张发培
- 作品数：26 被引量：15H指数：2
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- Co/GaAs(100)界面形成以及Co超薄膜磁性质的研究被引量：3
- 1998年
- 利用同步辐射光电发射和铁磁共振（ＦＭＲ）研究了Ｃｏ／ＧａＡｓ（１００）界面形成以及Ｃｏ超薄膜的磁性质．结果表明，在低覆盖度（约为０２ｎｍ）下，Ｃｏ吸附原子与衬底发生强烈的界面反应，在覆盖度为０９ｎｍ时，形成稳定的界面．从衬底扩散出的Ｇａ原子与Ｃｏ覆盖层合金化，而部分Ａｓ原子与Ｃｏ原子发生反应，形成稳定的键合，这些反应产物都停留在界面处很窄的区域（０３—０４ｎｍ）内．另一部分Ａｓ原子偏析在Ｃｏ覆盖层表面．结合理论模型，详细地讨论了界面结构及Ｇａ，Ａｓ原子的深度分布．ＦＭＲ结果表明，生长的Ｃｏ超薄膜具有较好的单晶特性和化学均一性．
- 张发培徐彭寿徐发强陆尔东孙玉明张新夷朱警生梁任又
- 关键词：多层膜超薄膜磁性质
- 高J_cBi-2223银包套带材的电阻转变展宽与磁通钉扎
- 1996年
- 系统地研究了高ＪｃＢｉ－２２２３相银包套带材在０－１Ｔ磁场下的电阻转变展宽。实验结果表明，Ｂｉ－２２２３带材的电阻转变具有热激活的性质，研究了磁钉扎势与温度的关系，得到了电阻转变曲线的温度关系为Ｒ（Ｔ）＝Ｒ０ｅｘｐ｛－０）１－Ｔ／Ｔｃ）＾ｎ／ｋＴ｝，其中磁场平行于ａｂ面时，ｎ＝４．５；磁场垂直于ａｂ面时，ｎ＝３。
- 姜建义胡安明孙玉平张发培杜家驹
- 关键词：高TC铋磁通钉扎超导体
- Fe/S钝化GaAs（100）界面特性对Fe薄膜磁性质的影响
- 张发培徐彭寿郭红志祝传刚陆尔东张新夷
- 关键词：FE砷化镓磁化强度
- 稀土金属Tb在GaAs(100)表面的吸附及其界面形成的研究
- 2000年
- 利用同步辐射光电子能谱技术研究了Tb/GaAs(10 0 )界面的吸附过程和界面形成。通过对价带谱及高分辨率的Ga,As芯能级谱的研究表明 ,在较低的覆盖度下 (<0 2nm) ,Tb与GaAs衬底的反应很弱 ,形成较突变的金属 /半导体界面。当Tb的覆盖度增加时 ,As 3d和Ga 3d的表面发射峰很快消失 ,Tb与衬底发生反应 ,置换出Ga而与As形成化学键。同时Ga原子会向Tb薄膜内扩散并偏析到表面 ,而Tb As化合物只停留在界面附近区域。当Tb淀积到 0 6nm时 ,Tb膜金属化。
- 郭红志张发培潘海斌孙玉明许保宗徐彭寿
- 关键词：铽砷化镓半导体
- Cr/GaAs(100)界面形成和界面反应的SRPES研究
- 1998年
- 利用同步辐射光电发射研究了Ｃｒ／ＧａＡｓ（１００）界面形成和结构．室温下，当Ｃｒ覆盖度低于０．２ｎｍ时，Ｃｒ与ＧａＡｓ衬底的作用很弱，没有反应产物生成．覆盖度高于０．２ｎｍ时，开始发生界面扩散和反应，Ａｓ原子与Ｃｒ生成稳定的ＣｒＡｓ化合物，而Ｇａ原子则与Ｃｒ形成组分变化的ＣｒＧａ合金相，并居于界面处．提高界面形成温度可显著地加剧界面混合和反应，引起表面偏析Ａｓ的出现．芯能级谱的结合能与强度分析表明，反应产物可作为有效的势垒（化学陷阱），阻止衬底的Ｇａ的外扩散．此外还比较了Ｃｒ与ＧａＡｓ（１００）及ＧａＡｓ（１１０）界面形成及反应的差别．
- 张发培徐彭寿徐世红陆尔东余小江张新夷
- 关键词：砷化镓铬
- 基于新型有机半导体的高性能自旋阀器件及其自旋传输特性的研究
- 张发培李峰李田陈峰
- 硫钝化对Fe、Co/GaAs(100)界面形成和磁性质的影响
- 2000年
- 利用同步辐射和铁磁共振研究了经硫代乙酰胺硫钝化处理的GaAs(1 0 0 )表面生长的Fe、Co超薄膜与衬底的界面形成及磁性 .实验结果表明 ,硫钝化能阻止As向Fe、Co超薄膜扩散 ,减弱As和Fe、Co的相互作用并增强在GaAs(1 0 0 )
- 徐彭寿张发培陆尔东徐法强潘海斌张新夷
- 关键词：硫钝化磁性砷化镓
- 氧与bcc相Co(100)表面相互作用的光电发射研究(英文)
- 1999年
- 通过在GaAs（100）表面生长具有弱有序的bcc相Co超薄膜，利用同步辐射光电发射和XPS，研究了室温下不同氧暴露量时Co膜的氧吸附行为。价带谱和Co3p发射谱结果表明，当暴露氧量低于4L时，氧解离吸附;更高的氧暴露量导致表面CoO相的成核与生成。退火温度超过470K后，氧以原子形式向Co基体中扩散。O1sXPS谱分解显示，存在着对应于不同氧吸附位的两种氧物种。
- 张发培徐鹏寿徐法强陆尔东余小江张新夷
- 关键词：氧光电发射XPS超薄膜
- 高度取向的半导体聚合物薄膜的溶液浸涂法生长及其电荷传输特性研究
- 2017年
- 有效地控制有机半导体分子取向和堆积特性对实现高性能电子器件具有非常重要的意义,而发展简便高效的溶液相成膜技术是实现这一目的的重要途径.本文采用改进的溶液浸涂法,成功地成长出大面积宏观取向的半导体聚合物P(NDI2OD-T2)和PTHBDTP薄膜.偏光显微镜和极化的紫外-可见光吸收谱测量显示,薄膜中聚合物分子主链骨架沿成膜时液面下移方向择优取向.原子力显微镜观察到聚合物薄膜由纳米尺度的取向有序晶畴构成,畴的取向与分子链的取向一致.采用衬底-溶液界面处表面张力和溶剂蒸发诱导的分子自组织过程来解释浸涂法生长聚合物取向薄膜的微观机理.使用取向的P(NDI2OD-T2)薄膜制备场效应晶体管,显著地提高了电子迁移率(可达4倍),并实现高达19的迁移率各向异性度.这可归因于共轭的聚合物主链骨架择优取向引起电荷传导通路的变化.
- 潘国兴李田汤国强张发培
- 关键词：分子取向有机场效应晶体管
- 化学气相沉积制备毫米级单晶石墨烯的生长条件调控研究被引量：2
- 2017年
- 石墨烯的形核和生长动力学过程的控制对于单晶石墨烯的制备有着至关重要的影响。采用低压化学气相沉积(CVD)方法,通过优化生长条件参数,在铜箔衬底上生长出4mm左右的大尺寸单晶石墨烯。通过一系列形貌和结构的表征,证明了样品为高质量的单层单晶石墨烯。同时观察到CVD生长的亚毫米级、A-B型堆垛的多层单晶石墨烯畴,以及由单晶石墨烯共生形成的叠层结构。此外通过采用3种类型的铜箔衬底生长石墨烯,发现铜箔特性如体氧含量等对石墨烯成核密度和单晶石墨烯形貌有重要的影响,并观察到不同类型铜箔的晶面择优取向在CVD生长前后发生不同的转变。最后,利用所生长的大尺度单晶石墨烯制备场效应晶体管,实现高的载流子迁移率。
- 周国庆胡林魏凌志张发培
- 关键词：化学气相沉积场效应晶体管
