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牟润芝

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：华南理工大学电力学院雅达电源实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩击穿
  • 1篇双极性
  • 1篇双极性晶体管
  • 1篇能量耗散
  • 1篇晶体管
  • 1篇寄生晶体管
  • 1篇功率MOSF...
  • 1篇耗散

机构

  • 1篇华南理工大学

作者

  • 1篇尹华杰
  • 1篇李意
  • 1篇牟润芝

传媒

  • 1篇电源技术应用

年份

  • 1篇2003
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
功率MOSFET雪崩击穿问题分析被引量：5
2003年
分析了功率 MOSFET 雪崩击穿的原因,以及 MOSFET 故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比,反向偏置时 MOSFET 雪崩击穿过程不存在"热点"的作用,而电气量变化却十分复杂。寄生器件在 MOSFET 的雪崩击穿中起着决定性的作用,寄生晶体管的激活导通是其雪崩击穿的主要原因。在 MOSFET 发生雪崩击穿时,器件内部能量的耗散会使器件温度急剧升高。
李意尹华杰牟润芝
关键词：双极性晶体管功率MOSFET雪崩击穿寄生晶体管能量耗散
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