王青
- 作品数：9 被引量：50H指数：4
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaInAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算被引量：10
- 2004年
- 讨论了GaInAs/GaAs应变量子阱结构的应变效应 ,给出了量子阱层的临界厚度随In组份的变化关系。由克龙尼克 -潘纳模型计算了GaInAs/GaAs应变量子阱的量子化能级 ,给出了cl -hhl跃迁对应的发射波长随阱宽和In组份的变化关系曲线 ,并与实验测量的GaInAs/GaAs量子阱的发射波长进行了比较 ,基本一致。与此同时 ,对GaInAs/GaAs应变量子阱向长波长方向的发展也进行了计算分析 。
- 晏长岭秦莉宁永强张淑敏王青赵路民刘云王立军钟景昌
- 关键词：应变量子阱跃迁长波长色散关系
- 光通信用垂直腔面发射激光器的进展被引量：3
- 2004年
- 垂直腔面发射激光器(VCSEL)以其优异的性能有望成为信息时代的新光源.文章介绍了用于光通信的VCSEL的开发现状.
- 王青赵路民宁永强秦莉晏长岭王立军
- 关键词：光通信垂直腔面发射激光器微电子机械系统波分复用
- 长波长GaInNAs垂直腔面发射激光器被引量：2
- 2004年
- 新出现的直接跃迁GaInNAs与具有高反射率的AlAs/GaAs分布布拉格反射镜相结合构成了GaAs基长波长(1.3～1.6μm)垂直腔面发射激光器(VCSEL),将成为光纤通信、光互联和光信息处理等的关键元件。本文从材料的选取、外延技术和GaInNAs VCSEL国外和国内的发展状况等方面对长波长GaInNAs VCSEL进行了综合阐述。
- 晏长岭秦莉张淑敏宁永强王青赵路民刘云王立军
- 关键词：激光技术
- 垂直腔面发射激光器及其进展被引量：1
- 2003年
- 赵路民王青宁永强王立军
- 关键词：激光器垂直腔面发射半导体激光器
- 高功率In Ga As量子阱垂直腔面发射激光器的研制被引量：4
- 2004年
- 采用AlAs氧化物限制工艺实验制备了衬底出光的高功率大出光窗口 (直径为 30 0 μm)InGaAs/GaAs量子阱垂直腔面发射半导体激光器 ,实现了器件室温准连续工作 (脉冲宽度为 5 0 μs ,重复频率为 10 0 0Hz) ,并对器件的伏安特性、光输出特性、发射光谱 ,以及器件的远场发射特性等进行了实验测试 器件阈值电流为 4 6 0mA ,器件的最大光输出功率为 10 0mW ,发射波长为 978.6nm ,光谱半功率全宽度为 1.0nm ,远场发散角小于 10° ,垂直方向的发散角θ⊥ 为 8° ,水平方向的发散角θ∥ 为 9° 。
- 晏长岭宁永强秦莉张淑敏赵路民王青刘云初国强王立军姜会林
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- 垂直腔面发射微腔激光器被引量：6
- 2003年
- 介绍垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构、特点、性能、应用以及最新进展,并对当前要解决的关键问题进行了论述。
- 赵路民王青宁永强晏长岭秦莉王立军
- 关键词：VCSEL布拉格反射器热沉
- 基于AIAs氧化法研制的垂直腔面发射激光器被引量：1
- 2004年
- 结合垂直腔面发射激光器的制备,研究了AIAs选择性氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs层的横向氧化速率之间的关系,并得到了可精确控制氧化过程的工艺条件,在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出InGaAs/GaAs垂直腔面发射激光器,实现了器件的室温脉冲激射。
- 赵路民晏长岭孙艳芳金珍花王青秦莉刘云宁永强王立军
- 关键词：垂直腔面发射激光器分子束外延
- 980nm高功率垂直腔面发射激光器被引量：26
- 2004年
- 研究了 980nm垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的结构设计和器件制作 ,实现了室温下的脉冲激射。在脉宽为 5 0 μs,占空比为 5∶10 0 0的脉冲电流下 ,直径 4 0 0 μm的器件输出光功率最高可达 380mW ,发散角小于 10° ,光谱的半高全宽为 0 8nm。
- 赵路民王青晏长岭秦莉刘云宁永强王立军
- 关键词：激光技术半导体激光器垂直腔面发射激光器分子束外延量子阱结构
- 一种带有出光窗口的高功率垂直腔面发射激光器
- 本发明涉及垂直腔面发射激光器包括：高铝组分氧化物限制层1、上分布布拉格反射镜2、上金属电极3、散热片4、热沉5、钝化膜6、中间有源增益区7、下分布布拉格反射镜8、衬底9、下金属电极10、出光窗口11、抗反射膜12和台面结...
- 宁永强晏长岭秦莉孙艳芳王青
- 文献传递
