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游培武

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：沈阳工业大学信息科学与工程学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电流
  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩特性
  • 1篇过电流
  • 1篇二极管

机构

  • 1篇沈阳工业大学
  • 1篇扬州扬杰电子...

作者

  • 1篇杨继华
  • 1篇荣凡
  • 1篇关艳霞
  • 1篇游培武
  • 1篇潘福泉

传媒

  • 1篇电源技术应用

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
雪崩整流二极管反向过电流能力的研究
2012年
对雪崩整流二极管反向过电流损坏机理进行了分析，提出了在结构设计上提高反向过电流能力的措施。局部过热和双雪崩的作用是诱发器件损坏的主要原因。在结构上采用非穿通结构和尽可能提高基区掺杂浓度可提高雪崩整流二极管的反向过电流能力，理论上，双边对称突变结结构更有利于提高反向过电流能力。
关艳霞荣凡游培武潘福泉杨继华
关键词：雪崩特性二极管
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共1页<1>
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