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成绍恒

作品数：49 被引量：18H指数：1
供职机构：吉林大学更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金吉林省科技厅科技发展计划项目更多>>
相关领域：一般工业技术化学工程理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 7篇一般工业技术
  • 5篇化学工程
  • 4篇电气工程
  • 4篇理学
  • 3篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 30篇金刚石
  • 30篇刚石
  • 24篇纳米
  • 13篇单晶
  • 12篇纳米金刚石
  • 8篇金刚石单晶
  • 8篇金刚石膜
  • 7篇电化学
  • 7篇离子
  • 6篇电池
  • 6篇锂离子
  • 6篇锂离子电池
  • 6篇离子电池
  • 6篇化学气相
  • 6篇掺杂
  • 5篇等离子体化学...
  • 5篇电池负极
  • 5篇电极
  • 5篇电极材料
  • 5篇复合电极

机构

  • 49篇吉林大学
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇江南大学
  • 1篇徐州工程学院
  • 1篇枣庄学院
  • 1篇信息产业部电...

作者

  • 49篇成绍恒
  • 44篇李红东
  • 37篇王启亮
  • 34篇刘钧松
  • 26篇高楠
  • 6篇吕宪义
  • 6篇马一博
  • 5篇王鹏
  • 4篇邹广田
  • 3篇张鑫
  • 3篇王琛
  • 3篇李柳暗
  • 3篇庄建建
  • 2篇翟秀华
  • 2篇冯晶
  • 2篇崔航
  • 2篇张秋霞
  • 2篇卢冬
  • 2篇崔田
  • 2篇宋婕

传媒

  • 3篇超硬材料工程
  • 1篇电子与封装

年份

  • 4篇2024
  • 5篇2023
  • 5篇2022
  • 6篇2021
  • 3篇2020
  • 7篇2019
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2009
  • 1篇2008
共 49 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种碳包覆硅和氧化锌复合电极材料的制备方法
本发明的一种碳包覆硅和氧化锌复合电极材料的制备方法属于锂离子电池负极材料的技术领域，主要步骤包括将CTAB、NaOH和EDA的乙醇溶液在搅拌下依次滴入Zn(AC)<Sub>2</Sub>·2H<Sub>2</Sub>O的...
李红东孙小晨刘钧松高楠王启亮成绍恒
文献传递
CVD金刚石单晶生长及金刚石晶体管的研究
金刚石兼具多方面优异性质，是最重要的半导体材料之一，在众多领域具有十分重要的应用价值。近年来，高品质化学气相沉积（CVD）金刚石单晶的生长及高性能金刚石半导体器件的研究，成为金刚石领域前沿和热点研究课题。 高品质CVD金...
成绍恒
关键词：单晶金刚石MPCVD
文献传递
一种用于检测双酚A的适配体传感器及其制备方法
本发明的一种用于检测双酚A的适配体传感器及其制备方法，属于电化学生物传感器的技术领域。双酚A适配体传感器是在掺硼金刚石膜(1)上沉积有金纳米颗粒(2)，在金纳米颗粒上自组装适配体(3)，并有巯基己醇(4)占据金纳米颗粒上...
李红东马一博刘钧松王启亮成绍恒
文献传递
金刚石网及其分离油水混合物和转移液滴的应用
本发明的金刚石网及其分离油水混合物和转移液滴的应用，属于材料表面浸润性质应用的技术领域。金刚石网由金属网衬底与金刚石涂层构成；金刚石涂层是连续的CVD金刚石膜，并经过氢终止或氧终止表面处理；金属网衬底是微米孔径尺寸的铜网...
李红东杨怡舟刘钧松崔航马一博成绍恒王启亮崔田
文献传递
采用电沉积制备ZnO@BDD薄膜的方法
本发明提供了一种采用电沉积制备ZnO@BDD薄膜的方法，属于金刚石薄膜技术领域。本发明通过电化学沉积的方法，在掺硼金刚石衬底上制备氧化锌薄膜，形成ZnO@BDD复合结构。在制备氧化锌和掺硼金刚石复合结构薄膜时，沉积电压的...
李红东耿子怡崔政刘尧峰刘钧松高楠成绍恒
一种用于检测黄曲霉毒素B<Sub>1</Sub>的适体传感器及其制备方法
本发明的一种用于检测黄曲霉毒素B<Sub>1</Sub>的适体传感器及其制备方法属于电化学生物传感器的技术领域，所述的传感器是以硼掺杂金刚石薄膜为基底，由适配体/金纳米颗粒/硼掺杂金刚石复合，且由6‑巯基己‑1‑醇占据金...
李红东冯志源王启亮刘钧松高楠成绍恒李志慧
文献传递
在金刚石薄膜上生长微米/纳米结构氧化锌被引量：1
2008年
金刚石是非常重要的宽禁带半导体材料,n-型氧化锌与p-型金刚石的结合成为半导体研究的热点。该研究实现了金刚石薄膜上生长六角纤锌矿结构氧化锌(ZnO)微米/纳米结构。生长初期或ZnO饱和蒸气压较低时,ZnO晶粒多沉积在金刚石薄膜的晶界和棱边处,随着沉积时间的增加或反应气氛中气态ZnO浓度的增加,会有大量微米/纳米结构的ZnO生成,并覆盖整个金刚石薄膜表面。对ZnO在金刚石薄膜表面生长机制及反应气氛对金刚石的钝化作用进行了分析。
吕航成绍恒桑丹丹李红东
关键词：金刚石薄膜半导体
n型ZnO纳米线/p型金刚石异质结的伏安整流特性
采用水热法,在p型掺硼金刚石薄膜(图a所示SEM图)上制备高取向的ZnO纳米线阵列(图b所示SEM图),制作出n型ZnO纳米线/p型金刚石异质结结构(图C所示).n型ZnO纳米线/p型金刚石异质结的Ⅳ特性曲线表现出典型的...
桑丹丹成绍恒王启亮李红东
一种高质量多晶金刚石膜制备方法
本发明的一种高质量多晶金刚石膜制备方法，属于多晶金刚石膜生长的技术领域。主要步骤包括低质量自支撑化学气相沉积金刚石膜的生长、高温退火、超声清洗、MPCVD设备中二次生长等。本发明首先通过高速生长过程获得自支撑金刚石膜，然...
李红东万琳丰王旌丞成绍恒王启亮刘钧松高楠
文献传递
纳米晶石墨/硼掺杂金刚石复合材料的制备和用途
本发明纳米晶石墨/硼掺杂金刚石复合材料的制备和用途，属于功能复合结构及其制备和应用的技术领域。本发明的技术方案是采用CVD法一步生长纳米晶石墨/硼掺杂金刚石(NG/BDD)复合电极，并将其作为电化学电极，检测痕量分子。N...
李红东崔政张秋霞王鹏袁晓溪刘钧松成绍恒王启亮
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