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抗辐射加固的Σ-Δ调制器设计被引量：1: 2014年; 针对辐射环境下的传感器应用，设计了一种抗辐射加固的∑－△调制器。通过对调制器非理想特性的建模来确定电路的设计参数。通过调节放大器的偏置电路使其在总剂量（TID）辐射引起的阈值偏移下仍然工作在饱和区。该调制器用3阶MASH结构实现，为了获得更好的线性度，采用单位量化技术。在TSMC2P4M工艺下，信号带宽为22kHz，电源电压3．3V，采样时钟频率为11．264MHz。仿真结果表明，功耗为39mw，可达到17bit以上的有效转换位数。在温度-40～85℃及辐射剂量100Mrad以下范围内，该设计均保持17bit以上的有效转换位数，能够在极端环境下有效工作。; 杜斌王颖陈杰刘云涛; 关键词：∑-△调制器抗辐射加固全差分运算放大器

垂直多结PPD像素势阱容量与电荷转移研究被引量：2: 2013年; 研究了一种具有垂直多结结构的CMOS图像传感器四管像素结构,通过引入垂直多结结构可扩展感光区的势阱容量,增大耗尽区,提高信号电荷收集效率,特别对于长波长光波的吸收大幅增加。并为减小垂直多结结构的图像拖影现象,在N区水平方向上进行梯度掺杂,消除了电位障,使得信号电荷更易向外传输,从而减小图像拖影现象,并通过SILVACO TCAD软件对该结构进行数值仿真。; 李天琦马超龙杨晓亮杜斌; 关键词：CMOS图像传感器电荷转移

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杜斌