张丽珠
- 作品数：16 被引量：48H指数：4
- 供职机构：中国科学技术大学研究生院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 大气中长期存放与长时间热氧化后多孔硅光致发光峰能量的会聚
- 1995年
- 改变阳极氧化的工艺条件,制备出光致发光峰能量位于1.4—2.0eV范围内的大量多孔硅样品,其中45块样品在大气中存放一年,102块样品在200℃下热氧化(累计达200小时).在上述两种情况下,光致发光峰能量在氧化后都会聚到1.70—1.75eV能量范围.假设在充分氧化的多孔硅中包裹纳米硅的氧化层中,存在发光能量处于～1.70—1.75eV的发光中心,上述实验结果可以用量子限制/发光中心模型解释.
- 张伯蕊张丽珠宋海智姚光庆段家忯泰国刚
- 关键词：光致发光多孔硅热氧化
- 氢氟酸电解腐蚀硅制备的量子线阵的光致发光被引量：9
- 1992年
- 在氢氟酸溶液中电解腐蚀作为阳极的单晶硅,制备了硅量子线阵.根据其光致发光谱估算了量子线横截面平均边长为2.4—3.1纳米.研究了光致发光带的峰位对单晶硅电阻率,电解液成分,电解电流密度及电解时间等量的依赖关系.
- 张丽珠段家怟张伯蕊金鹰秦国刚
- 关键词：氢氟酸电解
- 高T_c YBa_2Cu_3O_x超导体中铜的价态的荧光光谱研究被引量：3
- 1989年
- La-Ba-Cu-O复合氧化物高温超导现象的发现,引起了全世界对超导研究的强烈兴趣。大量的研究结果表明:这种高T_c超导材料的主要物相是具有钙钛矿结构的正交晶型的YBa_2Cu_3O_x。这一物相中氧的缺陷情况和铜的价态与超导性质密切相关,一般认为Cu^(2+)和Cu^(3+)同时存在。根据荧光谱的测定,在390nm处观察到一个发射峰,意味着在此超导物相中有Cu^+存在。
- 宋增福张丽珠刘会洲王加赋林应章黄竹坡徐端夫吴瑾光徐光宪
- 关键词：超导体铜钇
- 大气中Pd-H(D)系中H(D)的释放及其表面附近H的分布被引量：1
- 1991年
- 将经过950℃热处理后缓慢冷却及淬火处理的Pd样品,分别作为阴极在重水(D_2O)和轻水(H_2O)中进行150h电解,以引入H和D。用X射线衍射方法测量Pd-H(D)系存放于大气中经过不同时间后的衍射图及β相晶格常数的变化,并用~1H(^(19)F,ar)^(16)O核反应测量H在各Pd-H(D)系表面层中的分布。淬火Pd与退火Pd相对比,在电解吸H(D)后,前者初始含H(D)百分比较高而H(D)的释放速度较快。H的浓度在Pd-H合金的表面处达到极大值而在离表面深度为数百埃处达到极小值。
- 秦国刚彭清智傅济时张丽珠张伯蕊
- 关键词：金属晶格
- 发可见光多孔硅的电子顺磁共振研究被引量：1
- 1993年
- 本文研究了发可见光的多孔硅薄膜及其粉末的电子顺磁共振(EPR)信号。采用不同电阻率和不同晶向的硅单晶衬底,经过不同条件的阳极氧化制成多孔硅薄膜,其光致发光峰在可见光范围,其EPR信号(标记为PK6)来自三角轴对称的自旋中心,对称轴方向是衬底晶格的〈111〉晶向。该结果说明多孔硅中保留着单晶硅成份。分析PK6的对称性及其g张量主值发现它很可能是硅悬键。多孔硅粉末的EPR信号表现为PK6信号的无规取向平均谱。
- 贾勇强傅济时毛晋昌吴恩张伯蕊张丽珠秦国刚
- 关键词：多孔硅顺磁共振发光
- 多孔硅蓝光发射与发光机制被引量：16
- 1996年
- 在制备出光致发光能量为２．７ｅＶ的发射蓝光多孔硅的基础上对它进行了较系统的研究：测量了它的光致发光时间分辨光谱，用傅里叶交换红外光谱分析了其表面吸附原子的局域振动模，研究了Ｙ射线辐照对其发光的影响，并与发红、黄光的多孔硅作了对比，通过空气中长期存放、激光和紫外线照射的方法，研究了光致发光峰能量为２．７ｅＶ的多孔硅发光稳定性．我们及其它文献中报道的多孔硅蓝光发射的实验结果与量子限制模型矛盾，但能用量子限制／发光中心模型解释．我们认为多孔硅的２．７ｅＶ发光是多孔硅中包裹纳米硅的ＳｉＯ＿ｘ层中某种特征发光中心引起的．
- 林军张丽珠陈志坚宋海智姚德成段家忯傅济时张伯蕊秦国刚
- 关键词：多孔硅蓝光发射发光机制
- 氧与激光辐照对多孔硅光致发光光谱的影响被引量：2
- 1992年
- 将化学腐蚀后的多孔硅样品分别置于大气和氧气中,用激光连续辐照其表面.观察到多孔硅的光致发光光谱峰位随辐照时间增加发生蓝移,最后达到稳定,在真空中作同样处理的多孔硅光致发光峰位却没有移动.X射线光电子谱测量结果表明,在大气及氧气中激光辐照的多孔硅层内并未探测到二氧化硅,结合红外吸收光谱实验,认为蓝移的原因可能是氧置换了多孔硅内表面的硅,出现Si-O-Si结构的结果.
- 段家怟毛晋昌张丽珠张伯蕊秦国刚
- 关键词：多孔硅光致发光激光辐照氧硅
- 多孔硅光致发光谱中双峰结构随激发光波长的变化与发光机制被引量：3
- 1995年
- 在室温下系统地观测了多孔硅样品的光致发光谱随激发光波长的变化．在激发波长为２６０—３２０ｎｍ范围内，光致发光谱出现明显的双峰结构，两峰峰位分别位于６１０ｎｍ和７００ｎｍ波长附近．当激发波长由２６０ｎｍ开始逐渐增加时，短波峰与长波峰强度之比先增加，随后达极大值，它略大于１，以后，此比值急剧减小，逐渐趋于零，即只存在单一长波峰．以上现象难于用量子限制模型解释．假设在包围纳米硅粒的二氧化硅层中存在两种发光中心，可以用量子限制／发光中心模型来解释上述实验现象．
- 段家忯姚光庆张丽珠张伯蕊宋海智秦国刚
- 关键词：多孔硅光致发光谱发光波长
- 激光促进多孔硅内表面氧化与光致发光的退化
- 1993年
- 本文对刚制备的以及分别经以下三种情况:1.样品在1大气压的氧气中经激光(Ar^+激光器的48.80nm线,功率密度为1.77W/cm^2)连续照射1小时;2.样品在1大气压的氧气中在没有激光照射的情况下保持1小时;3.样品在1.3×10~2Pa真空度下用激光连续照射1小时处理后的多孔硅在室温下进行了光致发光谱和傅里叶变换红外吸收测量,研究了处理前后光谱的变化。实验发现经第一种情况处理后光致发光峰位蓝移了约0.1eV,发光强度衰减了二十几倍,相应的其红外光谱中与氧有关的吸收峰强度大幅度增长,而经第二,三两种情况处理后它们的光致发光及红外吸收谱则无大的变化。研究表明在氧气中激光辐照能大大加速多孔硅内表面的氧化。我们认为很可能是多孔硅内表面的氧化作用使光致发光峰位蓝移,由氧化作用产生的非辐射复合中心导致光致发光效率的下降。
- 张丽珠毛晋昌段家怟张伯蕊秦国刚朱培新
- 关键词：光致发光红外吸收
- 砷化镓离子注硅用不同退火方法 退火后的光荧光特性研究
- 1989年
- 本文对砷化镓离于注硅用SiO_2和Si_3N_4包封及无包封退火后的样品作了低温光荧光测量,发现这三种样品测得的光荧光谱有很大差别.荧光测量结果很好地说明了这些样品电学性能不同的原因.
- 张丽珠张伯蕊罗海云
- 关键词：砷化镓离子注入硅退火荧光光谱
- 全文增补中
