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李清华

作品数:19 被引量:26H指数:4
供职机构:长安大学电子与控制工程学院更多>>
发文基金:陕西省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金陕西高等教育教学改革研究项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术环境科学与工程文化科学更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 9篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇环境科学与工...
  • 2篇文化科学
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇自然科学总论
  • 1篇理学

主题

  • 8篇碳化硅
  • 6篇电池
  • 6篇欧姆接触
  • 6篇欧姆接触电极
  • 6篇接触电极
  • 6篇核电池
  • 6篇封装
  • 6篇封装密度
  • 4篇肖特基
  • 3篇肖特基接触
  • 3篇肖特基结
  • 3篇晶体管
  • 2篇视频
  • 2篇能量转换
  • 2篇能量转换效率
  • 2篇无线
  • 2篇客运
  • 2篇课程
  • 2篇交通量
  • 2篇仿真

机构

  • 19篇长安大学
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 19篇李清华
  • 14篇张林
  • 11篇邱彦章
  • 9篇高云霞
  • 6篇巨永锋
  • 5篇谷文萍
  • 5篇高景刚
  • 2篇闫茂德
  • 2篇程鸿亮
  • 2篇汪贵平
  • 2篇徐小波
  • 2篇王植平
  • 1篇全思
  • 1篇肖剑
  • 1篇马涛
  • 1篇吴凯凯
  • 1篇郝跃
  • 1篇马涛
  • 1篇李双霞

传媒

  • 2篇微电子学
  • 2篇电子设计工程
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电气电子教学...
  • 1篇实验室研究与...
  • 1篇消防科学与技...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2016
  • 5篇2015
  • 3篇2014
  • 5篇2013
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
碳化硅横向PIN型微型核电池
本实用新型公开了一种碳化硅横向PIN型微型核电池,包括衬底和设在衬底上的N型SiC外延层,N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区和P型SiC欧姆接触掺杂区,N型SiC欧姆接触掺杂区上设有N型欧姆接触电极,P型Si...
张林李清华邱彦章巨永锋
文献传递
客运交通量的GM(1,1)模型算法预测系统
灰色系统理论研究的基础上,设计实现了一个基于GM(1,1)模型算法的客运交通量实例预测系统,系统设计有友好的人机交互界面,包含数据库输入,数据预测、残差分析和拟合曲线五个子模块构成.通过对客运交通量实例数据的仿真,证明了...
高云霞王植平李清华邱彦章程鸿亮
关键词:精度控制
碳化硅横向肖特基结型微型核电池及其制造方法
本发明公开了一种碳化硅横向肖特基结型微型核电池及其制造方法,其核电池包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层,N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区,N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极,N型SiC外延层...
张林李清华邱彦章巨永锋
文献传递
碳化硅横向肖特基结型微型核电池及其制造方法
本发明公开了一种碳化硅横向肖特基结型微型核电池及其制造方法,其核电池包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层,N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区,N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极,N型SiC外延层...
张林李清华邱彦章巨永锋
文献传递
电子科学与技术专业器件类综合性实验被引量:1
2019年
针对目前电子科学与技术专业的器件类综合性实验开设难度较大、教学效果欠佳等问题,本文探索和实践了以仿真技术为主要实验手段的器件类综合性实验,并建立以评价学生对知识深入理解和创造性思维为目标的课程考核体系。实践表明,本文建设的综合性实验课程对于提升学生学习兴趣,增强对理论知识的理解,提高实践和创新能力具有显著效果。
张林李清华谷文萍汪贵平闫茂德
关键词:课程建设实验教学
微电子工艺和器件仿真实验课程体系的建设被引量:4
2018年
为了解决传统微电子工艺和器件实验课程对硬件条件要求高、费用高、耗时长、效果差等问题,将仿真技术应用于微电子工艺和器件实验课程体系建设,设计并实践了包括演示性、验证性、设计性以及综合性等在内的多种类型的实验。相比于工艺和测试的实验方法,应用仿真技术的实验可以更灵活的形式和更丰富的内容覆盖更广的专业课程知识,并与专业课程知识紧密衔接,同时也易于提升实验的开放性。从而有助于提升学生的动手实践能力、增强学生对微电子工艺和器件课程理论知识的理解、提升学习兴趣。
张林汪贵平闫茂德邱彦章李清华
关键词:微电子工艺微电子器件仿真
碳化硅横向PIN型微型核电池及其制造方法
本发明公开了一种碳化硅横向PIN型微型核电池及其制造方法,其核电池包括衬底和设在衬底上的N型SiC外延层,N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区和P型SiC欧姆接触掺杂区,N型SiC欧姆接触掺杂区上设有N型欧姆接...
张林李清华邱彦章巨永锋
文献传递
一种城市道路交通信息共享系统
本实用新型公开了一种城市道路交通信息共享系统,包括操作平台、多个车辆数据采集终端和多个车辆信息监测基站;车辆数据采集终端包括第一数据收发器以及与其连接的第一无线通信模块、速度传感器、加速度传感器、第一红外光电传感器、第二...
高云霞高景刚张林李清华
文献传递
一种野外探测机器人用无线视频传输装置
本实用新型公开了一种野外探测机器人用无线视频传输装置,包括野外探测机器人本体和视频监控单元,野外探测机器人本体的外壳上设置有云台和摄像头,野外探测机器人本体的内部集成有第一数据收发器、供电电源和第一无线控制收发模块,第一...
高景刚高云霞谷文萍李清华
文献传递
中子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电特性的影响被引量:6
2014年
本文采用能量为1 MeV的中子对SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件进行了最高注量为1015cm-2的辐照.实验发现:当注量小于1014cm-2时,器件特性退化很小,其中栅电流有轻微变化(正向栅电流IF增加,反向栅电流IR减小),随着中子注量上升,IR迅速降低.而当注量达到1015cm-2时,在膝点电压附近,器件跨导有所下降.此外,中子辐照后,器件欧姆接触的方块电阻退化很小,而肖特基特性退化却相对明显.通过分析发现辐照在SiN钝化层中引入的感生缺陷引起了膝点电压附近漏电流和反向栅泄漏电流的减小.以上结果也表明,SiN钝化可以有效地抑制中子辐照感生表面态电荷,从而屏蔽了绝大部分的中子辐照影响.这也证明SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件很适合在太空等需要抗位移损伤的环境中应用.
谷文萍张林李清华邱彦章郝跃全思刘盼枝
关键词:ALGANGANHEMT中子辐照
共2页<12>
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