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孙向阳

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇双极性
  • 1篇双极性晶体管
  • 1篇闩锁
  • 1篇晶体管
  • 1篇IGBT

机构

  • 1篇西安交通大学

作者

  • 1篇罗晋生
  • 1篇孙向阳
  • 1篇高玉民

传媒

  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇1995
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
IGBT闩锁现象的解析模拟被引量：1
1995年
本文从ＩＧＢＴ发生闩锁的机理出发，推导出ＩＧＢＴ结构中两个寄生双极晶体管的共基极电流放大系数及ＮＰＮ管基区横向电阻值随电流密度变化的解析模型，并据此对条形和矩形元胞结构的ＩＧＢＴ器件编制了闩锁电流分析计算程序，取得了与国外报道相一致的结果。
孙向阳高玉民罗晋生
关键词：IGBT双极性晶体管闩锁晶体管
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共1页<1>
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