姜爽
- 作品数：11 被引量：0H指数：0
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- 一种倒装纳米LED芯片及其制备方法
- 本发明公开了一种倒装纳米LED芯片及其制备方法。本发明的倒装纳米LED芯片包括：外延芯片部分、衬底和倒装焊接部分；位于衬底上的外延芯片部分倒扣在倒装焊接部分上。本发明采用“自上而下”的制备方法有效地控制了单根纳米柱的尺寸...
- 陈志忠焦倩倩姜显哲姜爽李俊泽李顺峰张国义
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- 一种激光剥离薄膜LED及其制备方法
- 本发明公开了一种激光剥离薄膜LED及其制备方法。本发明的激光剥离薄膜型LED的芯片单元包括：n型层、量子阱、在量子阱上的p型层、在p型层上镶嵌的周期性的金属纳米结构、p电极、绝缘层及n电极，上述结构倒扣在衬底上；以及在芯...
- 陈志忠焦倩倩姜爽付星星姜显哲马健张国义
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- 表面等离激元耦合量子阱增强绿光LED发光效率的研究
- 表面等离激元(SP)是金属/介质界面上金属电子的集体振荡模式.美国加州理工的Okamoto等人报道了在LED表面的适当距离上蒸镀金属薄膜,得到了17倍光致发光(PL)的增强[1].一般地认为,SP提供了LED非辐射复合能...
- 陈志忠姜爽李俊泽焦倩倩马健冯玉龙沈波张国义
- 一种基于阳极氧化铝的纳米压印模板的制备方法
- 本发明公开了一种基于阳极氧化铝的纳米压印模板的制备方法。本发明采用普通的铝片并采用阳极氧化方法制备具有周期性的纳米孔洞阵列的纳米压印模板，图形简单费用便宜，巧妙降低了纳米压印模板的制备成本；采用阳极氧化铝AAO方法，可以...
- 陈志忠蒋盛翔付星星姜显哲姜爽冯玉龙康香宁于彤军张国义
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- GaN基微米LED大注入条件下发光特性研究
- 2012年
- 利用变注入强度的电致发光(EL)测试和数值模拟方法研究了微米LED大注入条件下的发光特性。EL测试结果显示,微米LED(10μm)在工作电流密度高达16kA/cm2时光功率密度输出未饱和,同时不存在明显的由于自热效应引起的发光波长红移。和300μm LED相比,相同注入水平下,10μm LED的EL峰值波长相对蓝移,表明微米LED中存在应力弛豫,10μmLED相对300μm LED应力弛豫大了约23%。APYSY模拟发现,由于应力弛豫和良好的电流扩展,微米LED中电流分布和载流子浓度更加均匀,这种均匀的分布使得微米LED具有高的发光效率,同时能够承受高的电流密度。
- 王溯源陶岳彬陈志忠俞锋姜爽张国义
- 关键词：GAN
- 一种激光剥离薄膜LED及其制备方法
- 本发明公开了一种激光剥离薄膜LED及其制备方法。本发明的激光剥离薄膜型LED的芯片单元包括：n型层、量子阱、在量子阱上的p型层、在p型层上镶嵌的周期性的金属纳米结构、p电极、绝缘层及n电极，上述结构倒扣在衬底上；以及在芯...
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- 湿法腐蚀对GaN基垂直结构LED性能的影响
- 本文研究了利用热的纯磷酸溶液腐蚀GaN基垂直结构LED产生的影响.利用MOCVD在蓝宝石上生长LED结构,然后通过键合和激光剥离技术将外延层转移到钨铜衬底上并去掉蓝宝石衬底,露出N极性GaN.LED芯片的大小为1000×...
- 马健于彤军张国义陈志忠朱威頔姜显哲姜爽李俊泽焦倩倩蒋盛翔杨志坚
- 一种火山口型图形化蓝宝石衬底及其制备方法
- 本发明公开了一种火山口型图形化蓝宝石衬底及其制备方法。本发明采用普通的商用微米PSS衬底作为压印模板，而非订制加工的压印模板，图形简单费用便宜，巧妙解决了压印模板制备困难且成本高昂的问题；同时利用纳米压印技术制备环形掩模...
- 陈志忠蒋盛翔姜显哲付星星姜爽于彤军张国义
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- 纳米压印方法制备的纳米柱LED发光增强机制研究
- 近年来,对于GaN基纳米柱发光二级管(LED)的探索有了突飞猛进的发展.纳米柱LED相比于大尺寸LED具有很多突出优点,比如位错密度低,应力失配小,注入效率高,大注入下高效工作,消除导波模式等等.GaN基纳米柱LED的制...
- 焦倩倩陈志忠姜显哲姜爽李俊泽马健
- 一种倒装纳米LED芯片及其制备方法
- 本发明公开了一种倒装纳米LED芯片及其制备方法。本发明的倒装纳米LED芯片包括：外延芯片部分、衬底和倒装焊接部分；位于衬底上的外延芯片部分倒扣在倒装焊接部分上。本发明采用“自上而下”的制备方法有效地控制了单根纳米柱的尺寸...
- 陈志忠焦倩倩姜显哲姜爽李俊泽李顺峰张国义
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