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张靖漓

作品数：7 被引量：12H指数：2
供职机构：华中理工大学固体电子学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇陶瓷
  • 3篇SR
  • 2篇导体
  • 2篇电子陶瓷
  • 2篇湿敏
  • 2篇感湿机理
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体陶瓷
  • 2篇TIO
  • 2篇LA
  • 2篇X
  • 1篇导电
  • 1篇导电性
  • 1篇电性能
  • 1篇直流特性
  • 1篇射线衍射
  • 1篇湿敏材料
  • 1篇湿敏陶瓷
  • 1篇湿敏特性
  • 1篇陶瓷工艺

机构

  • 6篇华中理工大学
  • 1篇华中科技大学

作者

  • 7篇张靖漓
  • 5篇李标荣
  • 2篇卢跃东
  • 1篇唐超群
  • 1篇曾勇强

传媒

  • 3篇传感技术学报
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇压电与声光

年份

  • 2篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1990
  • 2篇1989
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3湿敏材料的直流特性分析
1992年
本研究工作测量了Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3湿敏陶瓷在直流电场下的电流-时间特性,用等效电路模型进行了分析,并用指数函数对实验曲线进行了拟合,计算了不同湿度下离子电导、电子电导的绝对量和相对量.结果表明,随着相对湿度的增加,离子和电子电导的绝对量均增大,而电子电导所占的比例下降.文中还对材料的导电机制进行了简单的分析讨论.
张靖漓
关键词：直流特性
用复阻抗法分析MgCr-2O_4-TiO_2湿敏陶瓷感湿机理被引量：6
1993年
本文研究了不同湿度条件下MgCr_2O_4-TiO_2的复阻抗平面图及其对应的等效电路图.根据介质极化理论,分析了不同湿度范围内的极化机制,得出结论:相对湿度大于25%RH时,主要是质子(H_3O)^+的电导起作用;相对湿度小于33%RH时,主要是电子电导起作用;两者之间是质子和电子共同起作用.
卢跃东张靖漓李标荣曾勇强
关键词：湿敏陶瓷
La_(1-x)Sr_xFeO_3的导电及感湿机理研究被引量：1
1993年
本文研究了La_(1-x)Sr_xFeO_3的导电特性和湿阻特性.通过正电子湮没谱的研究和导电特性的分析得出以下结论:La_(1-x)Sr_xFeO_3的体导电属“跳跃式”机制,电导率的大小由[Fe^(4+)]决定;吸附水分子的作用类似施主,它使表面Fe^(4+)/Fe^(3+)净比率降低,造成表面载流子浓度减少,使得La_(1-x)Sr_xFeO_3的表面电阻随相对湿度的增大而增大.
李标荣张靖漓唐超群卢跃东
关键词：导电性
Sb^(5+)掺杂对YBa_2Cu_3O_(7-y)高T_c超导陶瓷工艺的影响
1989年
本工作研究了YBa_2Cu_3O_(7-y)超导陶瓷的制备工艺,通过Sb^(5+)掺杂,改善了工艺条件,扩展了烧结温区,制备了T_c为80K的YBa_2Cu_(1-x)Sb_xO_(7-y)(0≤x≤0.15)超导陶瓷材料,并从理论上分析讨论了Sb^(5+)的作用机理。
张靖漓徐家齐李标荣
关键词：超导陶瓷
La_(1-x)Sr_xFeO_3系电子陶瓷的湿敏特性的研究被引量：6
1992年
本工作用固相反应法,合成了 La_(1-x)Sr_xFeO_3(0≤x≤0.7)系电子陶瓷,考察了配方对其湿敏性能的影响,用阻抗分析仪测试了材料的介电谱和复阻抗谱,用非德拜模型对其电特性进行了分析讨论,并推导了等效电路的有关参量。结果表明,La_(1-x)Sr_xFeO_3是一种 n 型半导瓷,LaFeO_3具有负湿阻特性,而 La_(1-x)Sr_xFeO_3(0.1≤x≤0.4)却具有正湿阻特性,且其感湿灵敏度随 Sr 取代量的增加而增大。
张靖漓卢跃东吴国标李标荣
关键词：电性能电子陶瓷
新型锑酸镉电子陶瓷的合成与相变的研究
1990年
本文报道了对新型锑酸镉 Cd_6Sb_2O_(10)半导瓷进行热分析、化学分析和高温 X 射线衍射分析的实验结果,并对它的合成过程和相变进行了系统的分析讨论。结果表明,在以 CdO 和 Sb_2O_5为原料合成 Cd_6Sb_2O_(10)的过程中,温度效应比较显著,反应从1000℃开始,到1200℃结束;Cd_6Sb_2O_(10)在240℃左右发生—结构相变,高温相具有较高的对称性,此相变是可逆的,而且与 Cd_6Sb_2O_(10)半导瓷在中温区的电导特性密切相关。
张靖漓李标荣
关键词：电子陶瓷半导体陶瓷相变
Cd_6Sb_2O_(10)半导瓷的结构分析
1989年
本文报道了对一种新合成的半导体陶瓷Cd_6Sb_2O_(10)进行X射线衍射分析的实验结果。利用图解法和解析法对衍射数据进行了分析和探讨。结果表明,Cd_6Sb_2O_(10)属于四方晶系,晶格常数a=0.9775nm,c=0.8798nm。
张靖漓
关键词：半导体陶瓷X射线衍射
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