胡明
- 作品数：286 被引量：659H指数：14
- 供职机构：天津大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 绝缘材料表面化学制备高电导率聚吡咯薄膜的方法
- 本发明涉及一种绝缘材料表面化学制备高电导率聚吡咯薄膜的方法，属于在绝缘材料表面制备高电导率聚吡咯薄膜的技术。该方法过程包括：先用硅烷偶联剂对绝缘材料进行表面改性，晾干后浸入配制好的吡咯单体溶液中，然后浸入加有掺杂剂的氧化...
- 胡明沈腊珍张之圣古美良田斌阎实
- 文献传递
- 氧化钨—氧化钒异质结纳米线阵列作为气敏材料的应用
- 本发明公开氧化钨—氧化钒异质结纳米线阵列作为气敏材料的应用，其特征在于，氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列由氧化钨/氧化钒异质结纳米线组成，氧化钨/氧化钒异质结纳米线长度为300—800nm，所述氧化钨纳米线的直径为10-2...
- 秦玉香柳杨谢威威刘成胡明
- 文献传递
- InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作被引量：1
- 1999年
- 利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2／V.s，晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200～500Ω，乘积灵敏度达90～150V／A·T。
- 胡明刘志刚张之圣王文生
- 关键词：INSB薄膜霍尔元件电子迁移率
- 应用于MEMS的多孔硅的制备方法研究被引量：9
- 2004年
- 采用化学腐蚀法、单槽电化学腐蚀法和双槽电化学腐蚀法来进行多孔硅的制备,通过对比这三种方法所制备多孔硅的表面形貌特征,发现双槽电化学腐蚀法与其它两种方法相比,具有孔径尺寸小(可达5～10 am)、均匀性好、腐蚀深度大(可达几百nm)等优点,其制备的多孔硅更符合在MEMS中应用的要求.最后对双槽电化学腐蚀法中腐蚀时间及电流密度对腐蚀速率的影响进行了研究.
- 韩建忠倪国强崔梦胡明田斌
- 关键词：多孔硅MEMS微电子机械系统
- 磁阻效应及磁敏位置传感器被引量：3
- 1996年
- 本文讨论了磁阻效应原理，介绍了磁敏位置传感器的结构设计，将磁敏电阻的短路条采用人字型结构，将传感器设计成悬臂梁结构，实验表明，传感器的分辨率达０．０１°。
- 张之圣胡明刘志刚王文生白花珍王聪修
- 关键词：磁阻效应位置传感器分辨率
- 微电子机械系统(MEMS)中的铁电器件
- 提出了一种将铁电材料与MEMS集成的新趋势,并介绍了几种在这种趋势下应运而生的最新的微传感器和微执行器.
- 刘如净张之圣胡明
- 关键词：铁电材料微传感器微执行器微电子机械系统
- 文献传递
- 具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的制备方法
- 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种制备具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的制备方法，用于在硅基片上制作二氧化钒纳米薄膜，包括下列步骤：1)硅基片表面清洗；2)采用等离子体增强化学气相沉积方法在硅基片上生长二氧化硅薄膜或氮化...
- 胡明梁继然陈涛韩雷刘志刚
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- 电子封装材料表面化学制备高导电率聚吡咯薄膜的研究被引量：1
- 2006年
- 研究了在环氧树脂塑料封装材料表面制备导电聚吡咯(PPy)薄膜的化学聚合方法,分析了影响聚吡咯薄膜微观形貌、附着力及电导率的因素。用四探针法测聚吡咯薄膜的电导率,并用扫描电子显微镜(SEM)、红外光谱(IR)、X射线光电子能谱(XPS)进行了表征。通过对电子封装材料的表面预处理与改性,制得了附着性好、均匀连续的聚吡咯薄膜,经掺杂电导率达到了45.10S/cm。
- 沈腊珍胡明古美良
- 关键词：电子封装材料
- 一种垂直定向的核壳型氧化钨氧化铜异质结纳米线阵列及其制备方法
- 本发明提供一种垂直定向的核壳型氧化钨氧化铜异质结纳米线阵列及其制备方法，包括沉积钨薄膜材料层、一维氧化钨纳米线的结晶生长、一维氧化钨纳米线的退火处理、退火后的氧化钨纳米线表面镀铜以及铜的退火热处理。本发明的有益效果是将这...
- 秦玉香柳杨张晓娟谢威威胡明
- 文献传递
- 退火条件对氧化钒薄膜微观结构的影响被引量：3
- 2006年
- 采用直流对向靶磁控溅射的方法在S iO2/S i衬底上制备了具有(001)择优取向的V2O5薄膜,利用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜和四探针测试方法对退火前后薄膜的表面形貌、物相组分和电阻温度系数进行了测量.结果表明:200℃衬底温度下溅射得到的薄膜为多晶V2O5,膜表面颗粒呈细长针状,经700℃、1 h退火后,薄膜中VO2相成分增多,颗粒变为长方形柱状;退火后薄膜的电阻温度系数达到-3.200//K,与薄膜的微结构和物相组分有很大关系;3 h退火后,得到高纯度的V2O5薄膜.
- 梁继然胡明吕宇强韩雷刘志刚
- 关键词：氧化钒薄膜微观结构直流磁控溅射
