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王春娟

作品数:7 被引量:42H指数:4
供职机构:西北工业大学材料学院更多>>
发文基金:中国航空科学基金北京市教育委员会科技发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 4篇电气工程
  • 3篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇陶瓷
  • 3篇压电
  • 3篇压电陶瓷
  • 3篇微波介质
  • 3篇微波介质陶瓷
  • 3篇介质陶瓷
  • 2篇电性能
  • 2篇四元系压电陶...
  • 2篇无机非金属
  • 2篇无机非金属材...
  • 2篇非金属材料
  • 2篇PM
  • 2篇PZN-PZ...
  • 2篇TIO
  • 1篇压电性
  • 1篇压电性能
  • 1篇氧化物
  • 1篇液相烧结
  • 1篇致密化
  • 1篇烧结温度

机构

  • 7篇西北工业大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 7篇王春娟
  • 6篇田长生
  • 5篇李光耀
  • 4篇刘向春
  • 3篇谢述锋
  • 2篇高峰
  • 1篇严辉
  • 1篇朱满康
  • 1篇谢述峰
  • 1篇赵丽丽
  • 1篇汪浩
  • 1篇侯育冬
  • 1篇陈晓龙

传媒

  • 3篇电子元件与材...
  • 2篇材料导报
  • 1篇压电与声光

年份

  • 2篇2005
  • 5篇2004
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
多层片式LC滤波器中间层复合材料的研究被引量:4
2004年
为了解决多层片式LC滤波器制造中的介电体与铁氧体的共烧问题,采取了在两种材料之间加入中间层复合材料的方法来实现异种材料之间的共烧。制备了由Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3基介电体和NiZnCu铁氧体构成的中间层复合材料,研究了其显微组织、成分分布以及其与介电体和铁氧体的共烧界面等,结果表明中间层复合材料中介电体与铁氧体各自保持独立的相结构,没有新相生成;介电体晶粒与铁氧体晶粒相间分布于中间层中,且它们之间存在着离子的相互扩散;中间层能够有效地减小异种材料共烧界面上的应力。
李光耀高峰王春娟赵丽丽田长生
关键词:介电体铁氧体
PMN-PZN-PZT四元系压电陶瓷材料的研究被引量:8
2004年
采用传统的氧化物混合烧结工艺制备了Pb(Mn1/3Nb2/3)x(Zn1/3Nb2/3)y(ZrzTi1z)1xyO3四元系压电陶瓷材料。研究了成分及预烧温度对该四元系材料组织结构与性能的影响规律。研究结果表明:随着Pb(Mn1/3Nb2/3)O3含量的增多,陶瓷的相结构由四方相转变为三方相,准同型相界位于0.025 PMN~0.075 PMN之间,且Pb(Mn1/3Nb2/3)O3增加至7.5 %(摩尔分数),可以同时提高机电耦合系数kp和机械品质因数Qm,使kp达到0.575,Qm达到1 621;提高预烧温度可以改善陶瓷的烧结特性,同时可以改善陶瓷的介电、压电性能。
王春娟李光耀刘向春谢述锋田长生
关键词:无机非金属材料四元系压电陶瓷机电耦合系数机械品质因数
不同铅气氛对PZMN陶瓷压电性能的影响被引量:6
2005年
采用二次合成法制备了xPMN-(0.2-x)PZN-0.8PZT(x=0.05~0.20)四元系压电陶瓷(PZMN),系统研究了铅气氛和非铅气氛条件对陶瓷显微组织,介电性能及压电性能的影响规律并探讨了铅气氛作用机制。实验表明在富铅气氛的作用下,PZMN体系具有较优的性能,尤其是x=0.10时,能获得综合优良的压电性能,相对介电常数εT33/ε0=1000,介电损耗tanδ=0.0050,机电耦合系数kp=0.52,品质因数Qm=2528,TC=325°C,可以满足压电变压器等大功率器件应用方面的要求。
侯育冬朱满康王春娟汪浩田长生严辉
关键词:压电陶瓷四元体系压电性能
PMN-PZN-PZT四元系压电陶瓷显微结构与电性能的研究
本文通过固相反应合成法制备了Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3(简称PMN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷,系统的研究了预烧温度、成分及Sr、SiO2掺杂对四元...
王春娟
关键词:电性能
文献传递
低温烧结微波介质陶瓷BiNbO_4的研究进展被引量:3
2004年
综述了低温烧结微波介质陶瓷BiNbO_4的近期研究进展,总结了在BiNbO_4陶瓷的研究中所采用的3种基本方法:氧化物掺杂、离子置换以及与其它微波介质材料复合,归纳了不同氧化物掺杂、不同离子置换对陶瓷影响的异同点,以及表现出来的共同规律。
李光耀王春娟谢述峰刘向春田长生
关键词:BINBO4微波介质陶瓷掺杂氧化物离子
微波介质陶瓷TiO_2的低温烧结研究进展被引量:2
2004年
在制备多层微波元件过程中,从环保及制作成本方面考虑,为使用熔点较低的Ag(t_d=960℃)或Cu(t_d=1060℃)等贱金属作为电极材料,必须降低介质陶瓷的烧结温度;介绍了几类通过液相烧结降低致密化温度的TiO_2基微波介质陶瓷,该类陶瓷的烧结温度已降至1000℃以下,并具有较好的应用前景。
谢述锋王春娟刘向春李光耀田长生
关键词:微波介质陶瓷TIO2烧结温度液相烧结致密化
ZnO-TiO_2系微波介质陶瓷的相结构及研究进展被引量:18
2005年
对ZnO-TiO2体系相结构进行了分析,并从制备工艺、掺杂改性和低温烧结三个方面综述了ZnO-TiO2系微波介质陶瓷的研究进展,提出ZnO-TiO2系微波介质陶瓷的主要发展方向:①掺杂金属阳离子改性;②采用物理方法(包括半化学法)降低颗粒半径,在提高反应活性的基础上,掺杂适量助烧剂,实现陶瓷的低温烧结。
刘向春谢述锋陈晓龙高峰李光耀王春娟田长生
关键词:无机非金属材料微波陶瓷相结构
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