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李思其

作品数：3 被引量：10H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电路
  • 1篇调制
  • 1篇调制器
  • 1篇移相器
  • 1篇矢量
  • 1篇矢量调制器
  • 1篇特性设计
  • 1篇微波单片
  • 1篇微波单片集成
  • 1篇微波单片集成...
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片设计
  • 1篇模拟移相器
  • 1篇开关
  • 1篇宽带
  • 1篇集成电路

机构

  • 3篇南京电子器件...

作者

  • 3篇李思其
  • 2篇沈宏昌
  • 2篇徐波
  • 2篇韩群飞
  • 1篇潘晓枫
  • 1篇任春江
  • 1篇曲俊达
  • 1篇曹坤
  • 1篇沈亚
  • 1篇王子良
  • 1篇徐利

传媒

  • 3篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
表贴式MMIC高密度封装外壳微波特性设计被引量：8
2014年
基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,研制了一款32根引脚方形扁平无引线封装(CQFN)型微波外壳,外形尺寸仅为5mm×5mm×1.4mm。该外壳采用侧面挂孔的方式实现微波信号从基板底部到外壳内部带状线和键合区微带线的传输,底部增加了密集阵列接地过孔以消除高密度引脚间的耦合。对制作的外壳进行了微波性能测试,在C波段内的插入损耗小于0.5dB,驻波比小于1.3,隔离度大于30dB。该小型化表贴陶瓷外壳适用于C波段的微波单片集成电路(MMIC)的高品质气密封装,且便于批量化生产。
徐利曹坤李思其王子良
关键词：高密度封装微波单片集成电路
基于GaAs工艺的新型I-Q矢量调制器芯片设计被引量：1
2016年
在传统的单平衡式I-Q矢量调制器的基础上,提出了一种新颖的I-Q矢量调制方法。通过采用180°模拟移相器替代传统的双相调制器和衰减器,从而降低了插入损耗并减小了芯片面积。最终,本文采用0.25μm GaAs PHEMT工艺,设计出了一款K波段单片集成的I-Q矢量调制器。实测结果表明:在21~23GHz频带内,该芯片实现了0到360°的连续变化的相位调制,其幅度调制深度大于20dB,插入损耗小于11.2dB。
沈宏昌沈亚潘晓枫徐波李思其曲俊达韩群飞
关键词：GAAS模拟移相器矢量调制器
宽带GaN大功率单刀双掷开关设计被引量：1
2015年
设计了一款基于MMIC工艺的宽带GaN大功率单刀双掷开关芯片,该款GaN开关芯片电路采用一个串管两并管的结构。在小信号开关芯片设计的基础上,利用了功率开关容量的理论公式,并结合电路仿真以及电磁场仿真,辅之以DOE(Design of experiment)方法设计。开关芯片实测结果表明:在DC-12GHz频带内,插入损耗<1.2dB,隔离度>40dB,P-0.1>44dBm,体积仅为1.8mm×1.0mm×0.1mm。
沈宏昌任春江韩群飞徐波李思其
关键词：宽带氮化镓大功率开关
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