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张照云
作品数:
72
被引量:24
H指数:2
供职机构:
中国工程物理研究院电子工程研究所
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发文基金:
中国工程物理研究院电子工程研究所科技创新基金
中国工程物理研究院科学技术发展基金
中国人民解放军总装备部预研基金
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相关领域:
电子电信
电气工程
理学
自动化与计算机技术
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合作作者
苏伟
中国工程物理研究院电子工程研究...
熊壮
中国工程物理研究院电子工程研究...
彭勃
中国工程物理研究院电子工程研究...
唐彬
中国工程物理研究院电子工程研究...
高杨
重庆大学光电工程学院光电技术及...
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机构
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中国工程物理...
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作者
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张照云
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苏伟
36篇
熊壮
34篇
彭勃
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唐彬
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高杨
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陈颖慧
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刘显学
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许蔚
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赵兴海
7篇
赵翔
7篇
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高扬
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一种基于五层SOI硅片的MEMS单片集成方法
本发明公开了一种基于五层SOI的MEMS单片集成方法,包括:在硅片上采用标准的SOI CMOS工艺完成集成电路部分的制作;在硅片上淀积钝化层保护集成电路部分;在硅片背面光刻,刻蚀背面硅至绝缘层,并刻蚀暴露出的绝缘层;在硅...
张照云
唐彬
苏伟
陈颖慧
彭勃
高扬
熊壮
文献传递
激光自混合变速测量的离散Chirp-Fourier变换方法
对激光自混合用于变速运动物体的速度测量进行了探索。建立了激光自混合用于变速测量的数学模型;提出了基于该模型的特征参量提取方法,该方法基于离散Chirp-Fourier变换理论。对激光自混合输出信号进行离散Chirp-Fo...
张照云
高杨
赵兴海
赵翔
关键词:
离散CHIRP-FOURIER变换
快速傅里叶变换
自混合干涉
激光测量
文献传递
石英摆式加速度计及其制备方法
本发明公开了一种石英摆式加速度计,包括上极板、中间极板和下极板,所述上极板和所述下极板均由键合区、电容平板区和电极引线区组成,所述键合区围在所述电容平板区的四周,所述电极引线区一端悬空,另一端穿过所述键合区与所述电容平板...
张照云
苏伟
唐彬
许蔚
熊壮
文献传递
一种基于五层SOI硅片的MEMS单片集成结构
本实用新型公开了一种基于五层SOI的MEMS单片集成结构,包括:在硅片上采用标准的SOI?CMOS工艺完成集成电路部分的制作;在硅片上淀积钝化层保护集成电路部分;在硅片背面光刻,刻蚀背面硅至绝缘层,并刻蚀暴露出的绝缘层;...
张照云
唐彬
苏伟
陈颖慧
彭勃
高扬
熊壮
文献传递
一种高冲击石英微开关
本发明涉及微电子机械系统技术领域,公开了一种高冲击石英微开关。包括由下至上通过键合连接的下极板、中间极板和上盖板。其中,中间极板包括中间基板和设置于中间基板下表面的中间电极层。中间基板包括中间边框、第一质量块和第一悬臂梁...
刘显学
张照云
杨杰
谢晋
双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法
本发明提供了双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法,属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。该加工方法包括:利用双掩膜首先刻蚀硅结构层上的细线宽结构部分,然后...
张照云
彭勃
施志贵
高杨
苏伟
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一种SOI MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护方法
一种SOI?MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护方法,包括在SOI硅片结构层表面进行光刻、采用剥离工艺制作金属电极;在SOI硅片结构层表面溅射金属铝;在SOI硅片结构层表面光刻,定义出MEMS结构图形;腐蚀SOI硅片结构层...
张照云
唐彬
苏伟
陈颖慧
彭勃
高扬
熊壮
文献传递
一种石英微开关
本发明涉及微电子机械系统技术领域,公开了一种石英微开关,该开关包括由下至上通过键合连接的下极板、中间极板和上盖板。其中,中间极板包括中间基板和设置于中间基板下表面的中间电极层;中间基板包括中间边框、质量块和悬臂梁;中间电...
谢晋
刘显学
张照云
杨杰
一体式高冲击石英微开关
本发明涉及微电子机械系统技术领域,公开了一种一体式高冲击石英微开关。基于熔石英基片一体成型的石英微开关主体,石英微开关主体包括基座、悬臂梁、质量块、下极板、下极板悬臂梁和下极板质量块。质量块通过悬臂梁连接至基座的上端,下...
张照云
刘显学
杨杰
谢晋
三轴电容式微加速度计
本发明提供了一种三轴电容式微加速度计,该三轴电容式微加速度计包括:平面检测层、离面检测层、设置在平面检测层与离面检测层之间的基底层以及设置在离面检测层底部的衬底层;平面检测层包括在一个平面内呈正交分布的第一梳齿式微加速度...
唐彬
张照云
谢国芬
刘显学
熊壮
许蔚
苏伟
彭勃
杜连明
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