王双鹏
- 作品数：30 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划高功率半导体激光国家重点实验室基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 一种氧化锌基p型材料的制备方法
- 本发明提供一种氧化锌基p型材料的制备方法，属于半导体材料生长技术领域。该方法包括在基础层上制备渐变层；在渐变层上制备盖层；所述的基础层为Zn极性表面的ZnO材料，基础层的厚度大于300nm；所述的渐变层具有组分渐变的结构...
- 王双鹏单崇新张振中李炳辉李科学申德振
- 文献传递
- 一种氧化锌基p型材料的制备方法
- 本发明提供一种氧化锌基p型材料的制备方法，属于半导体材料生长技术领域。该方法在基础层上制备渐变层；在渐变层上制备盖层；所述的基础层为氧极性表面的Mg<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O(0.6≥x≥...
- 王双鹏单崇新李炳辉张振中李科学申德振
- 文献传递
- 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器被引量：2
- 2014年
- 在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29Zn0.71O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件,30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm),对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生长在立方相MgZnO薄膜上的极薄的结构相变层引入了高密度的界面态,在立方相薄膜表面电极接触中起到了降低势垒、减小耗尽层宽度、增强电极注入电子的能力的作用,使得器件形成高的光导增益。
- 郑剑乔倩张振中王立昆韩舜张吉英刘益春王双鹏陈星姜明明李炳辉赵东旭刘雷刘可为单崇新申德振
- m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文)
- 2014年
- 由于在日盲紫外探测方面的应用前景,具有合适带隙的MgZnO合金半导体薄膜受到越来越多的关注。获得具有择优取向的单一相MgZnO对提升MgZnO基日盲紫外探测器性能至关重要。本文利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)方法在m面蓝宝石衬底上制备了一系列不同组分的MgxZn1-xO薄膜。光学和结构特性测试结果表明:Zn摩尔分数达到55%的Mg0.45Zn0.55O薄膜依然是单一立方相,其光学带隙可以达到4.7 eV。立方岩盐结构MgZnO与m面蓝宝石衬底的外延结构关系为(110)MgZnO‖(1010)sapphire、[001]MgZnO‖[1210]sapphire和[110]MgZnO‖[0001]sapphire。唯一确定的面内取向有利于薄膜晶体质量的提高。基于(110)取向立方相Mg0.45Zn0.55O薄膜制备金属-半导体-金属(MSM)结构器件,获得了光响应峰在260 nm、光响应截止波长278 nm的日盲紫外探测器。
- 郑剑张振中张吉英刘益春王双鹏姜明明陈星李炳辉赵东旭刘雷王立昆单崇新申德振
- 关键词：MOCVD
- 采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置
- 复合模式生长半导体薄膜的方法及装置，涉及半导体材料生长技术及设备制造领域。解决现有技术制备方法制备的薄膜结晶质量差、生产速率慢的问题。通入ALD反应前驱体A在衬底表面形成单原子层；再通入ALD反应前驱体B与ALD反应前驱...
- 单崇新鞠振刚倪佩楠李炳辉王双鹏申德振
- 文献传递
- 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压
- 2013年
- 对不同加速电压电子束泵浦下的ZnO/Zn0.85Mg0.15O量子阱的荧光光谱进行了研究。样品利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长。激子隧穿使非对称双量子阱的激发效率相对于对称阱有了明显提高。非对称阱的结构设计使最佳激发电压从对称阱的7 kV降低到了更适合器件小型化的5 kV。
- 尚开张振中李炳辉徐海洋张立功赵东旭刘雷王双鹏申德振
- 关键词：ZNO电子束泵浦
- 氧化锌基紫外雪崩光电探测器研究
- 于吉单崇新王双鹏申德振
- 关键词：氧化锌外量子效率
- 不同生长条件下ZnO薄膜电学性质的研究
- 2013年
- ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本文采用分子束外延技术在不同真空度下在a面蓝宝石衬底上生长了一系列氧化锌薄膜,发现在低真空度下生长的样品的载流子浓度较高,为1019cm-3量级;而高真空度下生长的样品,其载流子浓度比低真空生长的样品显著降低,降低了3个数量级。在相同条件下生长的样品,通过不同的后处理手段进行处理后,其电子浓度未发生明显变化,说明氧空位等本征缺陷不是ZnO薄膜中电子的主要来源,高背景电子浓度应该与生长过程中非故意引入的杂质相关。通过低温光致发光表征,发现低真空度下生长的样品在低温下3.366 eV处有强的施主束缚激子发光峰,而高真空度下生长的样品的此发光峰显著变弱。由此,高电子浓度被归结为与生长过程中非故意引入的氢杂质相关。
- 赵鹏程张振中姚斌李炳辉王双鹏姜明明赵东旭单崇新刘雷申德振
- 关键词：ZNO
- 采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置
- 复合模式生长半导体薄膜的方法及装置，涉及半导体材料生长技术及设备制造领域。解决现有技术制备方法制备的薄膜结晶质量差、生产速率慢的问题。通入ALD反应前驱体A在衬底表面形成单原子层；再通入ALD反应前驱体B与ALD反应前驱...
- 单崇新鞠振刚倪佩楠李炳辉王双鹏申德振
- 低切损激光切割锯
- 本发明公开了一种低切损激光切割锯，属于半导体器件技术领域。解决了现有技术中硅锭的切割方法切损率高，切割晶圆直径受限制，生产效率低的技术问题。本发明的切割锯包括：激光器组、耦合装置、光纤组、箔带、导轨、支架和驱动控制装置，...
- 张振中王双鹏姜明明李炳辉申德振
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