蒋翔六
- 作品数：7 被引量：5H指数：2
- 供职机构：北京市科学技术研究院更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>
- 多晶硅发射极晶体管h_(FE)、G_e、和K的普遍表达式及其分类被引量：2
- 1993年
- 本文综合考虑了影响多晶硅发射极晶体管(PET)电流增益的多种因素,针对最全面的器件结构推导出PET的共发射极直流电流增益h_FE发射极Gummel数G_e,和电流增益的增强因子k解析形式的普遍表达式,覆盖了PET的多种结构。并以此对PET从器件结构上进行了科学地分类。此普遍表达式也包含了Ning和Graaff的理论结果。
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- 关键词：多晶硅发射极晶体管双极晶体管
- 直流弧光放电化学气相沉积(CVD)法制备金刚石薄膜及其等离子体的光发射谱原位测量被引量：2
- 1990年
- 应用直流弧光放电分解CH_4和H_2混合气体成功地实现了高速生长多晶金刚石膜,应用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、Raman谱仪对所得样品进行检测和分析,为了弄清楚金刚石膜的生长机理,在实际生长环境下“原位”测量了不同条件下直流弧光等离子体的光发射谱,结果发现:高速生长金刚石膜的关键是该气相反应中有大量的原子H存在。
- 张仿清张亚非杨映虎李敬起陈光华蒋翔六
- 关键词：CVD金刚石等离子体
- 用CH_4—H_2直流弧光放电CVD法高速合成金刚石薄膜被引量：1
- 1989年
- 气相人工合成的金刚石薄膜具有与天然金刚石相同的超硬、高热导率、高电阻率及抗蚀性等独特的物理化学性质,具有重要的应用前景。近年来,用热等离子体的化学气相沉积(CVD)方法高生长速率的合成金刚石薄膜,如辉光、弧光转换区放电、弧光放电和等离子喷射等方法的研究报导,已引起学术界的兴趣和重视。
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- 关键词：金刚石薄膜CVD法
- 多晶硅发射极晶体管（PET）Gummel－Poon模型
- 1995年
- 本文建立了能直接用于ＳＰＩＣＥ电路分析程序中的ＰＥＴ－ＧＰ模型。研究表明：可以采用两种方法来使用ＰＥＴ－ＧＰ模型。本文利用所研究器件的结构参数计算了ＰＥＴ－ＧＰ模型参数β＿Ｆ和特征频率ｆ＿Ｔ，ｆ＿Ｔ的计算和实验结果符合较好。β＿Ｆ的计算表明，所研究器件的多晶硅／硅界面复合较强，复合速度Ｓ＿ｐ达到１０￣６ｃｍ／ｓ。
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- 关键词：多晶硅发射极晶体管
- 强炭化物元素衬底与弧光等离子体化学气相沉积金刚石膜间过渡层的研究
- 蒋翔六张仿清陈光华张亚非
- 该项目系统地证实了熔点在1400℃以上的十种强碳化物形成元素硅(Si)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、铪(Hf)、钽(Ta)和钨(W)在直流弧光等离子体化学相沉积中均能用作为衬底材...
- 关键词：
- 关键词：金刚石膜衬底材料化学气相沉积
- 弧光放电化学气相沉积金刚石薄膜的方法
- 一种弧光放电化学气相沉积金刚石薄膜的方法，它采用甲烷与氢气的混合气体为直流弧光放电等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的反应源气，甲烷在反应源气中的浓度控制在0.5～2.0%之间，反应中还适当增大了反应源气的流量，流量范围为2...
- 蒋翔六张仿清
- 弧光放电化学气相沉积金刚石薄膜的方法
- 一种弧光放电化学气相沉积金刚石薄膜的方法，它采用甲烷与氢气的混合气体为直流弧光放电等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的反应源气，甲烷在反应源气中的浓度控制在0.5～2.0％之间，反应中还适当增大了反应源气的流量，流量范围为2...
- 蒋翔六张仿清
- 文献传递
