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胡春华

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子结构
  • 1篇电子性质
  • 1篇子结构
  • 1篇薄片
  • 1篇BC

机构

  • 1篇武夷学院
  • 1篇厦门大学

作者

  • 1篇吴顺情
  • 1篇高潭华
  • 1篇胡春华
  • 1篇朱梓忠

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
二维BC_2N薄片的结构稳定性和电子性质
2011年
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对二维BC2N薄片的结构稳定性和电子性质进行了系统的研究.计算了BC2N化合物16种可能的二维单层结构.对它们的能带结构分析发现,对称性最高的构型与石墨烯一样是一种半金属,而其他二维结构则为有不同带隙的半导体,其中最稳定的构型是带隙值为1.63eV的直接带隙半导体.对最稳定构型的差分电荷密度分析和Bader分析发现:在最稳定的构型中,C—C键、C—N键、C—B键和B—N键主要以共价键的形式呈现,也具有比较明显的离子性.在应力作用下最稳定构型的单层BC2N的带隙宽度会发生变化,压缩时带隙变宽,而拉伸时带隙变窄,但仍然为直接带隙半导体.
高潭华吴顺情胡春华朱梓忠
关键词：电子结构
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