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时宝

作品数:12 被引量:5H指数:2
供职机构:吉林大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金吉林省自然科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇理学
  • 6篇机械工程
  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇光学
  • 3篇探测器
  • 3篇球形
  • 3篇非线性光学
  • 3篇半导体
  • 3篇半绝缘
  • 3篇半绝缘GAA...
  • 3篇半球形
  • 3篇倍频
  • 3篇倍频效应
  • 2篇双光子
  • 2篇双光子吸收
  • 2篇通信
  • 2篇通信系统
  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲测量
  • 2篇光电
  • 2篇光电集成
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器

机构

  • 12篇吉林大学
  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇吉林建筑工程...

作者

  • 12篇时宝
  • 9篇贾刚
  • 8篇刘秀环
  • 8篇陈占国
  • 2篇任策
  • 2篇殷景志
  • 2篇武文卿
  • 2篇张玉红
  • 1篇李一
  • 1篇赵建勋
  • 1篇金亿鑫
  • 1篇朱景程
  • 1篇缪国庆
  • 1篇牟晋博
  • 1篇蒋红
  • 1篇宋航
  • 1篇孙鉴波
  • 1篇曹昆
  • 1篇杜国同
  • 1篇王一丁

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇光学学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇2007年激...
  • 1篇2007年先...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 6篇2007
  • 1篇2006
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响
2006年
通过对InGaAs材料的俄歇(Auger)复合机制的理论分析,给出了少子寿命与材料组分、温度和载流子浓度的关系,从而得到材料参数等对InGaAs探测器的探测率影响的结果,优化材料参数和器件结构可抑制Auger复合机制,提高InGaAs探测器的探测率。
殷景志时宝李龙海王一丁杜国同缪国庆宋航蒋红金亿鑫
关键词:INGAAS探测器探测率
半球形和球形双光子响应半导体光电探测器
本发明具体涉及一种可用于超短光脉冲测量系统、光电集成系统和光通信系统的半球形和球形双光子响应半导体光电探测器。半球形双光子响应半导体光电探测器,由半导体半球(1)、金属电极对(2,2’)和显微物镜(3)组成,其特征在于:...
贾刚陈占国刘秀环时宝
文献传递
硅材料的场致线性电光效应被引量:2
2009年
从经典的极化理论出发,分析了直流电场、低频调制电场和光波电场共同存在时硅材料折射率的变化,从理论上揭示了场致线性电光效应的物理实质。以近本征硅材料为样品,采用金属-绝缘体-半导体样品结构,搭建了由塞纳蒙(Senarmont)补偿器改进成的横向电光调制系统。在硅材料空间电荷区内观测到显著的线性电光调制效应,系统的半波电压小于170 V,从实验上直接证实了硅材料中内建电场诱导的场致线性电光效应的存在。此外还观测到由克尔效应引起的二次电光调制信号,以及由场致光整流效应引起的、随线偏振光的方位角的二倍余弦变化的电信号。实验结果与经典极化理论的预期完全一致,也间接证实了硅材料中场致线性电光效应的存在。
陈占国赵建勋张玉红贾刚刘秀环任策武文卿孙鉴波曹昆王爽时宝
关键词:非线性光学硅材料
材料参数对InGaAs红外探测器ROA影响的研究
1~3μm短波红外(SWIR)探测器在空间遥感、成像和光谱分析等方面有着广泛的应用,目前主要集中研制的非制冷红外焦平面阵列 InGaAs 探测器具有可室温工作、暗电流小和探测率高等优点被广泛关注。表征红外探测器性能的重要...
时宝殷景志李龙海高福斌纪永成杜国同金亿鑫
文献传递
半球形Si和GaAs探测器双光子响应的研究
时宝
关键词:双光子吸收SIGAAS
文献传递
半绝缘GaAs倍频效应的研究
理论研究了 GaAs 的倍频效应,当基频光电场的偏振方向沿[111]方向时,倍频效应最显著;当基频光垂直于半球形 GaAs 样品的(001)底面入射时,产生的二次谐波沿(001)面传播。首次从光电流随基频光偏振方向的变化...
刘秀环陈占国贾刚时宝
文献传递
单晶硅材料电致双折射的研究被引量:3
2008年
首次测量了硅材料在1.3μm波长处,基于克尔效应和弗朗兹-凯尔迪什效应的电致双折射,进而计算出三阶非线性极化率张量(χ3)的分量x(χy3x)y.观测到弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率变化与入射光的偏振态有关.在实验中,测得了由克尔效应引起的折射率之差为Δn=5.49×10-16E20,而弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率之差为Δn′=2.42×10-16E20.5.
张玉红陈占国贾刚时宝任策刘秀环武文卿
关键词:偏振态
半球形和球形双光子响应半导体光电探测器
本发明具体涉及一种可用于超短光脉冲测量系统、光电集成系统和光通信系统的半球形和球形双光子响应半导体光电探测器。半球形双光子响应半导体光电探测器,由半导体半球(1)、金属电极对(2,2’)和显微物镜(3)组成,其特征在于:...
贾刚陈占国刘秀环时宝
文献传递
[110]晶向近本征硅单晶双光子吸收各向异性
2012年
以沿[110]晶向切割的近本征硅单晶为样品,通过研究样品对连续波固体激光器所产生的1.3μm的近红外光的双光子吸收所诱导的光电流对入射光偏振方向的依赖关系,研究了双光子吸收的各向异性.测得了硅单晶对该波长的光的三阶极化率张量χ(3)的各向异性系数为-0.25,两个独立分量的比值χxxxx/χxxyy的幅度为2.4,并基于前期工作所得的χxxyy的结果,进而确定了另一分量χxxxx的值大约为1.49×10-19m2/V2.
刘秀环李明利陈占国贾刚时宝朱景程牟晋博李一
关键词:非线性光学硅单晶双光子吸收三阶极化率
半绝缘GaAs倍频效应的研究
理论研究了GaAs的倍频效应,当基频光电场的偏振方向沿[111]方向时,倍频效应最显著;当基频光垂直于半球形GaAs样品的(001)底面入射时,产生的二次谐波沿(001)面传播.首次从光电流随基频光偏振方向的变化这一角度...
刘秀环陈占国贾刚时宝
关键词:半绝缘GAAS倍频效应非线性光学
文献传递
共2页<12>
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