：电化学刻蚀硝酸钾
