胡石
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西华大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- VN分子跃迁结构的精确研究
- 本文通过采用孙卫国等创立的可以精确计算双原子分子体系的R与P线系发射光谱的原子分子物理学公式，结合文献上通过实验获得的多组低转动态光谱数据，计算了多用途材料VN分子电子态以及跃迁体系中（0,0）跃迁带的R支与P支发射光谱...
- 胡石
- 关键词：光谱数据微观结构
- 文献传递
- TaO分子跃迁结构的理论研究
- 2013年
- 结合实验上获得的有限的低激发振转态的跃迁结构,利用孙卫国等建立的能精确计算双核分子体系跃迁谱线的理论方法,研究了TaO分子K2Φ5/2-X2Δ3/2跃迁过程中(1,2)跃迁带的R线系跃迁结构。获得的理论结果在重现已知实验数据的基础上又成功预测了包含转动量子数J=80.5在内的高激发振转态的跃迁谱线数据,为进一步正确认识TaO分子的微观结构提供了重要的光谱信息。
- 胡石孙卫国樊群超
- 关键词：TAO
- VN分子R线系跃迁结构的研究与分析
- 2013年
- 本文借助孙卫国课题组建立的能精确计算双原子分子R线系发射谱线的物理公式,利用实验上获得的低振动态跃迁谱线数据研究了电极材料VN分子电子态f1Φ—a1以及电子态d1Σ+—X3 1等跃迁体系的(0,0)跃迁带的R线系发射谱线.从理论上预言了实验上难以获得的该跃迁带R线系高振转激发态的跃迁结构,为急需VN分子内部结构的其他研究领域提供了重要的结构信息.从这些公式出发,我们定义了表征实验测定谱线对新谱线的贡献度C(contribution)参数,进一步分析了高激发振转跃迁谱线的相互依赖关系,结果表明该物理公式不仅很好地复现了已知的实验数据,正确地预言了实验未能测定的高激发振转跃迁谱线,而且还能了解不同实验谱线对新谱线的贡献程度,基于这些贡献度,实验学家可以将有限的资源更好地进行分配,重点研究那些贡献度大的振转跃迁谱线.
- 付佳樊群超孙卫国胡石江永红
- 关键词：双原子分子跃迁谱线贡献度VN
- VO分子~2△_(3/2)—1~2△_(3/2)电子跃迁P线系发射谱线的研究被引量：1
- 2012年
- 本文利用孙卫国课题组建立的能精确计算（预言）某双原子分子电子态P线系发射谱线的物理新公式, 首次研究了VO分子从电子态^2Δ3/2跃迁到电子态1^2Δ3/2的（0, 0）跃迁带中的P线系发射谱线. 获得的研究结果不仅重复了实验上已知的低转动态谱线数据,而且还正确预言了该跃迁带在 实验上难以精确测量的转动量子数J=80.5以内的高振转激发态的P线系发射光谱. 为研究VO分子内部结构提供了重要的物理信息.
- 刘渭宁樊群超孙卫国冯灏胡石
- 关键词：双原子分子VO跃迁谱线
