满卫东
- 作品数：116 被引量：359H指数：11
- 供职机构：武汉工程大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：湖北省高等学校优秀中青年科技创新团队计划项目国家自然科学基金湖北省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程金属学及工艺更多>>
- 基片温度对金刚石厚膜生长的影响被引量：6
- 2008年
- 采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备了Φ60 mm的金刚石厚膜,通过对沉积过程和结果的观察发现,由于所用沉积气压较高,基片不同区域温度不均匀,导致不同区域沉积的金刚石厚膜晶型差距较大.通过对不同区域的结果进行比较,发现850℃为较好的沉积温度,并在对沉积工艺进行优化后,采用该温度在Φ60 mm的基片上制备了厚度为0.6 mm取向性很好的金刚石厚膜.
- 熊礼威汪建华满卫东曹菊琴谢鹏
- 关键词：化学气相沉积微波等离子体
- 甲烷浓度对批量生产金刚石涂层刀片的影响被引量：7
- 2008年
- 采用微波等离子体CVD(MWCVD)法小批量地生产了金刚石涂层刀片,在金刚石薄膜沉积的过程中,研究了碳源浓度对沉积金刚石膜的均匀性的影响。用扫描电子显微镜(SEM)和激光拉曼光谱(Raman)对薄膜的表面形貌和质量进行了表征。结果表明较低的低甲烷浓度适合金刚石涂层刀片的批量生产。
- 满卫东谢鹏汪建华孙蕾余学超
- 关键词：金刚石涂层硬质合金刀片微波等离子体化学气相沉积
- 一种双杠握把护手结构
- 一种双杠握把护手结构，涉及健身器械领域。该双杠握把护手结构包括中空的握把本体，握把本体的外壁开设有至少一条沿其轴向延伸的凹槽，凹槽内设有弹性的胶条。本申请提供的双杠握把护手结构能够保护健身器械握把表面的油漆并减少磨损，同...
- 满卫东王阳道彭瑶
- 文献传递
- 一种制备金刚石膜的装置及使用该装置制备金刚石膜的方法
- 本发明提供一种制备金刚石膜的装置，其采用微波等离子体化学气相沉积装置，该装置包括微波系统、真空系统、供气系统和等离子反应室，等离子反应室中设有一自旋转基片台，工作过程中微波系统产生的微波进入等离子反应室，在自旋转基片台上...
- 满卫东汪建华游志恒涂昕张玮林晓棋阳硕
- 文献传递
- 高掺杂Si/BDD薄膜电极的制备及电化学性能被引量：5
- 2011年
- 近年来,掺硼金刚石（BDD）膜因具备独特的优异性能而作为电极材料已经受到很大的关注。本文通过MPCVD法在高掺杂硅衬底上生长掺硼金刚石膜,并用四探针、扫描电镜、激光拉曼和电化学工作站对其进行了检测,发现所制备的掺硼金刚石膜电导率达10-2Ω.cm,同时发现金刚石膜质量因硼原子的掺入而有所下降,采用循环伏安法研究其电化学性质。结果表明,与Pt电极相比（1.8V和-1×10-3~3×10-4A）,BDD电极具有很宽的电化学窗口（2.8~3.2V）,较低的背景电流（-3×10-6~2×10-6A）;选用高掺杂的硅作基底使导线从导电基底接入,能够为Si/BDD电极提供更多工作面积从而节约制备成本;在铁氰化钾电解液中,表面所进行的电化学反应具有较好的准可逆性,并且电极表面具有较好的稳定性。对有机物苯酚的催化氧化检测发现：与Pt电极相比,BDD电极氧化能力强,且氧化产物简单彻底,因此可以作为一种理想的电极材料。
- 陈朋满卫东吕继磊朱金凤董维汪建华
- 关键词：化学气相沉积电化学性能循环伏安法
- 硼浓度对沉积在刀具上的金刚石膜表面的影响被引量：1
- 2004年
- 在热丝 CVD装置中 ,以氢气、丙酮、硼酸三甲脂为原料 ,在 YG6上制备了含硼金刚石薄膜 .研究丙酮中硼含量对薄膜表面晶形及晶粒度的影响 .结果表明 ,薄膜中渗入适量的硼不改变薄膜表面晶形 ,细化晶粒 .有利于薄膜附着力的提高 ;而过高的硼含量恶化金刚石薄膜质量 。
- 王传新汪建华满卫东马志斌王升高伍新明屈青
- 关键词：金刚石薄膜渗硼
- 碳化硅衬底沉积高取向金刚石薄膜被引量：1
- 2017年
- 采用直流辉光放电等离子体设备在单晶碳化硅表面沉积高晶取向金刚石薄膜,研究了预处理方法、基片温度以及甲烷浓度(甲烷与氢气的体积比)对金刚石薄膜晶粒取向的影响。用SEM、Raman等测试方法对金刚石薄膜进行表征。结果表明:研磨处理可以提高金刚石形核密度,高的形核密度有利于金刚石薄膜的沉积;过高或过低的基片温度会使得金刚石薄膜表现出(111)面生长的趋势;高甲烷浓度和低甲烷浓度也会使得金刚石薄膜晶粒取向发生改变。最终采用850℃以及5%甲烷浓度这一沉积参数进行金刚石薄膜的沉积,制备出了取向度非常好的(100)面金刚石薄膜。
- 曹阳满卫东吕继磊刘伟刘伟孙洁
- 关键词：碳化硅金刚石薄膜
- 微波等离子体同质外延修复金刚石的研究被引量：9
- 2008年
- 用微波等离子体化学气相沉积法同质外延生长了有缺陷的金刚石颗粒。在同质外延之前,研究了温度因素对金刚石生长表面形貌的影响,研究表明适宜金刚石同质外延的温度范围非常窄,在1030℃左右;温度低于920℃,大尺寸的金刚石单晶颗粒就很难得到,二次形核现象变的很严重。在实验得出的优化温度条件下,对表面有缺陷的天然金刚石进行了同质外延生长,用扫描电子显微镜(SEM)观察发现,原来金刚石表面的裂缝被修复,外延生长速率达到10.3μm/h。
- 满卫东谢鹏吴宇琼孙蕾汪建华
- 关键词：金刚石微波等离子体化学气相沉积
- 一种空心圆筒型金刚石膜钻头及其制备方法
- 本发明公开了一种空心圆筒型金刚石膜钻头及其制备方法。该钻头的结构是：金属圆筒的端面均匀分布有小槽，槽中的金刚石膜小片(2)通过焊接方式与金属圆筒钻头的基架(1)相连，小槽和金刚石膜小片均为菱形。该钻头的制备步骤包括：利用...
- 马志斌汪建华王传新满卫东甚康
- 文献传递
- CVD金刚石薄膜半导体材料的研究进展被引量：12
- 2008年
- 含Ⅲ族与Ⅴ族元素掺杂的金刚石是宽禁带的半导体材料,同时具有优异的物理和化学特性,在电子器件与光电子器件方面的应用具有极大潜力,成为近几年来国内外研究的热点之一。介绍了目前常用的掺杂方法、技术水平及金刚石半导体的应用前景。
- 孙蕾满卫东汪建华谢鹏熊礼威李远
- 关键词：金刚石薄膜掺杂半导体N型P型
