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毕臻

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 7篇光电
  • 5篇电池
  • 5篇多量子阱
  • 5篇载流子
  • 5篇蓝宝
  • 5篇蓝宝石
  • 4篇电子阻挡层
  • 4篇太阳电池
  • 4篇阻挡层
  • 4篇晶格
  • 4篇晶格结构
  • 4篇蓝宝石衬底
  • 4篇超晶格
  • 4篇超晶格结构
  • 4篇衬底
  • 4篇成核
  • 4篇P-I-N
  • 4篇INGAN
  • 3篇载流
  • 3篇离化

机构

  • 19篇西安电子科技...

作者

  • 19篇张进成
  • 19篇毕臻
  • 16篇郝跃
  • 12篇许晟瑞
  • 12篇马晓华
  • 10篇张春福
  • 9篇李培咸
  • 9篇王学炜
  • 7篇范晓萌
  • 6篇周小伟
  • 4篇吕玲
  • 3篇杨晓东
  • 3篇林志宇
  • 3篇张金凤
  • 3篇陈大正
  • 2篇王冲
  • 2篇侯耀伟
  • 2篇李文

年份

  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 8篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种表面陷光结构InGaN/GaN太阳电池
本发明公开了一种表面陷光结构InGaN/GaN太阳电池，包括n‑Si衬底和InGaN/GaN层，InGaN/GaN层包括AlN成核层、GaN缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构和p‑GaN层，p‑GaN层...
毕臻杨晓东张进成张春福吕玲林志宇
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一种利用质子辐照制备超快响应GaN光电导开关的方法
本发明公开了一种利用质子辐照制备超快响应GaN光电导开关的方法，本发明利用质子束作为辐照源，采用两种不同能量和注量的质子束，先后辐照GaN光电导开关器件，以此获得超快响应特性。制作的GaN光电导开关包括蓝宝石衬底和GaN...
毕臻杨晓东张进成张春福吕玲林志宇
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一种p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池及其制备方法。该电池自下而上依次为：p-Si衬底和n-Si层构成Si电池；p-InGaN层、i-InGaN层和n-InGaN层构成InGaN电池；Si电...
毕臻郝跃张进成李培咸马晓华侯耀伟
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一种p-i-n夹层结构InGaN太阳电池
本发明公开了一种p-i-n夹层结构InGaN太阳电池。主要解决现有InGaN太阳电池的转换效率低的问题。该太阳电池自下而上依次为：衬底，高温生长的AlN成核层(11)，非故意掺杂的GaN缓冲层(12)，厚度为50～100...
郝跃毕臻张进成周小伟马晓华王冲
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基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及制备方法
本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有p型层中掺杂的Mg的离化率低，导致二极管发光效率不高的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层...
许晟瑞范晓萌王学炜郝跃张进成李培咸马晓华毕臻周小伟
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一种具有陷光结构的钙钛矿光电探测器及制作方法
本发明公开了一种具有陷光结构的钙钛矿光电探测器及制作方法，包括自下而上依次分布的具有SU8表面纳米陷光阵列的减反层、ITO玻璃衬底、ITO纳米陷光结构、空穴传输层、钙钛矿光活性层、电子传输层，在电子传输层上方设有阴极，在...
毕臻张泽阳张春福陈大正张进成张金凤许晟瑞郝跃
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具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池及制作方法
本发明公开了一种具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池及制作方法，包括InGaP/InGaAs/Ge三结电池以及顶部表面的微纳结构，表面是六方周期性排布的复合微纳减反结构，本发明主要利用纳米软压印技...
毕臻苏爱雪张春福陈大正张进成张金凤许晟瑞郝跃
含有超晶格结构的p-i-n型InGaN太阳电池
本发明公开了一种含有超晶格结构的p-i-n型InGaN太阳电池。主要解决现有多p-i-n型InGaN太阳电池的转换效率低的问题。该太阳电池自下而上依次为：衬底，高温生长的AlN成核层(11)，非故意掺杂的GaN缓冲层(1...
郝跃毕臻周小伟张进成王冲马晓华
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基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及制备方法
本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有p型层中掺杂的Mg的离化率低，导致二极管发光效率不高的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层...
许晟瑞范晓萌王学炜郝跃张进成李培咸马晓华毕臻周小伟
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基于Sn离子注入的氮化物光电转换结构及制备方法
本发明公开了一种基于Sn离子注入的氮化物光电转换结构及其制备方法，主要解决现有光电转换结构光吸收效率较低导致太阳能电池效率低的问题。其自下而上包括：衬底(1)、高温AlN成核层(2)、i‑GaN层(3)、n型GaN层(4...
许晟瑞范晓萌王学炜郝跃张进成李培咸张春福马晓华毕臻周小伟
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