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李晓云

作品数:55 被引量:42H指数:4
供职机构:天津工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金天津市自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 31篇期刊文章
  • 12篇专利
  • 10篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 37篇电子电信
  • 4篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 21篇发光
  • 18篇二极管
  • 13篇发光二极管
  • 8篇隧穿
  • 8篇共振隧穿
  • 6篇纳米
  • 6篇硅基
  • 6篇半导体
  • 6篇LED
  • 5篇电路
  • 5篇功率
  • 5篇共振隧穿二极...
  • 5篇OLED
  • 5篇RTD
  • 4篇电阻
  • 4篇CMOS工艺
  • 3篇电压
  • 3篇有机发光
  • 3篇碳纳米管
  • 3篇量子

机构

  • 55篇天津工业大学
  • 10篇天津大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇天津市技术物...
  • 1篇易美芯光(北...
  • 1篇天津三安光电...

作者

  • 55篇李晓云
  • 40篇牛萍娟
  • 19篇郭维廉
  • 15篇刘宏伟
  • 12篇杨广华
  • 8篇高铁成
  • 6篇付贤松
  • 6篇于莉媛
  • 5篇张建新
  • 5篇宁平凡
  • 4篇王小丽
  • 4篇刘伟
  • 4篇毛陆虹
  • 4篇张世林
  • 4篇谷晓
  • 3篇于欣
  • 3篇范强
  • 3篇战瑛
  • 3篇李静仪
  • 3篇刘国瑞

传媒

  • 8篇微纳电子技术
  • 4篇发光学报
  • 4篇固体电子学研...
  • 3篇光电子.激光
  • 3篇半导体技术
  • 2篇光机电信息
  • 2篇第六届中国国...
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇电工技术学报
  • 1篇电源技术
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇河北工业大学...
  • 1篇微电子学
  • 1篇传感器与微系...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2021
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 9篇2011
  • 6篇2010
  • 3篇2009
  • 8篇2008
  • 5篇2007
  • 4篇2005
  • 1篇2004
55 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种三基色混合暖白光LED灯
本发明属于半导体照明领域,涉及一种三基色混合暖白光LED灯,包括蓝光LED和红光LED以及用于稳定色温的电路,蓝光LED的管芯内涂有黄色荧光粉,蓝光LED和红光LED串联后接在电源正极和接地端之间,稳定色温的电路包括第一...
范强付贤松牛萍娟李晓云杨广华李静仪
RTD振荡特性的模拟与研究
2008年
为解决共振隧穿二极管(RTD)振荡功率的提高受到稳定性限制的问题,利用高级设计系统(ADS)电路仿真,研究了 RTD 分别与 RLC(电阻、电容、电感)、HEMT(高电子迁移率晶体管)及 HBT(异质结双极晶体管)构成的大信号振荡电路,分析了其负阻、双稳特性产生振荡的机理,探索了 RTD 的连接器件对 RTD 特性的调制作用。研究表明,振荡电压(或电流)的峰值与谷值之差越大,输出电压(或电流)的振荡幅度就越大,且比单纯增大RTD 结面积来增大输出功率的做法有更好的稳定性,据此有望解决功率受限的问题;RTD连接的器件对 RTD 特性的调制作用与连接方式有关,通过改变连接方式可以扩大 RTD 在射频收发系统中的应用。
王伟牛萍娟郭维廉于欣杨广华李晓云
关键词:振荡器双稳特性
遏止(Quenching)及其在分析RTD逻辑电路中的应用被引量:1
2005年
在深入分析共振隧穿二极管(RTD)开关前后内阻变化和RTD串联组合中不同RTD电压分布随总偏压变化的基础上,深化了“遏止(Q uench ing)”的概念。并进一步以此概念说明了RTD/HEM T电路中,单-双稳转换逻辑单元(M OB ILE)、多值逻辑(M VL)文字(L itera l)逻辑门、三态反相器(T ernary inverter)等逻辑单元的工作原理。通过此种分析,证实了“遏止”概念是解释和分析复杂RTD电路原理的强有力工具。以上论证也适用于由其它负阻器件构成的逻辑电路。
郭维廉牛萍娟李晓云刘宏伟李鸿强
关键词:遏止共振隧穿二极管多值逻辑
用于OLED的碳纳米管
2011年
首先,介绍了传统柔性有机发光二极管(FOLED)的基本结构及缺点。其次,对氧化铟锡(ITO)玻璃应用于FOLED生产的局限性进行了阐述。然后将碳纳米管(CNT)与ITO薄膜进行了对比,对碳纳米管应用于FOLED制备的可行性进行了分析,并对碳纳米管生产及器件的制备进行了说明。对碳纳米管的分类以及分离进行了简要阐述,着重分析了采用喷涂技术制备碳纳米管导电薄膜,并将其用作器件阳极技术以及一种较为新颖的碳纳米管阳极形式。最后,对碳纳米管的应用前景进行了展望,如碳纳米管应用于FOLED制备的关键是进行金属性碳纳米管的分离,碳纳米管对人体免疫系统的影响可能会制约碳纳米管的发展等。
刘国瑞李晓云
关键词:氧化铟锡碳纳米管
一种基于热管散热的模块化大功率LED灯具组件
本发明属于半导体照明技术领域,涉及一种基于热管散热的模块化大功率LED灯具组件,每个模块包括光源模块、热管模块和肋片式散热模块,模块间利用镂空的安装板进行连接,可灵活装配出各种面型、环形、线形等出光造型的LED灯具成品。...
张建新牛萍娟李晓云付贤松于莉媛杨广华高铁成王巍
文献传递
市电驱动LED芯片的研究进展
综述市电驱动LED芯片包括交流LED(AC-LED)芯片与高压LED(HV-LED)芯片的发展,分别从技术角度对它们的结构,原理,应用技术及制造工艺作了分析,并与传统低压直流LED作了比较,说明其强大生命力。
洪建明李晓云
关键词:发光二极管
基于CdSe/ZnS和Alq_3的白光量子点LED的研究被引量:6
2015年
采用CdSe/ZnS红光量子点(QD),利用旋涂和真空蒸镀工艺制备了结构为ITO/TPD+PVK/QDs/Alq3/LiF/Al的量子点发光器件(QD-LED),并对器件的发光性能做了测试。研究了ITO表面处理、TPD空穴传输层和QD发光层的厚度对QD-LED性能的影响,并通过调整QD发光层和Alq3电子传输层的厚度,制备了可用于照明的白光QD-LED。实验结果表明,ITO的表面处理可有效降低器件的开启电压,开启电压从9 V降到7 V左右;TPD空穴传输层和QD发光层的厚度对器件的电流密度和发光亮度有较大的影响,而Alq3电子传输层和QD发光层的合理配比可以混合出较高色温的白光。通过优化器件各参数,当TPD和PVK质量比为5∶1、QD度为1.0mg/ml和Alq3厚为60nm时,制备的器件在15V电压时发光效率达到了1 500cd/m2,色坐标为(0.362 8,0.379 6),显色指数为88.1。
李晓云徐涛许文政耿宏章王炎
关键词:白光
功率型氮化镓基发光二极管芯片
本实用新型属于半导体芯片结构技术领域,涉及一种功率型氮化镓基发光二极管芯片,包括蓝宝石衬底、依次制作在其正面的N型氮化镓层、多量子阱、P型氮化镓层,其特征在于,所述蓝宝石衬底的背面刻有削顶的周期性三角倒金字塔微结构;P型...
牛萍娟李艳玲李晓云刘宏伟王小丽
文献传递
CMOS负阻单元逻辑电路及其发展前景被引量:2
2010年
在回顾了多值逻辑(MVL)电路的优点、分析了共振隧穿器件(RTD)电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型负阻单元作为基础性器件设计并实现CMOS型逻辑电路的新概念,并指出了此研究领域的几个重点研究内容和方向。
郭维廉牛萍娟李晓云刘宏伟谷晓毛陆虹张世林陈燕王伟
关键词:负阻器件逻辑电路设计
RTD表观正阻与串联电阻非本征双稳态的相关性被引量:1
2010年
在RTD的I-V特性测量过程中,有时在负阻区出现VP>VV的情况,一般称为表观正阻(APR)现象。通过RTD/RS锁定电路负载线分析,证实APR起源于RTD串联电阻非本征双稳态线。
郭维廉王伟刘伟李晓云牛萍娟梁惠来张世林宋瑞良毛陆虹
关键词:共振隧穿二极管电特性双稳态
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