毕京锋
- 作品数：11 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性
- 利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证...
- 毕京锋赵建华邓加军郑玉宏王玮竹李树深
- 关键词：半金属室温铁磁性分子束外延闪锌矿结构超导量子干涉仪
- 文献传递
- Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质研究
- 利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量证明了InAs:Cr自组织量子点的铁磁转变温度高于400 K.
- 郑玉宏赵建华毕京锋王玮竹邓加军夏建白
- 关键词：稀磁半导体分子束外延INAS自组织量子点
- 文献传递
- (Ga，Cr)As外延薄膜的铁磁性来源
- ＜正＞大量的理论计算结果表明,在 GaAs 基稀磁半导体中,与（Ga,Mn）As 相比,（Ga,Cr）As 的铁磁性更强, 居里温度 TC 也更高。这些预言引发了大量的实验工作。迄今为止,实验上已观察到（Ga,Cr）As...
- 甘华东郑厚植毕京锋邓加军朱汇姬扬赵建华
- 关键词：磁性半导体
- 文献传递
- 等离子体辅助热丝化学气相沉积金刚石复合膜
- 2004年
- 运用等离子体辅助热丝化学气相沉积设备分别进行了金刚石膜和金刚石 /碳化钛复合膜的沉积。实验条件 :甲烷流量与氢气流量比为 1∶5 0 ,基体温度 860℃ ,等离子体偏压 30 0V ,沉积气压 4kPa。运用扫描电子显微镜 (SEM )分别观察了沉积膜的表面和断面形貌 ;运用能量扩散电子谱 (EDX)对沉积的复合膜进行分析 ,观察到Ti元素峰和C元素峰 ;运用X射线衍射 (XRD)得到相应的金刚石衍射峰和碳化钛衍射峰。实验表明 。
- 毕京锋石玉龙付强
- 关键词：金刚石膜复合膜化学气相沉积
- 等离子体辅助热丝化学气相沉积金刚石膜被引量：3
- 2004年
- 采用等离子辅助热丝化学气相沉积 (PAHFCVD)装置进行了金刚石薄膜的制备。并运用X射线衍射 (XRD)和扫描电子显微镜 (SEM)测试手段对沉积的金刚石薄膜进行了观察分析。在甲烷与氢气体积比为 2∶98、基体温度为 80 0℃、等离子体偏压 40 0V、沉积气压 4kPa的沉积条件下可获得晶形完整的金刚石膜 ,其沉积速率可达 1 1 μm·h- 1 。
- 毕京锋石玉龙
- 关键词：热丝化学气相沉积等离子体金刚石薄膜甲烷
- 等离子热丝化学气相沉积金刚石膜工艺参数研究被引量：4
- 2005年
- 采用等离子热丝化学气相沉积(PHFCVD)装置进行了金刚石薄膜的制备实验.实验条件为:氢气流量为200sccm,甲烷流量为2～12sccm,基体温度为700～900℃,偏压为0～400V,真空室压力为4kPa.通过实验得出了甲烷含量、基体温度和偏压对沉积金刚石膜的影响,并运用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)等测试方法对金刚石薄膜进行了观察分析.
- 毕京锋付强石玉龙
- 关键词：等离子热丝化学气相沉积金刚石薄膜
- 一种等离子热丝法化学气相沉积金刚石膜的装置
- 本实用新型涉及一种等离子热丝法化学气相沉积金刚石膜的装置，属于化学气相沉积领域。本实用新型在传统热丝法化学气相沉积装置中引入等离子辉光放电，即在化学气相沉积装置真空室中的热丝的上方设置一上电极，在基台和上电极上的可调圆盘...
- 石玉龙谢广文阎凤英毕京锋
- 文献传递
- 半金属zb-CrAs和稀磁半导体(Ga，Cr)As薄膜分子束外延生长和磁性质研究
- 本文通过优化生长参数，利用低温分子束外延方法在GaAs(001)衬底上制备出了高质量闪锌矿结构CrAs(zb-CrAs)薄膜，对薄膜的表面形貌、结构和磁性质进行了表征，验证了室温铁磁性存在于zb-CrAs中;进行了稀磁半...
- 毕京锋
- 等离子体辅助热丝化学气相沉积金刚石膜
- 在等离子体辅助化学气相沉积金刚石的设备中,进行了金刚石膜的沉积实验.实验室灯丝采用的是钨丝,可以根据不同的实验要求来选择不同直径的灯丝进行沉积实验.灯丝与基台间的距离10mm;实验是使用的基片为单晶硅(111),基片的处...
- 毕京锋
- 关键词：等离子体化学气相沉积金刚石膜
- 文献传递
- 闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和 GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性
- 2007年
- 利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用.
- 毕京锋赵建华邓加军郑玉宏王玮竹李树深
- 关键词：半金属室温铁磁性分子束外延
