王允祺
- 作品数：7 被引量：6H指数：1
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- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程电子电信更多>>
- 一种低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法
- 本发明公开了一种低温烧结压电陶瓷材料，用化学通式Pb<Sub>(0.995-a-b-3c/2)</Sub>Ba<Sub>a</Sub>Sr<Sub>b</Sub>Fe<Sub>c</Sub>(Zn<Sub>1/3</Su...
- 范桂芬吕文中王允祺王晓川汪小红
- 文献传递
- 预烧温度对PZN-PZT压电陶瓷电性能的影响被引量：4
- 2012年
- 采用传统固相法制备了化学计量比为0.3Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3-0.35PbZrO3的压电陶瓷,研究了所制陶瓷的预合成温度对其微观结构和压电介电性能的影响。结果显示,当预合成温度大于800℃时可以获得纯钙钛矿相,低于800℃钙钛矿主晶相不明显且有很多杂相产生。当预烧温度为775℃时,经1 125℃保温3 h烧结的陶瓷具有最佳综合性能:d33=431 pC/N、k31=0.36、Ec=9.98×103 V/mm、Pr=22.52×10–6 C/cm2、εr=1 874、tanδ=0.024、ρ=7.88 g/cm3。
- 沈小婷范桂芬王允祺吕文中
- 关键词：压电陶瓷PZN-PZT预烧温度
- H_3BO_3掺杂Li_2ZnTi_3O_8陶瓷的微波介电性能被引量：1
- 2012年
- 采用传统的固相烧结工艺制备了H3BO3掺杂的Li2ZnTi3O8陶瓷。研究了H3BO3掺杂量对所制Li2ZnTi3O8陶瓷的烧结特性、相成分、微观结构以及微波介电性能的影响。结果表明:H3BO3对于所制陶瓷相成分没有影响,仅为单一的Li2ZnTi3O8相;H3BO3能够将Li2ZnTi3O8陶瓷的烧结温度降低200℃左右,同时没有显著损害该陶瓷的微波介电性能;当H3BO3掺杂量为质量分数2.0%时,950℃烧结的Li2ZnTi3O8陶瓷微波具有良好的介电性能:εr=25.99,Q.f=54 926GHz,τf=-12.17×10–6/℃。
- 李化凯吕文中雷文王允祺
- 关键词：微波介质陶瓷
- Zn-B玻璃掺杂的(K_(0.5)Na_(0.44)Li_(0.06))(Nb_(0.84)Ta_(0.1)Sb_(0.06))O_3陶瓷相变及电学性能研究
- 2011年
- 研究了Zn-B玻璃掺杂的(K0.5Na0.44Li0.06)(Nb0.84Ta0.1Sb0.06)O3(KNLNTS)陶瓷的制备、相变及电学性能。研究发现,Zn-B玻璃能够有效地促进铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的烧结特性。XRD结果显示Zn-B玻璃掺杂的KNLNTS陶瓷为正交-四方共存结构,随掺杂量的增加正交结构相的含量逐渐增加;并且降低烧结温度能够有效地抑制第二相的产生。介电温谱测试结果显示Zn-B玻璃掺杂的KNLNTS陶瓷其居里温度先降后增在x=0.1时达到最小值。在1050℃保温5 h条件下烧结可以获得最佳的压电性能:d33=197 pC/N,kp=0.37,εr=975,tanδ=0.028。
- 范桂芬吕文中王允祺汪小红梁飞
- 关键词：无铅铌酸钾钠
- ZnO掺杂对PSN-PZT陶瓷烧结温度及压电性能的影响(英文)被引量：1
- 2011年
- 为了降低PZT压电陶瓷的烧结温度,研究了ZnO掺杂对Ba、Fe改性的PSN-PZT陶瓷的烧结温度和压电特性的影响。通过XRD和SEM测试手段,分析了微观结构和材料性能的关系。XRD结果显示所有样品均呈现四方钙钛矿结构。在w(ZnO)<0.1%时陶瓷压电性能随ZnO的增加而提高;当w(ZnO)=0.1%时,陶瓷样品同样展现出了优良的压电性能。这些结果证明了适量的ZnO掺杂可以降低陶瓷的烧结温度并提高压电性能。
- 王允祺范桂芬吕文中
- 关键词：压电陶瓷
- 低温烧结软性PZT压电陶瓷的制备及性能研究
- 压电马达是一种重要的压电叠层器件,在微电子领域有着广泛的应用。为了提高压电马达的响应速度和位移量,要求压电陶瓷是具有较低机械品质因数的软性压电陶瓷。而软性压电陶瓷的低温烧结一直是PZT陶瓷材料的难点。所以本文针对这一问题...
- 王允祺
- 关键词：陶瓷材料掺杂改性压电性能
- 文献传递
- 一种低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法
- 本发明公开了一种低温烧结压电陶瓷材料，用化学通式Pb<Sub>(0.995-a-b-3c/2)</Sub>Ba<Sub>a</Sub>Sr<Sub>b</Sub>Fe<Sub>c</Sub>(Zn<Sub>1/3</Su...
- 范桂芬吕文中王允祺王晓川汪小红
