王青
- 作品数：28 被引量：41H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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- 一种制备具有稳定偏振输出的垂直腔面发射激光器的方法
- 本发明公开了一种制备具有稳定偏振输出的垂直腔面发射激光器的方法，该方法包括：在垂直腔面发射激光器出光腔面生长一层增透膜；在该增透膜上镀一层金属膜；腐蚀掉出光腔面以外的增透膜和金属膜；在出光腔面的金属膜上制备亚波长光栅。利...
- 宋国峰蔡利康王青陈良惠
- 文献传递
- 键合界面对面发射激光器光与热性质的影响
- 2008年
- 通过界面有效吸收系数的计算及界面对腔模的反射率的影响可知,采用双面键合技术制备面发射激光器应使键合界面处于驻波场分布零点位置,同时界面厚度应该小于20nm以使器件光学性能受界面吸收系数的影响较小.采用有限元方法分析VCSEL温度分布,结果证实薄的键合界面使VCSEL有源区温度对界面的热导率和电导率改变不敏感,而厚的键合界面将可能使有源区温度有较大地升高,给器件带来严重的不良影响.亲水键合和疏水键合的SEM照片说明疏水处理界面较薄,适合用于器件的制备.而亲水处理界面厚度>40nm,对器件的光、热特性不利.
- 何国荣郑婉华渠红伟杨国华王青曹玉莲陈良惠
- 关键词：面发射激光器热导率电导率键合界面
- 高功率980nm垂直腔面发射激光器的温度特性被引量：7
- 2010年
- 应变补偿量子阱结构因带宽大、增益高和波长漂移速度低等特点而成为近年来研究的热点。首次介绍了国内980nm高功率InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)的变温实验,测得脉冲条件下600μm直径的器件在10～100℃温度范围内发射波长漂移速度为0.05nm/K,阈值电流随温度变化呈现先缓慢下降后迅速上升的特性。结合VCSEL反射谱、PL谱和增益峰值波长漂移速度,对器件阈值电流特性进行了合理的分析和解释。连续工作状态下,测试得到器件峰值功率为1W,根据波长与耗散功率的实验曲线及热阻计算公式,可估算出垂直腔面发射激光器热阻值为10K/W。
- 何国荣沈文娟王青郑婉华陈良惠
- 关键词：垂直腔面发射激光器高功率
- 表面等离子激元调制的亚波长束斑半导体激光器被引量：2
- 2010年
- 近场有源探针可以解决近场光学扫描显微镜等应用中对高亮度和高光功率的需求.提出一种制备具有表面等离子激元结构的微纳束斑的半导体激光器的设计方案.模拟分析表明,此激光器在3.5μm的远场仍然可以获得小于波长的束斑,并且其输出功率密度与没有表面激元结构的激光器比较提高近30倍.
- 宋国峰汪卫敏蔡利康郭宝山王青徐云韦欣刘运涛
- 关键词：表面等离子激元半导体激光器
- 高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵被引量：6
- 2007年
- 报道了980nm高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵的研制.列阵单元为蜂窝状密堆积排列,单元台面直径为70μm,氧化孔径为30μm,相邻单元间隔为100μm.制作了含7,19,37个单元的列阵,讨论了它们的阈值电流和远场特性.在室温连续工作条件下,3种列阵的最大输出功率分别为0.26,0.5和0.6W.其中含37个单元的列阵在6A脉冲电流(脉宽30μs,重复频率100Hz)激发下,输出功率达到1.4W.
- 王青曹玉莲何国荣韦欣渠红伟宋国峰马文全陈良惠
- 关键词：垂直腔面发射激光器列阵阈值电流发散角大功率
- 高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计被引量：9
- 2008年
- 利用模型固体理论、k.p理论和Pikus-Bir理论,研究了InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱,得出了较为简单通用的设计方法;进而研究了阱宽、InGaAs中In组分和GaAsP中P组分等参数对跃迁波长的影响。理论计算发现,与InGaAs/GaAs普通量子阱相比,InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱能提供更深的载流子阱和更大的增益。按照提出的理论设计方法,研制了含InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的垂直腔面发射激光器(VCSEL),理论计算和实验结果相吻合。
- 王青曹玉莲何国荣韦欣渠红伟宋国峰陈良惠
- 高功率垂直腔面发射激光器及其列阵的研制
- 高功率的半导体激光器可以应用在材料加工、激光印刷、激光医疗、激光雷达、激光泵浦、空间激光通讯等诸多领域。而随着外延材料质量的提高和湿法氧化等器件工艺技术的进展，高功率的垂直腔面发射激光器(VCSELs)也迅速发展起来，并...
- 王青
- OPS-VECSEL芯片的生长与光谱研究
- 2009年
- 光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)是一种新型激光器,在很多领域都具有广阔的应用前景。采用MOCVD生长了工作波长为980nm的VECSEL芯片,测量了芯片X射线衍射(XRD)图谱,光致发光(PL)谱和反射谱,结果表明,芯片生长的准确性较高。同时采用物理光学的理论结合实际模型,运用矩阵分析方法计算了VECSEL的反射谱,计算结果与实验结果吻合良好。最后,通过对不同窗口层厚度的纵向增强因子的计算和分析得到了共振结构具有高的峰值增强,反共振结构具有大的增益带宽。在理论上提出,对于该OPS-VECSEL结构,采用共振和反共振结构之间的窗口厚度可以使其稳定工作在特定波长而又不严格限制增益带宽。
- 黄祖炎韦欣王青宋国峰
- 关键词：垂直外腔面发射激光器金属有机化合物气相淀积反射谱
- InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化
- 2006年
- 本文对808nmInGaAsP/InGaP/AlGaAs材料的大光学腔结构激光器进行了理论优化.为确保激光器是单横模激射,我们使用传递矩阵的方法,分别计算了限制层和欧姆接触层厚度对TE2和TE0模式损耗的影响,对上下限制层和欧姆接触层的厚度进行了优化,其优化后的厚度分别为0·8,0·6和0·11μm.高折射率的欧姆接触层被低折射率的限制层和金属层包围形成了无源的次级波导,泄漏波在次级波导中形成了寄生模式.欧姆接触层厚度对模式损耗的影响是周期性的,当欧姆接触层厚度为该模式的λ1/4时发生第一次共振,发生共振的间隔为其垂直注入的泄漏波波长λ1的一半.
- 曹玉莲李慧何国荣王小东王青吴旭明宋国峰陈良惠
- 键合方法制备长波长面发射的实验和分析被引量：5
- 2007年
- 通过疏水键合方法实现了InGaAsP/InP有源区与GaAs/AlAs DBR的单面和双面键合,并通过SEM,I-V曲线和反射谱、光致发光谱等手段研究了GaAs/InP键合界面的机械、光学和电学性质,良好的界面性质为使用键合技术制备长波长面发射激光器提供了可能性.
- 何国荣郑婉华渠红伟杨国华王青吴旭明曹玉莲陈良惠
- 关键词：键合面发射激光器光致发光谱
