柳滨
- 作品数：29 被引量：63H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十五研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项中央高校基本科研业务费专项资金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程建筑科学更多>>
- 多线切割机主辊
- 本实用新型涉及一种多线切割机主辊，属于多线切割机零部件技术领域，其包括一个辊筒和两个端盖，端盖与辊筒焊接固定，辊筒外表包裹有聚氨脂塑料层，沿聚氨脂塑料层圆周均布有线槽。本实用新型所提供的多线切割机主辊采用空心焊接结构，结...
- 靳永吉柳滨
- 文献传递
- 300mm硅片化学机械抛光压力控制技术研究被引量：1
- 2011年
- 介绍了一种应用于硅片化学机械抛光(CMP)设备的压力控制技术,综合利用在线检测方法和离线检测方法,借助于Matlab数值分析软件分析抛光主轴压力设定值、气缸气压值、传感器示值以及检测仪器测试值之间的关系,并建立了主轴压力闭环控制系统,达到精确控制主轴压力的目的。工艺实验证明,主轴压力闭环控制系统稳定、可靠、精确。
- 王东辉郭强生柳滨陈威王伟
- 关键词：化学机械抛光数据处理闭环控制
- 300mm硅片精密化学机械抛光机几何参数优化(英文)被引量：1
- 2012年
- 对于评价用于极大规模集成电路(ULSI)生产的300 mm硅抛光片的表面质量,需要关注两个关键参数即:SFQR和GBIR。在中国电子科技集团第四十五研究所研发的中国第一台最终化学精密抛光机的验证过程中,我们发现为了提高硅片表面的几何参数,必须监控抛光前硅片的形貌,并根据不同的硅片表面形貌来改变抛光头的区域压力。通过深入分析抛光前硅片的表面形貌,我们发现当硅片形貌为凹陷形状时,抛光后的硅片表面将严重恶化。由此,根据每个硅片不同的形貌,我们用特殊设计的抛光头来调整背压的区域分布,然后再进行抛光。最终,经过抛光头区域压力调整后的硅片几何参数比调整前得到了大幅提升,并已经能够满足我们的产品指标并可以用于生产。
- 党宇星徐继平刘斌叶松芳肖清华闫志瑞石瑛张果虎周旗钢柳滨郭强生王东辉
- 关键词：硅片硅材料
- CMP加工过程去除率的影响因素研究被引量：6
- 2008年
- CMP的加工过程,是对晶圆表面进行全局平坦化的过程,去除率是整个过程较为关键的指标。影响去除率的有下压力、抛光盘及抛光头的转速、温度、抛光液的种类等,综合考虑这些因素不仅能得到合理的材料去除率,优化平坦化效果,而且还能提高生产效率。
- 周国安柳滨王学军种宝春
- 关键词：化学机械抛光抛光液
- 晶片减薄技术原理概况被引量：7
- 2005年
- 从对晶片减薄的质量要求角度出发,论述了垂直缓进给(Creep-Feed)晶片减薄原理与垂直切深进给(In-Feed)晶片减薄原理。提出原理设计中的原则和相关问题。
- 柳滨
- CMP终点监测装置的设计被引量：2
- 2008年
- 对CMP工艺过程中的一种终点监测技术进行论述,分析了国外某公司抛光机的电机电流变化监测技术,在此基础上,设计了一种高精度的电流监测和电流电压转换电路,电流监测基于LTC6102高精度电流监测放大器,电流电压转换电路基于MAX472高精度电流传感放大电路和MAX951微功耗/比较放大电路。改进的电路构成简单,监测精度高,成功实现了从安培级的负载电流中辨别出微安级电流变化的精度。实验证明,该电路精度好于1%,显著提高了终点监测精度。
- 王学军王姝媛贺敬良柳滨周国安
- 关键词：化学机械抛光
- 450 mm晶圆CMP设备技术现状与展望被引量：1
- 2014年
- 分析化学机械平坦化(CMP)耗材发展现状及趋势,推断450 mm晶圆的CMP设备及技术的迫切性;在此基础上,展望450 mm晶圆将会采用系统集成技术、多区域压力控制承载器技术、抛光垫修整技术、终点检测技术、后清洗技术,并初步分析以上这些技术的特点。最后指出随着晶圆制造厂激烈竞争和持续投资,对450 mm的CMP设备要求必有所突破。
- 柳滨周国安
- 关键词：化学机械平坦化集成技术
- CMP中抛光垫的性质研究被引量：4
- 2008年
- 以IC1000／SubaIV抛光垫为例，综述了影响抛光垫性能的各种因素，以文献相关数据为依据，着重分析了抛光温度和修整力对抛光垫性能的影响。从分析结果可以得出：IC1000／SubaIV比单层结构IC1000具有更好的抛光效果；新旧抛光垫性能在0～40℃基本相当；新、旧和没有黏合剂抛光垫的正常工作温度为-2．02～103．64℃，且玻璃过渡温度随着抛光垫厚度的减小而增加；抛光垫在0～50℃具有最小的外形变化。定性得出修整力与抛光精度成反比关系，明确了较小修整深度具备较好的平坦化效果。
- 周国安种宝春柳滨王学军
- 关键词：化学机械抛光抛光垫修整器
- 单点光学终点检测系统的研究被引量：1
- 2008年
- 为了使CMP抛光精度更为精确,根据光学干涉原理设计了单点光学终点检测装置,给出了整套检测系统的简图和处理流程。在理想条件下,仿真单点光学检测的相干相位及反射率迹线,得出反射率迹线与抛光掉的透明层存在着函数关系,在实际条件核实了二者之间映射情况。采用九点测量后确认此函数条件下的单点光学终点检测具备高度的精确性,在此基础上推测了抛光头吸附晶圆以设定频率摆动情况下,光学传感器采集与处理数据的方法和过程。实际工艺操作证明,在综合运动条件下,其精度也达到要求。
- 周国安柳滨王学军种宝春
- 关键词：化学机械抛光
- CMP承载器的初步研究被引量：3
- 2008年
- 在CMP中,由于抛光垫在与其接触的晶圆边缘产生异常压力点,以及转台和承载器旋转的线速度之差在边缘处较其他点大得多,从而导致了晶圆边缘效应的产生。阐述了承载器在CMP中的作用,详细分析了边缘效应产生的原因和克服的方法。在承载器上采用与晶圆保持适当间隙的保持环结构,对保持环施加适当的压力,使保持环和晶圆位于同一抛光平面上;针对旋转式CMP设备固有的线速度之差导致片内非均匀性增大的问题,对200mm晶圆划分两区域进行微压力补偿,同时详细说明了压力补偿气路的设计和实现的功能,指出今后多区域微压力补偿将采用矩阵控制技术。
- 周国安柳滨王学军种宝春詹阳
- 关键词：化学机械平坦化承载器
