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曾安生

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：上海交通大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇电化学
  • 4篇电化学刻蚀
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米孔
  • 4篇纳米孔阵列
  • 4篇刻蚀
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶片
  • 2篇湿法刻蚀
  • 2篇纳米结构制备
  • 2篇晶片
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体表面
  • 2篇INP
  • 1篇形貌
  • 1篇微结构
  • 1篇颗粒膜
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质

机构

  • 5篇上海交通大学

作者

  • 5篇曾安生
  • 3篇沈文忠
  • 3篇郑茂俊
  • 3篇马荔

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2008
  • 3篇2007
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
Ⅲ-Ⅴ族半导体表面纳米结构制备及其光学性质研究
本文的主要内容为III-V半导体(InP和GaAs)表面纳米结构的制备及其光学性质的研究。文中首先简单回顾了纳米科学与技术的发展历程，介绍了纳米材料与结构的奇异特性，重点回顾了孔刻蚀半导体的研究现状与进展，特别是III-...
曾安生
关键词：电化学刻蚀纳米孔阵列光学性质半导体材料
文献传递
单晶InP方形纳米孔阵列的制备方法
本发明公开了一种单晶InP方形纳米孔阵列的制备方法，属于纳米技术领域。本发明利用两步化学刻蚀方法，包括电化学刻蚀过程和无电湿法刻蚀过程，首先为电化学刻蚀过程，包括InP单晶片样品的准备、电抛光和多孔阵列刻蚀，其后为无电湿...
郑茂俊曾安生马荔沈文忠
文献传递
III-V族半导体表面纳米结构制备及其光学性质研究
曾安生
单晶InP方形纳米孔阵列的制备方法
本发明公开了一种单晶InP方形纳米孔阵列的制备方法，属于纳米技术领域。本发明利用两步化学刻蚀方法，包括电化学刻蚀过程和无电湿法刻蚀过程，首先为电化学刻蚀过程，包括InP单晶片样品的准备、电抛光和多孔阵列刻蚀，其后为无电湿...
郑茂俊曾安生马荔沈文忠
文献传递
真空高温热退火对单晶磷化铟纳米孔阵列的形貌、微结构影响
2007年
利用真空热退火的方法，研究了单晶InP方形纳米孔阵列退火后的形貌和晶相等特征。发现随着退火温度的不断升高，单晶InP中P的挥发性也越来越剧烈，到650℃后P完全挥发，样品变成h单质，而单晶InP方形纳米孔阵列的形貌也逐渐变得不均一，当退火温度高于550℃，整个纳米孔阵列被完全破坏。
曾安生郑茂俊马荔沈文忠
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