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宋志忠

作品数：10 被引量：24H指数：2
供职机构：兰州大学核科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇理学
  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇氮化
  • 4篇氮化硼
  • 3篇氮化硼薄膜
  • 3篇立方氮化硼
  • 3篇立方氮化硼薄...
  • 3篇非晶
  • 3篇A-SI:H
  • 3篇H
  • 2篇氢化非晶硅
  • 2篇非晶硅
  • 2篇A-SI
  • 2篇掺杂
  • 2篇X
  • 1篇导体
  • 1篇异质结
  • 1篇织构
  • 1篇硼扩散
  • 1篇氢含量
  • 1篇缺陷态
  • 1篇热平衡

机构

  • 10篇兰州大学

作者

  • 10篇宋志忠
  • 6篇陈光华
  • 6篇张仿清
  • 4篇郭永平
  • 2篇徐进章
  • 1篇贺德衍
  • 1篇姚江宏

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇兰州大学学报...
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇’94秋季中...

年份

  • 1篇1997
  • 4篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1993
  • 2篇1990
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硼对a-Si: H薄膜中氢含量的影响
1997年
应用核反应分析法（ＮＲＡ）测量了反应溅射法制备的ａ－ＳｉＨ（Ｂ）薄膜中Ｂ和Ｈ的含量．结果表明：当掺杂比率Ｙｇ（＝［Ｂ２Ｈ２］／（［Ａｒ］＋［Ｈ２］））由１０－６增大到１．４×１０－２时，样品中的硼含量ｃＢ由１．０×１０１８线性增大到１．４×１０２２ａｔｃｍ－３；而氢含量的变化分为三个区域：在微掺硼情况（Ｙｇ＝１０－６），样品中氢含量较未掺硼时高出１０％；当Ｙｇ＝１０－６到１０－３变化时，Ｈ含量ｃＨ由２８％线性减少到１７％；在Ｙｇ＝１０－３时，Ｈ含量达极小值，此后，Ｙｇ增大，Ｈ含量随之增大．
徐进章宋志忠
关键词：硼掺杂氢含量硅
薄膜物理乃其应用讲座第四讲立方氮化硼薄膜的研究现状及其应用前景被引量：20
1995年
立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）具有一系列优异的物理化学性质，如高的硬度，宽的带隙，高的电阻率，高的热导率，高的热稳定性、化学稳定性，在力学、光学和电子学等方面有广泛的应用前景。从立方氮化硼薄膜的性质，制备方法，目前研究工作的进展，存在的主要问题，以及应用前景等方面介绍这种新型功能材料。
宋志忠郭永平张仿清陈光华
关键词：立方氮化硼
氢化非晶硅中硼扩散引为和掺硼氢化非晶硅碳中缺陷态的热平衡引为的研究
宋志忠
a－Si：H和a－SiC：H薄膜掺杂效率的研究被引量：1
1995年
本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉｃ：Ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明，（１）杂质激活过程是伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于，（３）在高温区掺杂效率达到一饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型，我们解释了上述实验结果。
宋志忠徐进章张仿清陈光华
关键词：非晶态半导体
立方氮化硼薄膜的织构生长被引量：4
1995年
立方氮化硼(C-BN)除了具有一系列类似于金刚石的优异的物理化学性质,如高硬度(仅次于金刚石),宽带隙(E_g≈6.6eV),高的电阻率和高的热导率外,还具有一些优于金刚石的性质,如比金刚石高的热稳定性和化学稳定性,容易实现p型和n型掺杂(而金刚石的n型掺杂国际上至今尚未实现),与Si,GaAs更接近的热膨胀系数.因此,C-BN在力学、光学、热学、电子学等方面有着极其广泛的应用前景.其中最为诱人的前景是在电子学方面,首先作为一种易于p型,n型掺杂的宽带隙半导体材料,它可以应用于高温、高频、大功率。
陈光华郭永平张仿清宋志忠
关键词：立方氮化硼氮化硼
a－Si：H／a－SiC＿x：H超晶格的界面特性
1994年
报道等离子体化学汽相沉积法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＣ：Ｈ超晶格的蓝移现象，用小角度Ｘ射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现，超晶格界面附近存在较高浓度的Ｈ和较多的Ｓｉ－Ｃ键，界面Ｈ的热稳定性较差，界面缺陷态密度为１．２×１０￣（１１）ｃｍ￣（－２）。
陈光华郭永平姚江宏宋志忠张仿清
关键词：氢化非晶硅超晶格
B掺杂a-SiC:H/本征a-Si:H异质结中的B扩散被引量：1
1990年
本文用~11B(p,a)~8Be(E_r=163keV)核反应分析方法,研究不同生长温度和退火温度对a-SiC:H(B)/a-Si:H异质结构中B原子浓度剖面分布的影响,由B原子浓度剖面分布的变化,分别估算了B在a-Si:H生长和退火过程中的扩散系数,结合电导率随膜厚度变化的测量,并依据最新提出的热平衡缺陷观点,对B的扩散过程作了分析。
张仿清贺德衍宋志忠柯宁陈光华
关键词：掺杂异质结扩散
立方氮化硼薄膜的织构生长
宋志忠郭永平
关键词：氮化硼织构
a-SiGe_x 合金光学常数的研究
1993年
本文通过拚射及透射谱测量,利用关系式(1-R)/T 和(1+R)T 代替参量 R 和 T 的办法,计算a-SiGe_x∶H 合金的光学常数(折射率 n,消光系数 K).我们利用所取得的实验数据,得到了不同 Ge 含量对 a-SiGe_x∶H 合金光学常数的影响,讨论了 Ge 原子进入 a-Si:H 网络引起的 a-SiGe:H 合金结构及光学特性的变化.
张仿清郭永平宋志忠陈光华
关键词：光学常数硅锗合金
立方氮化硼薄膜的制备和特性研究
宋志忠
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