李宇柱
- 作品数：8 被引量：20H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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- 1200V常开型4H-SiC VJFET被引量：3
- 2011年
- 用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管(VJFET)。在栅电压VG=-10 V时阻断电压达到1 200 V;在VG=2.5 V,VD=2V时的电流密度为395 A/cm2,相应的比导通电阻为5.06 mΩ·cm2。分析发现欧姆接触电阻是导通电阻的重要组成部分,改善欧姆接触可以进一步降低导通电阻。
- 倪炜江李宇柱李哲洋李赟管邦虎陈征柏松陈辰
- 关键词：比导通电阻
- SiC电力电子技术综述被引量：6
- 2011年
- 与硅相比,4H-SiC材料具有高功率、耐高温、高频、高集成度、高效率、高抗辐射等优势,是制作电力电子器件的理想材料,近十年以来SiC电力电子器件性能不断提高。回顾了SiC电力电子器件的发展,总结了材料、工艺和器件所面对的技术问题。笔者认为SiC JBS二极管和MOSFET将成为SiC的主流器件,将在今后十年内获得长足的发展。
- 李宇柱
- 关键词：电力电子器件
- 2700V 4H-SiC结势垒肖特基二极管被引量：1
- 2011年
- 在76.2 mm 4H-SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS)。在室温下,器件反向耐压达到2 700 V。正向开启电压为0.8 V,在V_F=2 V时正向电流密度122 A/cm^2,比导通电阻R_(on)=8.8 mΩ·cm^2。得到肖特基接触势垒qΦ_B=1.24 eV,理想因子n=1。
- 倪炜江李宇柱李哲洋李赟王雯贾铃铃柏松陈辰
- 关键词：高耐压
- B^+注入隔离在宽禁带半导体中的应用
- 2011年
- 利用B^+离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过Monte Carlo软件TRIM模拟,优化离子注入能量和剂量。在SiC MESFET中测量两组不同条件的样品及在GaN HEMT测量了三组同种条件的样品都得到了纳安级电流,表现了很好的隔离效果;通过测试表明离子注入隔离的器件相比台面隔离器件的击穿电压有一定程度提高。
- 李春陈刚李宇柱周建军李肖
- 关键词：离子注入宽禁带半导体氮化镓
- 耐250℃高温的1200 V-5 A 4H-SiC JBS二极管
- 2010年
- 倪炜江李宇柱李哲洋李赞陈辰陈效建
- 关键词：二极管电力电子器件SIC高热导率
- UHF频段高功率SiC SIT被引量：1
- 2011年
- 采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT(静电感应晶体管)。该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工艺、PECVD SiO2和SixNy介质钝化工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,器件功率输出能力由此得到提升。最终28 cm栅宽SiC SIT器件,在UHF波段的500 MHz、90 V工作电压下,脉冲饱和输出功率达到了550 W,此时功率增益为11.3 dB。
- 陈刚王雯柏松李哲洋吴鹏李宇柱倪炜江
- 关键词：宽禁带半导体静电感应晶体管离子注入
- 600 V-30 A 4H-SiC肖特基二极管作为IGBT续流二极管的研究被引量：4
- 2010年
- 采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基(SBD)二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司的600 V超快恢复二极管(Ultra fast diode)进行了对比:125℃IGBT模块动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省90%,相应的IGBT开通能耗节省30%。另外反向恢复中过电压从40%降为10%,这是由于碳化硅的软度高,提高了模块的可靠性。
- 李宇柱倪炜江李哲洋李赟陈辰陈效建
- 关键词：肖特基二极管快恢复二极管
- 耐250°C高温的1200V-5A 4H-SiC JBS二极管被引量：7
- 2010年
- 采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工作温度的变化情况,并验证至少在250°C下依旧能正常工作。研制的1 200 V碳化硅JBS二极管和IXYS公司的600V硅快恢复二极管(Fastrecovery diode)进行了对比:室温动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省92%。这是国内首次报道的250°C高温下正常工作的碳化硅JBS二极管。
- 倪炜江李宇柱李哲洋李赟陈辰陈效建
- 关键词：快恢复二极管
