栾国旗
- 作品数：4 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 空间太阳电池用掺锗MCZ硅单晶研究
- 本文分析了空间太阳电池用硅单晶抗辐照加固的几种方法,介绍了掺锗MCZ硅单晶的研制及应用情况,并对结果进行分析,得出一些有价值的结论.
- 刘锋纪秀峰赵光军栾国旗李丹王世援王富田史继祥
- 关键词：抗辐照加固
- 文献传递
- 多晶硅真空区熔提纯技术研究被引量：5
- 2010年
- 对真空单晶用多晶硅真空区熔提纯技术进行了分析,通过理论实践相结合,对真空区熔提纯过程中的提纯速率、熔区长度、提纯次数以及其它工艺参数进行了分析,制定了获得目标电阻率、型号、直径的有效区熔提纯工艺。
- 栾国旗张殿朝闫萍高颖马玉通
- 关键词：多晶硅提纯
- 多线切割中温度对悬浮液的影响
- 2012年
- 多线切割在光伏以及半导体行业中有着广泛的应用,多线切割所用的悬浮液有着非常重要的作用,性能优良的悬浮液兼有切削、粘滞、冷却三大功能,可以有效提高硅片质量,提高生产效率。研究其特性主要是温度对其的影响,说明在科研生产中,悬浮液要控制在适宜的温度范围内,才能有效控制晶片质量。
- 栾国旗
- 关键词：悬浮液黏度
- 线切割硅片表面探究被引量：1
- 2013年
- 硅片的表面损伤层,关系到切割后破片率及面的形状等。通过对硅片表面分析,发现硅片表面呈蜂窝状,有大孔、小孔和微孔。硅片侧面边缘呈山峰山沟状,并伴随有裂纹,从外向里分为表面镶嵌层和缺陷应力层。通过对硅片表面损伤的形成机理研究,发现通过以下调整可以减小表面损伤和提高表面质量:一是减小切割时的晶体所受到的垂直压力;二是调整碳化硅的直径分布系数,圆度系数,堆积密度。
- 栾国旗杨士超马玉通
- 关键词：损伤层硅片
