曹春斌
- 作品数：29 被引量：85H指数：4
- 供职机构：安徽大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省人才开发基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程化学工程一般工业技术更多>>
- ITO薄膜的透射谱解谱被引量：2
- 2009年
- 用直流磁控溅射法在普通载波片上制备了厚度130nm左右的ITO薄膜,分别在100、200、300和400℃下退火1h。测量了退火前后几个样品的XRD和透射率,利用椭偏解谱方法对几个样品的透射谱进行建模及解谱,结果表明,未退火样品为非晶结构,退火后为多晶结构;退火温度在300℃以下的样品,随着退火温度的升高其n和k值都有明显的降低,退火温度为400℃的样品n和k值却有所增大。利用吸收系数得到了几个样品的直接带隙,其变化范围在3.7eV^3.9eV之间。
- 郭守月曹春斌孙兆奇
- 关键词：透射谱ITO薄膜
- Ag-MgF 2复合纳米颗粒膜的过渡状态导电性研究
- 介绍了几种计算金属颗粒镶嵌于绝缘基体中而形成的复合纳米金属陶瓷薄膜渗透阈的理论方法,分析了理论方法中所运用模型的特点及其精度。并将Landauer’s有效介质理论和Priou渗透理论应用于Ag-MgF2复合纳米金属陶瓷薄...
- 曹春斌蔡琪江锡顺宋学萍孙兆奇
- 阳极氧化TiO2纳米管阵列的制备、生长机理及光催化应用研究
- 阳极氧化法生长的TiO2纳米管阵列在光催化、太阳能电池、传感器、自清洁材料等方面都有很高的应用价值，而且由于原材料储量丰富、成本低、制备工艺简单等特点，已经引起国内外研究者的高度重视。然而目前对其生长机理尚缺乏深入细致和...
- 曹春斌
- 关键词：阳极氧化TIO2纳米管阵列
- 衬底温度对ZnS薄膜微结构和应力的影响被引量：2
- 2006年
- 采用射频磁控溅射法分别在不同温度衬底上制备了厚度为320nm的ZnS薄膜，用XRD和光学相移技术研究了不同衬底温度下薄膜的微结构和应力。结果表明：不同温度衬底上沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态，衬底温度由50℃上升到400℃的过程中，其择优取向发生了变化，晶粒有明显的生长方向；ZnS薄膜应力随着衬底温度升高逐渐减小，衬底温度在250～350℃之间的ZnS薄膜应力较小且在选区内分布比较均匀。
- 江锡顺曹春斌蔡琪宋学萍孙兆奇
- 关键词：ZNS薄膜衬底温度微结构应力
- 阳极氧化法TiO_2纳米管阵列实验发现的问题
- 2011年
- 利用阳极氧化法在钛基底上制备了有序结构的TiO2纳米管阵列。通过实验分析,结合样品形貌特征,发现纳米管阵列是按层状模式生长的。同时还发现了影响管的中空程度、管的长度、平直程度和阵列薄膜表面平整度等的因素,并指出了相应的对策。这些问题的发现和解决对提高纳米管阵列的规则微结构和性能是非常有益的。
- 叶剑曹春斌
- 关键词：阳极氧化TIO2纳米管阵列
- Ag-ZnS纳米复合薄膜的微结构和电学特性研究被引量：1
- 2010年
- 通过控制射频磁控溅射时间(5,10和15min)和Ag组分制备了三种厚度、四种Ag体积百分比(5%,10%,15%和20%)的Ag-ZnS复合薄膜。微结构研究表明:较低Ag组分(5%,10%和15%)的薄膜表现为β相ZnS体心立方晶体的(220)择优取向结构,未出现Ag的衍射特征峰;Ag体积分数为20%的复合薄膜同时出现了Ag(111)和ZnS(220)的衍射峰,但峰强度明显降低。分析认为:较低Ag组分薄膜中的Ag成分有助于ZnS结晶或晶体长大,但较高Ag组分薄膜中的Ag对ZnS的结晶起到抑制作用。电学特性研究表明:较低Ag组分复合薄膜导电机制为介质状态;而20%Ag的复合薄膜导电机制为过渡状态,以Ag金属颗粒联并而成的网络结构中的渗透电导为主。
- 宋学萍曹春斌孙兆奇
- 关键词：射频磁控溅射微结构电学特性
- Au-MgF2复合纳米颗粒薄膜有效介质理论的颗粒尺寸效应修正
- 近代科学技术的发展,对材料提出了越来越高的性能要求,促进了复合材料的快速发展。作为一类新型的功能薄膜材料,由尺度为纳米量级的金属颗粒弥散于陶瓷基体中所构成的复合金属陶瓷薄膜体系,由于具有许多独特的光电性能,如显著的三阶非...
- 江锡顺曹春斌蔡琪宋学萍孙兆奇
- 文献传递
- Ag-MgF_2复合纳米金属陶瓷薄膜的渗透阈研究被引量：8
- 2006年
- 介绍了几种计算纳米金属颗粒镶嵌于陶瓷基体中而形成的复合纳米金属陶瓷薄膜渗透阈的理论方法,分析了理论方法中所运用模型的特点及其精度.并将Landauer有效介质理论和Priou渗透阈理论应用于Ag-MgF2复合纳米金属陶瓷薄膜的渗透阈计算,所得值分别为0·08和0·14(Ag的体积分数),按Priou渗透阈理论计算的结果与实验结果相符.最后讨论了影响复合金属陶瓷薄膜体系渗透阈的主要因素.
- 曹春斌蔡琪江锡顺宋学萍孙兆奇
- 溅射超薄Ag膜中的晶格畸变被引量：1
- 2006年
- 用直流溅射法制备了厚度从11.9到189.0 nm的超薄Ag膜。X射线衍射(XRD)分析表明:样品中的Ag均为面心立方多晶结构,粒径从6.3到14.5 nm。通过晶格常数的计算发现:晶格畸变为收缩,且随着粒径的减小收缩率增加,最大值为1.1%。结合不同方法制备纳米Ag材料的研究结果,讨论了影响晶格畸变的主要因素。
- 孙兆奇曹春斌宋学萍
- 关键词：晶格畸变
- 氧化铟锡薄膜的椭偏光谱研究被引量：14
- 2008年
- 用溅射法在Si片上制备了厚度为140nm的氧化铟锡（ITO）薄膜。X射线衍射研究表明所制备的薄膜为多晶结构。在1．5～4．5eV范围内对ITO薄膜进行了椭偏测量。分别用德鲁德-洛伦茨谐振子（Drude4-Lorenzoscillators）模型、层进模型结合有效介质近似模型对椭偏参量ψ、△进行了拟合，得到ITO薄膜的折射指数n的变化范围在1.8～2.6之间，可见光范围内消光系数k接近于零，在350nm波长附近开始明显变化，且随着波长的减小k迅速增加。计算得到直接和间接光学带隙分别是3．8eV和4．2eV。并在1．5～4．5eV段给出一套较为可靠的、具有实用价值的ITO介电常量和光学常量。
- 孙兆奇曹春斌宋学萍蔡琪
- 关键词：薄膜光学ITO薄膜
