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张平德

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇碳化硅
  • 2篇肖特基
  • 2篇SIC
  • 1篇势垒
  • 1篇碳化硅器件
  • 1篇终端
  • 1篇肖特基二极管
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇佳境
  • 1篇渐入佳境
  • 1篇功率器件
  • 1篇硅器件
  • 1篇二极管
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇张平德
  • 2篇张波
  • 2篇李肇基
  • 1篇方健
  • 1篇罗卢杨

传媒

  • 1篇世界产品与技...
  • 1篇中国电工技术...

年份

  • 3篇2000
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
SiC高压肖特基二极管特性研究
本文比较了SiC高压肖特基热垒二极管与Si基肖特基二极管导通电阻与击穿电压的矛盾关系.通过修正二维数值模拟器MEDICI中关于SiC的参数和模型,对SiC肖特基二极管进行了准确的模拟分析.本文首次将阶梯掺杂终端用于SiC...
罗卢杨张平德张波李肇基
关键词：肖特基二极管碳化硅
文献传递
SiC高压肖特基势垒二级管特性研究
该文简述了SiC高压肖特基垫垒二极管的正向特性与发展现状,利用器件模拟软件MEDICI对4H-SiC高压肖特基垫垒二极管的正向特性和阻断特性进行了分析;对中性离子注入高阻终端与金属场板终端进行了模拟讨论;提出并模拟分析了...
张平德
关键词：SIC终端
文献传递
新一代碳化硅器件渐入佳境被引量：3
2000年
作为宽带半导体中发展最为成熟的SiC器件,是目前半导体领域最受人关注的热点器件和前沿研究领域之一,其在大功率、高频、耐高温、抗辐射和抗腐蚀等方面具有的巨大应用潜力,使其成为潜在的高功率、耐高温、抗辐射性能强的新一代功率半导体器件。
张波李肇基罗卢扬张平德阎飞方健
关键词：碳化硅器件功率器件半导体器件
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