王任卿
- 作品数：22 被引量：24H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市教委科技发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 用于改善多指SiGe HBT热特性的变指间距设计方法研究
- 2011年
- 通过引入表示发射指之间热耦合程度的耦合热阻,建立了多指异质结双极晶体管(HBT)热阻模型。基于该模型,得到了耦合热阻与指间距的变化关系,并用于器件指间距的设计。当耦合热阻均匀分布时,所对应的一套非等值的指间距值便是器件温度均匀分布所要求的指间距值。用该方法得到热阻分布与热模拟得到的温度分布相吻合。但这种方法不必通过热模拟来得到温度分布均匀的SiGe HBT各指问距值,具有快速、直观的优点,为变指间距的设计提供了方便。
- 肖盈张万荣金冬月陈亮王任卿丁春宝
- 关键词：SIGEHBT热阻
- 一种基于SCR的集成电路静电保护器件
- 本发明公开了一种基于SCR的集成电路静电保护器件，包含：P型衬底，在所述P型衬底上设有相邻的P阱和N阱；在所述N阱里面设有P+型扩散区和N+型扩散区，二者分别与金属层连接；在所述P阱里面设有P+型扩散区和N+型扩散区，二...
- 王任卿朱阳军陆江苏江
- 文献传递
- 改善不同环境温度下SiGe HBT热稳定性的技术
- 2011年
- 提出了发射极非均匀指间距技术以增强多发射极指SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性。通过建立热电反馈模型对采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT进行热稳定性分析,得到多发射极指上的温度分布。结果表明,与传统的均匀发射极指间距SiGe HBT相比,在相同的环境温度及耗散功率下,采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT,其最高结温明显降低,热阻显著减小,温度分布更加均匀,有效地提高了多发射极指功率SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性。
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- 关键词：异质结双极晶体管环境温度结温耗散功率
- 基区重掺杂对SiGe HBT热学性能的影响
- 2011年
- 相对于同质结晶体管,异质结双极晶体管(HBT)由于异质结的存在,电流增益不再主要由发射区和基区掺杂浓度比来决定,因此可以通过增加基区掺杂浓度来降低基区电阻,提高频率响应,降低噪声系数,但基区掺杂浓度对器件热特性影响的研究却很少。以多指SiGeHBT的热电反馈模型为基础,利用自洽迭代法分析了基区重掺杂对器件集电极电流密度和发射极指温度的影响。通过研究发现,随着基区浓度的增加,SiGe HBT将发生禁带宽度变窄,基区反向注入发射区的空穴电流增大;同时,基区少子俄歇复合增强,这些都将减小集电极电流密度,降低发射极指温度,从而抑制发射极指热电正反馈,提高器件的热稳定性。
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- 关键词：SIGE异质结双极晶体管热学性能
- 一种改善多指功率SiGe HBTs热稳定性的新型发射极指分段结构研究
- 功率SiGe异质结晶体管(HBTs)通常采用多发射极指结构,由于器件自身耗散功率引起的自加热效应及各个发射极指之间的热耦合效应,导致各发射极指上的温度分布不均匀。又巾于器件发射极电流具有正温度系数,温度高的指将传导更多的...
- 王任卿
- 关键词：双极型晶体管有限元分析
- IGBT热疲劳工作对焊料层可靠性的影响被引量：13
- 2014年
- IGBT在实际应用中会频繁处于周期性的高低温循环过程,循环过程中反复作用于IGBT器件的热应力极易在焊料层形成空洞,从而导致器件热阻增大甚至热疲劳失效。通过有限元软件ANSYS建立了两种新的分散空洞模型,在工作功率条件下对比5%到50%中心空洞率及10%到20%分散空洞率模型的热分布并进行模拟分析。结果表明,边缘分散空洞对器件温升影响小于均匀分散空洞和中心空洞,但在温度循环中先于后者出现。空洞率为10%时,边缘分散空洞模型最高温升高了1.6K,与phase11和超声波显微镜实测IGBT器件功率循环5 000次后结果基本一致。
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- 关键词：绝缘栅双极型晶体管热疲劳空洞率
- 高热稳定性功率异质结双极晶体管
- 本发明公开了一种晶体管，尤其是高热稳定性功率异质结双极晶体管。该晶体管发射极镇流电阻上的压降有效补偿了由于自加热效应引起温度上升而导致的内建电压的变化。同时，该晶体管采用发射极指间距由器件两侧向中心处线性增大的非均等指间...
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- 文献传递
- 一种测量双极性器件峰值结温分布的方法
- 本发明公开了一种测量双极性器件峰值结温分布的方法，属于双极性器件的技术领域。该方法包括采集双极性器件的多阶梯恒流脉冲所对应的温敏参数，获得双极性器件的电流-温敏参数-温度三维曲线簇；选定基准电流，得到基准电流的序列；根据...
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- 文献传递
- 能带工程对射频功率SiGe异质结双极晶体管热性能的改善被引量：5
- 2011年
- 众所周知,基区"能带工程"可以改善Si1-xGex基区异质结双极晶体管(HBT)的直流、频率和噪声等特性,但"能带工程"对HBT热学特性的影响的研究还很少。本文基于三维热电反馈模型,分析了"能带工程"对射频功率SiGeHBT热性能的影响。考虑到电流增益随温度的变化以及发射结电压负温度系数,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)的表达式,在此基础上给出了非均匀镇流电阻的设计,进一步提高了SiGe HBT的热稳定性。研究发现,随基区Ge组分的增加,芯片表面温度降低,这是SiGeHBT内部产生了热电负反馈效应的结果。在相同的耗散功率下,随着基区Ge组分的增加,器件热稳定所需的镇流电阻减小。这些结果对器件的热学设计具有重要的参考意义,也有利于改善器件的饱和压降、功率增益、频率特性等整体性能。
- 肖盈张万荣金冬月陈亮王任卿谢红云
- 关键词：SIGEHBT镇流电阻
- 一种基于SCR的集成电路静电保护器件
- 本发明公开了一种基于SCR的集成电路静电保护器件，包含：P型衬底，在所述P型衬底上设有相邻的P阱和N阱；在所述N阱里面设有P+型扩散区和N+型扩散区，二者分别与金属层连接；在所述P阱里面设有P+型扩散区和N+型扩散区，二...
- 王任卿朱阳军陆江苏江
- 文献传递
