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祝靖

作品数：187 被引量：6H指数：2
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 182篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 38篇电子电信
  • 5篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 58篇晶体管
  • 45篇金属
  • 41篇氧化层
  • 39篇电路
  • 39篇双极型
  • 38篇多晶
  • 38篇多晶硅
  • 38篇双极型晶体管
  • 38篇外延层
  • 35篇多晶硅栅
  • 35篇硅栅
  • 30篇衬底
  • 27篇半导体
  • 26篇硅外延
  • 26篇硅外延层
  • 24篇栅氧化
  • 24篇栅氧化层
  • 24篇绝缘栅
  • 22篇氧化物半导体
  • 22篇硅衬底

机构

  • 187篇东南大学
  • 6篇东南大学—无...
  • 2篇无锡华润上华...
  • 1篇南京邮电大学

作者

  • 187篇祝靖
  • 175篇孙伟锋
  • 172篇时龙兴
  • 158篇陆生礼
  • 66篇钱钦松
  • 46篇张龙
  • 30篇杨卓
  • 23篇张允武
  • 23篇宋慧滨
  • 8篇陈健
  • 7篇林颜章
  • 7篇卢云皓
  • 7篇张玉浩
  • 6篇韩佃香
  • 6篇徐申
  • 6篇林吉勇
  • 6篇喻慧
  • 5篇钟锐
  • 5篇刘斯扬
  • 5篇马文力

传媒

  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇微电子学
  • 1篇电源学报

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 5篇2022
  • 6篇2021
  • 13篇2020
  • 14篇2019
  • 12篇2018
  • 8篇2017
  • 27篇2016
  • 15篇2015
  • 25篇2014
  • 18篇2013
  • 30篇2012
  • 7篇2011
  • 2篇2009
共 187 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件及其制备方法
一种双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件及其制备方法，包括：P型衬底，埋氧层，N型外延层，在N型外延层中设有P型体区和N型缓冲层，在P型体区内设有P型发射极和N型发射极，N型发射极上方设有多晶硅栅，多晶硅栅上设有金属连接多...
祝靖黄超张龙卜爱国孙伟锋陆生礼时龙兴
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N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
一种N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、原胞区域和设在原胞区域周围的终端区域，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，原胞区域和终端区域设在N型掺杂硅外延层上，所...
孙伟锋祝靖钱钦松宋慧滨陆生礼时龙兴
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一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由相互间隔的P型...
钱钦松祝靖张龙杨卓孙伟锋陆生礼时龙兴
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超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构
一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结...
钱钦松祝靖林颜章马文力孙伟锋陆生礼时龙兴
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横向双扩散金属氧化物半导体器件
本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：漂移区，具有第一导电类型；第一体区，设于所述漂移区上，具有第二导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一导电类型区，设于所述第一体区内；第二体区，设于...
祝靖朱桂闯何乃龙张森李少红孙伟锋时龙兴
一种低饱和电流的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管
一种低饱和电流的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，该半导体具备：在P型衬底上设有有埋氧层，在埋氧层上方设有N型漂移区，其上有P型体区、场氧层和集电极区，在P型体区内设有相连的P阱，在P阱内设有P型发射极区，在P型发射极区...
张龙龚金丽祝靖杨兰兰孙伟锋时龙兴
降低功率器件反向恢复电流的栅极驱动电路
本发明公开了降低功率器件反向恢复电流的栅极驱动电路，属于基本电子电路的技术领域。该栅极驱动电路包括高压LDMOS管、导通时构成续流通路的二极管或反并联有体二极管的低压MOS管、电压检测电路，功率器件关断时，电感负载产生续...
祝靖杨柏炜余思远陆扬扬孙伟锋陆生礼时龙兴
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超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，管单元包括漏极金属，在漏极金属上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底，在硅衬底上设N型掺杂外延层，在外延层中设有P型掺杂柱状半导体区，在柱状半导体区上设有P型掺...
孙伟锋祝靖张龙曹鹏飞钱钦松陆生礼时龙兴
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绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管
一种绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管，包括：P型绝缘体上硅硅片，其中第一P型外延层右区设有P型埋层，而上方设有第二P型外延层，第二P型外延层内设有P型高能离子注入层和P型沟道区，而左侧设有N型深阱和N型漂移区，N型漂...
时龙兴刘斯扬祝靖朱奎英钱钦松孙伟锋陆生礼
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一种N型绝缘栅双极型晶体管结构
一种N型绝缘栅双极型晶体管，包括：兼做集电区的P型掺杂硅衬底，在P型掺杂硅衬底下方设有集电极金属，在P型掺杂硅衬底上方依次设有N型掺杂硅缓冲层和N型轻掺杂硅外延层，在N型轻掺杂硅外延层内设有和P型柱，在P型掺杂半导体区中...
孙伟锋戴伟楠吴逸凡徐申祝靖陆生礼时龙兴
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