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臧云飞

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：山东大学更多>>
相关领域：理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 3篇电阻
  • 3篇溅射
  • 2篇隧穿
  • 2篇隧穿磁电阻
  • 2篇隧道结
  • 2篇自旋
  • 2篇磁场
  • 2篇磁电
  • 2篇磁电阻
  • 2篇磁性隧道结
  • 1篇电阻开关
  • 1篇异质结
  • 1篇随机存储器
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇存储器

机构

  • 3篇山东大学

作者

  • 3篇臧云飞
  • 2篇沈婷婷
  • 2篇颜世申
  • 2篇刘国磊
  • 2篇梅良模
  • 2篇李强
  • 2篇陈延学

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
五氧化二钽异质结的电阻开关特性研究
伴随着科技的腾飞，人们对存储器性能的需求标准也越来越高，比如，高密度、高速度、非挥发性、低功耗等等。闪存占据了非易失存储器的主要市场，但是，闪存存在着速度慢的缺点，并且随着器件尺度的减小，其氧化层厚度也将减小，会引起散热...
臧云飞
关键词：电阻开关磁控溅射随机存储器
文献传递
集记忆电阻与隧穿磁电阻的自旋记忆电阻器件及制备方法
本发明涉及集记忆电阻与隧穿磁电阻于一体的多功能自旋记忆电阻器件及制备方法。该多功能自旋记忆电阻器件采用Co/CoO-ZnO/Co磁性隧道结，在外加电压下具有双极阻变效应，在外加磁场下具有隧穿磁电阻效应；磁性隧道结上、下均...
颜世申李强沈婷婷代正坤臧云飞刘国磊陈延学梅良模
文献传递
集记忆电阻与隧穿磁电阻于一体的多功能自旋记忆电阻器件及制备方法
本发明涉及集记忆电阻与隧穿磁电阻于一体的多功能自旋记忆电阻器件及制备方法。该多功能自旋记忆电阻器件采用Co/CoO-ZnO/Co磁性隧道结，在外加电压下具有双极阻变效应，在外加磁场下具有隧穿磁电阻效应；磁性隧道结上、下均...
颜世申李强沈婷婷代正坤臧云飞刘国磊陈延学梅良模
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