胡峰
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：北京交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术建筑科学更多>>
- SiO/SiO2超晶格结构界面发光的研究
- 2009年
- 利用热蒸发技术在硅衬底上制备了层厚不同的SiO/SiO2超晶格样品。对其光致发光谱进行研究发现,随着SiO/SiO2超晶格中SiO层厚度的增加,发光峰在400～600nm之间移动。研究表明,样品的发光中心来自于SiO/SiO2界面处的缺陷发光(界面态发光)。即在样品沉积的过程中,在SiO/SiO2的界面处由于晶格的不连续性,会形成大量的Si—O悬挂键,这些悬挂键本身相互结合可以形成一定数量的缺陷,同时由于O原子容易脱离Si原子的束缚而产生扩散,因此,这些悬挂键可以与扩散的O原子结合,随着SiO层厚度的增加,在SiO/SiO2的界面处先后出现WOB(O3≡Si—O—O.),NOV(O3≡Si—Si≡O3),E′中心(O≡Si.),NBOHC(O3≡Si—O.)等缺陷,这些缺陷在SiO层厚度增大的过程中对发光先后起到主导作用,从而使得发光峰产生红移。
- 王申伟衣立新何桢胡峰王永生
- 关键词：超晶格界面态光致发光
- 溅射气氛和退火方式对硅纳米晶的形成及发光特性的影响被引量：5
- 2009年
- 利用磁控溅射技术溅射硅靶,通过调节溅射气氛在硅衬底上生长了S iO/S iO2超晶格,热退火处理后超晶格中的S iO发生相分离得到硅纳米晶。通过比较不同退火方式对于硅纳米晶的形成的影响发现,管式炉退火处理的样品给出非常强的室温光致发光,其发光峰的峰位随着硅纳米晶尺寸的增大而红移,且管式炉退火比快速热退火更有利于硅纳米晶的形成。
- 胡峰衣立新王申伟高华何桢
- 关键词：硅纳米晶超晶格磁控溅射热退火
- 磁控溅射法所沉积非晶SiN<,x>O<,y>薄膜的结构分析及光致发光特性研究
- 发展光电子集成技术需要硅基发光材料。晶体硅由于是间接带隙材料，其带间辐射复合效应非常低，难于达到发光器件的要求，这使得制备高效、稳定的Si基发光材料成为当前研究的一个热点。SiNxOy薄膜具有优良的物理性能和光电性能，所...
- 胡峰
- 关键词：非晶薄膜磁控溅射光致发光光电子集成晶体硅
- 文献传递
- 软硬交互土层中DX桩荷载传递特性试验研究
- DX旋挖挤扩灌注桩是近年来兴起的一种承载力高、沉降小、施工简单快速的新型变截面桩型，承力盘的存在使得DX桩成为由承力盘、桩身、桩端共同承载的摩擦端承桩，其承载机理十分复杂。本文旨在通过室内模型试验、数值模拟、理论分析等多...
- 胡峰
- 关键词：承载力应力分布
- 磁控溅射法所沉积非晶sin<,z>o<,y>薄膜的结构分析及光致发光特性研究
- 发展光电子集成技术需要硅基发光材料。晶体硅由于是间接带隙材料，其带间辐射复合效应非常低，难于达到发光器件的要求，这使得制备高效、稳定的si基发光材料成为当前研究的一个热点。sinxoy薄膜具有优良的物理性能和光电性能，所...
- 胡峰
- 关键词：非晶薄膜磁控溅射光致发光光电子集成晶体硅
- 文献传递网络资源链接
