田学东
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中北大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 光纤与光波导芯片高效垂直耦合互连的封装方法
- 本发明公开了一种光纤与光波导芯片高效垂直耦合互连的封装方法，其包括以下步骤：制备出硅基纳米波导光栅，并应用扫描电镜对硅基纳米波导光栅进行扫描；准备好低折射率固化封装材料；制备单模光纤；在硅基纳米波导光栅的表面涂覆光学增透...
- 苏淑靖焦新泉薛晨阳臧俊斌闫树斌张文栋仝晓刚晋玉剑王景雪崔丹凤韦丽萍王永华田学东
- 文献传递
- GaAs基HEMT嵌入式微加速度传感器力电耦合系数研究
- 2013年
- 设计加工了一种GaAs基高电子迁移率晶体管(HEMT)嵌入式微加速度传感器结构,通过软件仿真和实验测试相结合的方法,研究了所设计的微结构在平行于HEMT生长方向上(Z方向)不同加速度作用下敏感单元HEMT的力电耦合特性。实验结果表明:GaAs基HEMT微加速度传感器在其低量程范围内(0～15gn)敏感单元HEMT的力电耦合系数较稳定,且其力电耦合系数为10-8数量级,比常规Si压阻式加速度传感器的力电耦合系数10-10高出2个数量级。
- 田学东薛晨阳王永存刘俊唐军
- 关键词：高电子迁移率晶体管砷化镓传感器
- 石墨烯晶体管的加工及测试研究被引量：2
- 2014年
- 石墨烯晶体管因其超高响应频率和超小的体积成为新一代半导体基础器件的发展趋势。针对不同结构的石墨烯晶体管在电学特性上存在差异,通过化学气相沉积法(CVD)在铜箔上生长石墨烯薄膜,转移石墨烯薄膜到Si/SiO2基底上,经过光刻、等离子体刻蚀、电子束蒸发和ALD等工艺制备出顶栅结构的石墨烯晶体管和背栅结构的石墨烯晶体管,通过测试两种结构的石墨烯晶体管,比较了顶栅结构的晶体管和背栅结构的晶体管的栅调制效果和开关比。分析得到,顶栅结构的石墨烯晶体管的栅调制效果和开关比好于背栅结构的石墨烯晶体管。
- 王永存薛晨阳刘耀英田学东张文栋李铁
- 关键词：晶体管开关比
- Si基HEMT嵌入式微加速度计及其生产方法
- 本发明提供了一种Si基HEMT嵌入式微加速度计，包括Si衬底，所述Si衬底包括由刻蚀形成的外围基座、悬臂梁和质量块构成的微加速度计结构；所述Si衬底在高电子迁移率晶体管(HEMT)的加工位置处具有HEMT材料层薄膜，并且...
- 刘俊唐军薛晨阳张斌珍张文栋田学东李长龙史伟莉谭振新臧俊斌
- 文献传递
- Si基高频场效应晶体管特性仿真及工艺研究
- 随着高频器件在电子信息技术领域的广泛应用，以GaAs-HEMT为代表的新一代微波以及毫米波器件成为高频卫星通信、射电天文、电子战等领域不可或缺的核心部件。近年来，由于石墨烯材料的零禁带特性使得石墨烯场效应晶体管等高频器件...
- 田学东
- 关键词：SI基TCAD
- 文献传递
