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杜福生

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇科技成果
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇电池
  • 2篇太阳电池
  • 1篇砷化镓
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇活性
  • 1篇薄膜太阳能电...
  • 1篇镓
  • 1篇GAAS/G...

机构

  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇天津电源研究...

作者

  • 3篇杜福生
  • 2篇孙强
  • 2篇李春燕
  • 2篇郭爱萍
  • 2篇肖志斌
  • 2篇乔在祥
  • 1篇戴晓红
  • 1篇曹全君
  • 1篇刘汉英
  • 1篇章健
  • 1篇吴蔡臣
  • 1篇孙征
  • 1篇孙强
  • 1篇刘春明
  • 1篇曾慧珠
  • 1篇王敏
  • 1篇郭印池
  • 1篇杨智敏
  • 1篇许军
  • 1篇陈文浚

传媒

  • 1篇电源技术

年份

  • 2篇2002
  • 1篇1997
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
东四用GaAs/Ge单体电池
杜福生徐寿岩陈文浚孙强汤雁肖志斌刘春明戴忠涛孙彦铮许军曹全君郭印池郭爱萍李春燕王保民乔在祥刘海港孙鹏刘汉英章健李昌进马荣凯阎以蔚杨智敏陈新孙征曾慧珠
该项目以锗单晶代替砷化镓单晶作为外延用的衬底，采用先进的金属有机化学气相外延（MOVPE）技术生长砷化镓单晶薄膜，并采用其他相应的半导体工艺技术制备欧姆接触和光学减反射膜，制成锗衬底砷化镓太阳电池，即GaAs/Ge太阳电...
关键词：
关键词：太阳电池
低成本高效砷化镓/锗太阳电池研究
杜福生陈义浚孙强肖志斌乔在祥郭爱萍傅云龙李春燕
主要内容：以锗代替砷化镓作衬底，采用MOVPE技术生长砷化镓单晶薄膜，制成锗衬底砷化镓太阳电池，与砷化镓衬底太阳电池相比，同样具有效率高、抗辐照、温度特性好的优点，同时可降低成本，减薄厚度，增大面积。项目意义：该项目为国...
关键词：
关键词：太阳能电池薄膜太阳能电池
活性与非活性 GaAs/Ge 太阳电池被引量：1
1997年
分析了活性和非活性ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池不同特性，活性电池形成的机理是由于Ｇａ的自扩散，在ｎ型Ｇｅ中形成了一个ｐ型层。阐述了非活性ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池的制备技术，包括采用较低的生长温度，较快的生长速率，适当晶向的单晶衬底及背面屏蔽等措施。采用光谱响应等方法判别ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池究竟是活性还是非活性电池。在国内首次成功地研制出ＡＭ０效率大于１５％的ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池。
杜福生孙强张晓东郭爱萍傅云龙
关键词：活性太阳电池
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