肖学峰
- 作品数：41 被引量：23H指数：3
- 供职机构：北方民族大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市基础研究重大（重点）项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学化学工程文化科学电子电信更多>>
- 一种导模法制备硅酸铋闪烁晶体的方法
- 本发明属于闪烁晶体制备技术领域，具体公开了一种导模法制备硅酸铋闪烁晶体的方法。本发明先将原料顺次进行混合、预烧结、压实、烧结，得到硅酸铋多晶料，然后再将硅酸铋多晶料熔融，确定合适的纵向温度梯度，设计提拉速度。通过以上参数...
- 肖学峰许庆岩梁帅杰司佳顺张学锋张欢李维银张莎雷玉玺魏同利
- 一种制备SiO粉末的装置
- 一种制备SiO粉末的装置，涉及一氧化硅的制备技术领域，本装置将熔融反应装置和水冷沉积装置结合来制备SiO粉末，在熔融反应容器中生成SiO蒸汽进而通过反应容器侧壁上的SiO蒸汽导气管导流至水冷沉积装置内进行冷却沉积，在所述...
- 肖学峰韦海成张欢
- Bis(L-asparaginato)zinc(Ⅱ)掺Cu^(2+)的能级(英文)被引量：1
- 2007年
- 推算出了3d9离子在立方对称下的能级计算公式,并用此公式计算出了Bis(L-asparaginato)zinc(Ⅱ)晶体掺Cu2+从基态2A1(ε)到激发态2A1(θ),2B1(ζ),2B2(η),2B3(ξ)的能级,它们分别为10938cm-1,14288cm-1,19184cm-1,37397cm-1,计算结果跟实验结果吻合的很好.
- 张玲杜懋陆詹科肖学峰
- 关键词：能级
- 提拉法生长组分均匀硅酸铋(Bi<Sub>4</Sub>Si<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>,BSO)晶体的方法
- 一种提拉法生长组分均匀硅酸铋(Bi<Sub>4</Sub>Si<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>,BSO)晶体的方法，该方法采用提拉法生长硅酸铋单晶，在硅酸铋晶体生长过程中，调整硅酸铋晶体生长过程中的提...
- 肖学峰张学锋张欢韦海成魏同利张莎雷玉玺李维银
- 一种制备SiO粉末的方法
- 一种制备SiO粉末的方法，涉及一氧化硅的制备技术领域，以多晶硅粉或多晶硅块与石英棒为制备SiO的原材料，置于坩埚内，在熔融状态下反应生成SiO蒸汽，再将SiO蒸汽与氩气的混合气体通入水冷沉积装置进行冷却沉积，在熔融反应时...
- 肖学峰韦海成张欢
- 文献传递
- 一种近化学计量比钽酸锂晶片的周期极化方法
- 本发明属于晶片极化处理技术领域，具体公开了一种近化学计量比钽酸锂晶片的周期极化方法。本发明先对近化学计量比钽酸锂晶片进行整体极化处理；然后在近化学计量比钽酸锂晶片一侧表面设置周期光刻胶；再将表面设置周期光刻胶的近化学计量...
- 肖学峰 司佳顺 黄燕 梁帅杰 张妍 许庆岩 张学锋张欢马玲玲李维银 马超
- 用于重症患者及瘫痪患者的护理床
- 本发明涉及用于重症患者及瘫痪患者的护理床，包括床架、设置于床架的床板、第一驱动装置及控制器，床板包括起身板、曲腿板及活动支撑板，起身板和曲腿板活动连接于床架，活起身板和曲腿板分别用于在动力的驱动下翻转；活动支撑板与第一驱...
- 储金全张秀霞魏舒恬魏舒怡刘士进保文星高岳林赵虎鲍润华韦海成潘俊涛肖学峰
- 文献传递
- 滤波器用复合压电基片及其制备方法
- 本发明提出一种滤波器用复合压电基片，包括依次设置的压电基片层、过渡层、导电层，所述过渡层为铍膜，所述导电层为铝膜，本发明采用同样是六方晶系的铍或镁作为过渡膜生长在压电基片表面上，同种晶格结构的铍或镁与压电基片之间结合良好...
- 肖学峰张学锋雷顺京张欢韦海成
- 一种制备SiO粉末的装置
- 一种制备SiO粉末的装置，涉及一氧化硅的制备技术领域，本装置将熔融反应装置和水冷沉积装置结合来制备SiO粉末，在熔融反应容器中生成SiO蒸汽进而通过反应容器侧壁上的SiO蒸汽导气管导流至水冷沉积装置内进行冷却沉积，在所述...
- 肖学峰韦海成张欢
- 文献传递
- 一种制备SiO粉末的装置
- 一种制备SiO粉末的装置，涉及一氧化硅的制备技术领域，本装置将熔融反应装置和水冷沉积装置结合来制备SiO粉末，在熔融反应容器中生成SiO蒸汽进而通过反应容器侧壁上的SiO蒸汽导气管导流至水冷沉积装置内进行冷却沉积，在所述...
- 肖学峰韦海成张欢
- 文献传递
